قسم الفيزياء

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Browsing قسم الفيزياء by Subject "Méthode itérative"

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    Modélisation bidimensionnelle de circuits actifs hyperfréquence
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Amri, Houda; Zaabat, M
    Circuits à ondes courtes sont les circuits QUI ont des fréquences élevées et exigent une grande précision à accomplir et il est donc nécessaire de réaliser plusieurs modèles pour les tester et de déterminer les actions initiales de chaque modèle et de la mise en place du programme d'étude globale, peut effectuer une étude de l'état général du circuit avant la fin, mais la méthode traditionnelle est basée sur l'augmentation statistiques sur les détails d'éléments douteux. C'est notre travail à l'étude de circuits planaires à de très hautes fréquences en utilisant façon numérique FMT -ci dépend de la définition de l'onde et est une méthode mise au point dans le laboratoire et le courrier ENSEEIHT Tatmdz à déterminer la relation entre les vagues et réfléchis et respecter les conditions aux limites et les relations de continuité dans le domaine de l'espace
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    Modélisation bidimensionnelle du transistor MESFET par une méthode itérative
    (Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2008) Ziar, Toufik; Mohammed Brahim, T.
    Dans ce mémoire, nous avons essayer de démontrer l'importance des simulateurs micro-ondes dans la l'industrie des circuits planaires actifs ( dans notre étude le circuit planaire actif est à base d'un transistor MESFET ), spécialement dans les étapes de conception, de modélisation et de recherche des caractéristiques optimales attendues du circuit une fois dans son environnement final. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels développés à partir des méthodes de caractérisation électromagnétiques globales, citons par exemple : a- les méthodes temporelles : FDTD (finité différence time Domain technique), FEDT (finité élément time Domain) et la TLM (transmission line méthode). a- les méthodes fréquentielles : la FE (finité élément) et la MOM (méthode of moment). Le premier chapitre présente l'état de l'art des transistors à effet de champ MESFET et des lignes micro ruban. Le deuxième chapitre introduit le concept de modélisation du transistor à effet de champ métal semi conducator MESFET par la présentation du modèle' Scholey et deux modèles empiriques ainsi que le modèle du circuit électrique équivalent. Le troisième chapitre présente une étude théorique détaillée de la méthode itérative avec sources auxiliaires localisées. Dans le quatrième chapitre, nous avons développer un logiciel en MATLAB pour simuler la structure du circuit planaire actif à base du transistor MESFET et par un changement de paramètres de la structure (dimensions, qualité du substrat, nombre de pixels par structure, largeur des micro ruban) ainsi que des paramètres de simulation( bande passante, nombre d'itérations) , nous avons tracé des courbes représentant l'influence de ces paramètres sur les caractéristiques du circuit étudié comme l'impédance d'entrée ,les coefficient de transmission et de réflexion, les distributions des densités des courant électrique et de champ électrique à l'interface du circuit.