قسم الفيزياء
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Item Amélioration de la performance d'une communication optique en espace libre (FSO) point à point en utilisant des faisceaux optiques modulés (application aux satellites et Radar embarqués)(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Moudjari, Amel; Kouassah, Haya; Hamouda, AmarLa communication optique en espace libre (FSO) est une technologie très récente et émergente pour établir le haut débit des systèmes de transmission de données sans fil utilisant des faisceaux optiques modulés. L’adoption du système FSO est principalement nécessaire lorsque toute connexion physique entre l’émetteur et le récepteur est pratiquement impossible et où une transmission de données à bande passante élevée est attendue. La performance de la technologie de communication FSO dépend fortement de l’atténuation atmosphérique qui est liée à la visibilité des différentes conditions météorologiques les conditions ainsi que les longueurs d’onde de fonctionnement.Item Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Marki, Rebiha; Azizi, CherifaL'amélioration des composants électroniques nécessite beaucoup d'efforts au niveau de la conception, de la fabrication que de la caractérisation. Dans ce cadre, la modélisation prouve son utilité en permettant de prévoir les caractéristiques des composants avant la réalisation et par la suite réduire le coût de fabrication. Dans le premier chapitre, nous avons détaillé la structure du MESFET GaAs ainsi que son principe de fonctionnement. Dans le second chapitre, On a étudié un modèle analytiquement dans le but déterminer les caractéristiques statiques du composant en tenant compte des paramètres physiques et géométriques, ainsi que l'effet de la mobilité et des éléments parasites. Dans le dernier chapitre, on a vérifié la validité des différents résultats obtenus. Les paramètres importants qui définissent le MESFET GaAs sont établis et simulésItem Caractérisation diélectrique de réaction de polymérisation(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Cherif Djouama, Torkia; Soualmia, AssiaSans résuméItem Caractérisations bidimensionnelles du transistor à effet de champ Mesfet GAAS(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Hafnaoui, Hakima; Saidi, YNous ne reviendrons pas sur le but de notre travail et l'étude des caractéristiques bidimensionnelles du MESFET GaAs dans ce but on a résolu une équation aux dérivées partielles du second ordre à deux variables indépendantes c'est l'équation de poisson qui régissent le fonctionnement du transistor MESFET. Les méthodes de résolution qu'on a utilisé sont basées sur les approximations numériques des fonctions inconnues par : - Méthode de perturbation - Méthodes des différences finies. les résultats obtenus qui ont été rappelés dans dernier chapitre montre que dans les deux méthodes ce régime linéaire, c'est à dire à faible tension de polarisation de drain, nous remarquons un bon accord entre les valeurs expérimentales et celles de la simulation et lorsque la tension de drain augmente et devient plus importante nous remarquons que dans la méthode des différences finies seulement un certain écart entre les valeurs expérimentales et les résultats de la simulation qui augmente au fur et à mesure jusqu'à la saturation. Cet écart est principalement dû aux approximations faites soit dans le modèle mathématique et dans le logiciel de simulation, à l'effet des paramètres géométriques, ainsi qu'à l'existence des phénomènes quantiques parasites que nous ne n'avons pas pris en considération (négligence du courant dans la zone de charge d'espace). Finalement, la possibilité de réduire encore dans le futur les dimensions des composants électroniques nous semble dépendre au moins autant de la maîtrise de la technologie de réalisation de ces composants que de la possibilité de bien contrôler l'ensemble des phénomènes associés aux propriétés du composant MESFET GaAsItem Comparaison des modèles non linéaire I-V du transistor Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Filali, Anissa; Zaabat, MDans ce travail nous présentons une comparaison des deux modèles non linéaires du transistor MESFET GaAs utilisés dans la littérature avec le modèle standard. D'abord, nous avons présenté la famille des différents composants actifs et qui utilisent les techniques CAO pour modéliser ces caractéristiques. C'est dans ce cadre, nous avons étudié les propriétés physiques de l'arséniure de gallium et du contact Schottky de grille. Ensuite, nous exposons un rappel de la structure du composant MESFET et son principe de fonctionnement ainsi les phénomènes physiques qui régissent ses performances. Enfin, nous présentons une étude des propriétés statiques du MESFET GaAs pour décrire le comportement de la zone active tel que le courant de drain, l'expression de la transconductance, la conductance et la capacité, ainsi que les propriétés statiques des deux modèles non linéaires que nous avons adopté. Nos résultats obtenus ont été discutés et comparés avec celle de l'expérimentalItem Contribution à l'étude de la barrière Schottky à base de sulfure de cadmium CDS(Houari Boumediene Alger, 1989) Benarab Mehenni, Nacéra; Mahdjoubi, LSans résuméItem Contribution à l'étude de la densité de la matière nucléaire(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Houamer, Salim; Fellah, MohamedItem Contribution à l'étude des propriétés statiques du mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Hamma, Issam; Saidi, YPour la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés, il est nécessaire d'établir des modèles théoriques simples qui tiennent compte de tous les effets qui ont lieu au niveau de l'élément constitutif de ces circuits qui est le MESFET GaAs. Dans ce mémoire, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant - tension (I-V), d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de Gallium Dans ce mémoire nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courantes tensions I-V d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'Arséniure de Gallium dit MESFET GaAs, qui joue un rôle primordial dans la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs qui aura lieu dans la première partie, Une étude analytique des caractéristiques statiques du composant en se basant sur l'approximation de la zone de déplétion graduelle dépourvue de porteurs libre avec un canal de dopage uniforme en prenant compte l'influence des paramètres physiques et géométriques, ainsi l'effet de mobilité et des éléments parasites. L'influence de la température sur le comportement du MESFET GaAs. Les résultats obtenus permettent de déterminer les propriétés du courant sous l'effet des paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue d'une application d'amplification en puissance micro-ondes. Un compromis est déterminé entre les différents paramètres ainsi que le choix d'une loi de mobilité valable pour GaAs. Ces résultats permettent la mise au point de géométries du composant adaptées à des utilisations spécifiques et seront d'un grand apport pour la conception assistée par ordinateur des circuits micro-ondesItem Contribution à l'étude du paramètre du réseau de la solution solide cuivre-nickel(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Allili, Baya; Kadi-Hanifi, MouhyddineSans résuméItem Effet des éléments d'addition sur la microstructure des alliages ALMgSi(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Farh, Hichem; Guemini, RebaiLa présente étude est faite sur les alliages AlMgSi faisant partie de la classe des alliages à durcissement par précipitation. Ce travail a pour but essentiel de l’étude de l’influence des éléments d’addition, en particulier le cuivre, le fer et l’excès de silicium, sur la microstructure et les propriétés mécaniques des alliages AlMgSi Différentes techniques ont été utilisées à cet égard pour le suivi de l’évolution microstructurale et des propriétés mécaniques lors des différents traitements thermiques. Nous avons utilisé principalement la microscopie optique, la microscopie électronique à balayage couplé à un système (EDAX), la microdureté, l’analyse calorimétrique différentielle (DSC) et la diffraction des rayons X (DRX). Les résultats que nous avons obtenus concernent essentiellement la séquence des stades d’évolution structurale des alliages étudiés en fonction des différents traitements et de la température de vieillissement, après l’obtention de la solution solide AlMgSi sursaturée. L’effet des éléments d’addition tel que le cuivre, le fer et l’excès de silicium sur le comportement microstructurale a été aussi étudié. L’addition du cuivre aux alliages d’AlMgSi affine la taille des grains et contribue à la formation de la phase Q et augmente les propriétés mécaniques. L'addition du cuivre augmente l'énergie d'activation. L'énergie d'activation la plus basse est observée dans le cas de l'alliage avec excès de siliciumItem Elaboration de couches minces d'oxyde de zinc par pulvérisation pyrolytique destinées à des applications optoélectroniques(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Allouane, Dalila; Hadjéris, LazharLe travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit Mesfet GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode Schottky et du matériau semi-conducteur l'arséniure de gallium GaAs nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composant a effet de champ à base de GaAs (Mesfet, Hfet, Hemt, Phemt et Pphemt). Par la suite, l'étude des propriétés statiques du composant Mesfet nous a conduit à définir le système d'équations générales régissant le comportement de la zone active, ainsi que l'effet des éléments parasites et des paramètres physique spécifiques à ce composant. Enfin, nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytique obtenues précédemment, Les résultats obtenus sont présentes, discutés et compares avec ceux l'expérience existante dans la littératureItem Etude de transport de spin polarisé dans les semi conducteurs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Khenchoul, Salah; Boudine, Aans cette thèse nous avons fait une étude bidimensionnelle de phénomène de transport de spin polarisé dans les semi-conducteurs. Une étude théorique et numérique a été réalisée dans le cas d'un dispositif appelé transistor spin FET où il a été question de mettre en évidence ce type de transport. Ainsi donc en se basant sur des récentes études sur les contacts ferromagnétique semi-conducteur, on a pu étudie la transconductance de ce transistor qui s'agit d'un transistor de type HEMT dans lequel on remplace la source et le drain par des contacts ferromagnétique. Le contact de source joue le rôle de polariseur de spin pour les électrons injectés dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain est analyseur de spin pour ceux parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des électrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de le contrôler, grâce à la tension de grille. Cette étude a été couronnée par une analyse numérique en fonction du champ extérieur et des caractéristiques internes du semi-conducteurItem Etude des propriétés des transistors à effet de champ Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Cheriet, Abderrahmane; Azizi, CherifaLe travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à barrière schottky à l’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode schottky et du matériau semi-conducteur l’arsenuire de gallium GaAs nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composant a effet de champ à base de GaAs (MESFET, HFET, HEMT, PHEMT et PPHEMT). Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations énérales régissant le comportement de la zone active, ainsi que l’effet des éléments parasites et des paramètres physique spécifiques à ce composant. Enfin,nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytique obtenues précédemment, Les résultats obtenus sont présentes, discutés et compares avec ceux l'expérience existante dans la littérature. Mots cIés : - Diode Schottky - Transistor à effet de champ - MESFET GaAsItem Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des alliages semi-conducteurs BaxPb1-x S pour les dispositifs optoélectroniques(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Benkhedir, Badra; Berkani, Khaoula; Gagui, SouheylaLes propriétés structurelles, électroniques et optiques de BaS,PbS et leurs alliages pour x= (0,25, 0,5, 0,75) dans la structure Rock-Salt "NaCl" ont été calculées à l’aide de la méthode FP-LAPW à plein potentiel dans le cadre de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). En utilisant l’approximation de gradient généralisé (WC-GGA) de Wu-Cohen, pour calculerle paramètre de réseau, le module de compressibilité. Nous avons trouvé que le paramètre de réseaux a augmente avec l'augmentation de la concentration du Baryum et l’inverse pour le module de compressibilité. La structures de bande électronique et l’énergie du gapsont calculées à l’aide d’un schéma de paramétrage modifié de Tran-Blaha Becke-Johnson (TB-mBJ). Nous avons obtenu que le gap est direct pour les composées PbS et Pb1-xBaxS respectivement quand (x=0,25, 0,5, 0,75) Sauf que le composé binaire BaS possède un gap indirect. Les propriétés optiques des composés binaires et de leurs alliages ternaires ont été calculéesainsi que la partie imaginaire ε2 et la partie réelε1, l'indice de réfraction n, le coefficient d'absorption α, la réflectivité R, laconductivité optique σet l'énergie perdu L; utilisant l’approximationde Tran-Blaha Becke-Johnson (TB-mBJ) ;Notre matériaux étudiés absorbentla lumière dans le domaine visible-Ultraviolet. Donc ces matériaux sont favorables dans lafabricationdes cellules solaires et des dispositifs optoélectroniques. Les résultats calculés sont comparés aux données expérimentales et théoriques disponibles.Item Etude du transist à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium dit MESFET GaAs en régime statique(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Benyoucef, Sawsen; Bechoua, Khadidja; Azizi, CherifaLe transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs est un composant essentiel dans les dispositifs électroniques pour fabriquer les circuits intégrés. Sur cette base notre étude porte sur la simulation de ce composant en régime statique. Nous présentons, tout d’abord, les différents transistors à effet de champ avec leurs structures et principes de fonctionnement JFET, MOSFET, MESFET et HEMT. Nous présentons brièvement les propriétés du matériau semi-conducteur arséniure de gallium GaAs puis un modèle mathématique des propriétés statiques du transistor MESFET GaAs à barrière Schottky. Nous avons mis au point un logiciel en langage MATLAB version 7 basé sur les expressions analytiques. Les résultats concernant les caractéristiques courant-tensions du composant et l’influence des paramètres géométriques physiques et la température ont été obtenus et discutés. Ces résultats seront utilisés dans l’étude des circuits microonde et logique à base de MESFET GaAs.Item Etude et conception d'un banc de décharge à barrière diélectrique (DBD)(Université d' Oum El Bouaghi, 2009) Bordji, Bachir; Sahli, SoumiaLe but du travail présenté dans ce mémoire consiste en la mise en oeuvre d'un banc de décharge à barrière diélectrique (DBD) en vue de son application pour le traitement de surface des films de polypropylène (PP) et ainsi l'amélioration de leur mouillabilité. Des mesures de l'angle de contact sur la surface de films de polypropylène ont été effectuées afin de mieux connaître l'évolution de la mouillabilité des films de polypropylène traités et comprendre les mécanismes produisant les modifications de surfaces. L'évolution de l'angle de contact en fonction des paramètres explorés montre l'existence d'une modification de la surface des films de PP traitées. L'analyse FTIR-ATR de la surface du polypropylène traitée par DBD a confirmé l'existence d'un changement de surface au niveau de leurs structures chimiques sous la forme de l'apparition de groupement chimiques hydroxyles et carbonyles (OH, et C=O). L'analyse des résultats expérimentaux issus des deux méthodes de caractérisation montre que le traitement de polypropylène par décharge à barrière diélectrique (DBD) dont le banc a été conçu et réalisée, conduit à une augmentation de l'énergie de surface et en conséquence à l'amélioration de la mouillabilité de la surface du film traitéItem Etude métallurgique et mécanique des soudures TIG hétérogène(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Bayou, Ghada; Boumenad, Karima; Goumeidane, FayçalLes aciers inoxydables ferritiques en générale, et la nuance ferritique AISI 430 en particulier, sont associés à de nombreux problèmes lors du procédé de soudage. Ces problèmes sont le grossissement des grains, à la fois dans la zone fondu (ZF) et celle affectée thermiquement (ZAT), et la formation de martensite au joints des grains au niveau de la zone fondu. Le grossissement des grains de la ferrite à haute température et la présence de martensite font que l’assemblage devient sensible à la rupture fragile. Cette étude, est une évaluation comparative entre des soudures TIG en acier inoxydable ferritique AISI 430, utilisant différents métaux d'apports, austénitiques (de types 308, 309 et 316) et austenito-ferritique (de type 2209). Alors l'objectif de cette étude est double, d'abord trouver le métal d’apport adéquat, ensuite optimiser les paramètres de soudage TIG continue et TIG pulsé. Les résultats obtenus indiquent que, la microstructure de solidification et les propriétés mécaniques des joints de soudures sont influencées par les paramètres de soudage et par le type du métal d'apport. Les résultats montrent également que l'utilisation du procédé de soudage TIG pulsé à basse fréquences, et le métal d'apport austénitique de type 308 conduit à des meilleures propriétés mécaniques.Item Fabrication et controle physico- chimique et microbiologique du sirop allertine 0.1 %(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Nasri, Saliha; Ababsa, Zine El AbidineNotre travail est une étude sur le procédé de fabrication et du contrôle du sirop ALLERTINE 0.1% produit au niveau de Saidal Constantine 2, son principe actif est le LORATADINE qui est un antihistaminique à usage systémique. Les antihistaminiques sont des médicaments qui protègent les cellules d’autres effets allergiques dus à l’Histamine, ils se lient aux récepteurs et les empêchent de fixer l’histamine. De ce fait, l’histamine ne peut plus causer de réaction chimique à l’intérieur des cellules. Les symptômes de l’allergie sont alors éliminés. Tous les résultats des contrôles du produit fini du sirop ALLERTINE 0.1% ont montré une conformité aux normes exigées par la pharmacopée européenne et le dossier technique du produit. Les valeurs obtenues de pH et de densité sont les deux dans les intervalles de tolérance mentionnés dans le dossier technique de notre sirop. L’identification et le dosage du principe actif ainsi que le conservateur via HPLC ont donné des résultats conformes aux normes de la pharmacopée européenne. Les tests microbiologiques ont prouvé l’absence totale : des germes aérobiques, les levures et les moisissures, ainsi que la souche bactérienne Escherichia coli.Item Les Lasers et leurs applications dans le domaine ophtalmologique(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Sahraoui, Khawla; Mahmoudi, Dounia; Cheddadi, AmelLe sujet que nous présentons dans ce mémoire porte sur l’étude des lasers et leurs applications dans le domaine ophtalmologique. En premier lieu nous présentons les caractéristiques des lasers ainsi que leur principe de fonctionnement. En second lieu nous étudiant les différents types de lasers classés selon la nature du milieu amplificateur : gazeux, liquide (colorant) ou solide. Pour finir nous présentons l’anatomie de l’œil Ainsi que l’utilisation des lasers dans le domaine ophtalmologique pour traitement des maladies oculaires, les lasers étudiés sont : le laser YAG, laser à Argon, laser Excimer, laser femtoseconde et le laser SLT.Item Mise au point et application d'une méthode MNDO adaptée à l'étude des spectres électroniques d'absorption (MNDO/S)(Houari Boumediene Alger, 1989) Beladas, Kenza; Maouche, BSans résumé