قسم الفيزياء
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Item Contribution à l'étude de la barrière Schottky à base de sulfure de cadmium CDS(Houari Boumediene Alger, 1989) Benarab Mehenni, Nacéra; Mahdjoubi, LSans résuméItem Mise au point et application d'une méthode MNDO adaptée à l'étude des spectres électroniques d'absorption (MNDO/S)(Houari Boumediene Alger, 1989) Beladas, Kenza; Maouche, BSans résuméItem Contribution à l'étude de la densité de la matière nucléaire(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Houamer, Salim; Fellah, MohamedItem Contribution à l'étude du paramètre du réseau de la solution solide cuivre-nickel(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Allili, Baya; Kadi-Hanifi, MouhyddineSans résuméItem Caractérisation diélectrique de réaction de polymérisation(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Cherif Djouama, Torkia; Soualmia, AssiaSans résuméItem دراسة النظم العازلة المتعددة الطبقات من أجل تطبيقات في الإلكترونات الضوئية(جامعة العربي بن مهيدي أم البواقي, 2004) بوشوارب، وردة; محجوب، عبد الحكيمالجمل المتعددة الطبقات العازلة لها أهمية كبيرة في تطبيقات الإلكترونيات الضوئية، حيث تطرقنا إلى البعض منها كمرايا براغ والمرشحات الصوتية والأغطية المضادة للانعكاس باستعمال مادتي أكسيد السيليسيوم SiO2 وأكسيد التيتانيوم TIO2على مساند من ميليسيوم Si وزجاج. الهدف المحدد لهذا العمل هـو تحقيق نماذج نظرية لتشبيه الاستجابة الضوئية للجمل المدروسة والتي تسمح بالتوصل إلى تجويد إمكانياتما قبل الشروع في إنجازها. النماذج ترتكز على نظرية الأوساط المتعددة الطبقات التي تسمح بـحساب عامل الانعكاس من أجل مختلف الجمل المتعددة الطبقات العازلة. بالإضافة إلى توصلنا لطبقات متدرجة القرينة التي يمكنها تعويض النظم الكلاسيكية ذات قفز القرينة بالنوعية نفسها تفاديا للأسطح الفاصلة وترسيبها يتم على مرحلة واحدة. وفد سـمحت لنا النماذج باستعمال طرق رياضية بسيطة بدراسة جمل متعددة الطبقات معقدة يالاستعمالات الإلكترونيات الضوئية وتوصلنا إلى تحمين نوعيتها.Item خرق التناظر CP في النموذج المعياري غير التبديلي(جامعة العربي بن مهيدي أم البواقي, 2006) بوبعة، إدريس; مباركي، نور الدينفي هذه المذكرة قمنا بدراسة خرق التناظر في النموذج المعياري غير التبديلي من أجل الإختلاط وذلك من خلال الوسيط حيث إستعملنا في حسابه التعديل البعدي،وخلصنا في الأخير إلى أن منبع خرق التناظر هو الزمان-مكان غير التبديلي و تبين أن منبع خرق التناظر يرجع إلى الوسيط غير التبديلي.Item Contribution à l'étude des propriétés statiques du mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Hamma, Issam; Saidi, YPour la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés, il est nécessaire d'établir des modèles théoriques simples qui tiennent compte de tous les effets qui ont lieu au niveau de l'élément constitutif de ces circuits qui est le MESFET GaAs. Dans ce mémoire, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant - tension (I-V), d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de Gallium Dans ce mémoire nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courantes tensions I-V d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'Arséniure de Gallium dit MESFET GaAs, qui joue un rôle primordial dans la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs qui aura lieu dans la première partie, Une étude analytique des caractéristiques statiques du composant en se basant sur l'approximation de la zone de déplétion graduelle dépourvue de porteurs libre avec un canal de dopage uniforme en prenant compte l'influence des paramètres physiques et géométriques, ainsi l'effet de mobilité et des éléments parasites. L'influence de la température sur le comportement du MESFET GaAs. Les résultats obtenus permettent de déterminer les propriétés du courant sous l'effet des paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue d'une application d'amplification en puissance micro-ondes. Un compromis est déterminé entre les différents paramètres ainsi que le choix d'une loi de mobilité valable pour GaAs. Ces résultats permettent la mise au point de géométries du composant adaptées à des utilisations spécifiques et seront d'un grand apport pour la conception assistée par ordinateur des circuits micro-ondesItem Phénomène de transport dans les semi-conducteurs(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Djebbari, Nehla; Saidi, YDans ce travail, nous avons fait l'étude du phénomène de transport dans les semi-conducteurs. On s'est intéressé en particulier aux phénomènes de transports polarisés des spins. Une étude théorique et numérique a été réalisée dans le cas d'un dispositif appelé transistor spin-FET où il a été question de mettre en évidence ce type de transport. Ainsi donc en se basant sur des récentes études sur les contacts ferromagnétique- semi-conducteur, on a pu étudier la transconductance de ce transistor analogue au transistor de type HEMT dans lequel on remplace les zones de contacts de source et de drain par des contacts ferromagnétiques. Le contact de source joue le rôle de polariseur de spin pour les électrons injectés dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain est un analyseur de spin pour les électrons parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des électrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de le contrôler, grâce à la tension de grille. Cette étude a été couronnée par une analyse numérique en fonction du champ extérieur et des caractéristiques internes du semi-conducteurItem Effet des éléments d'addition sur la microstructure des alliages ALMgSi(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Farh, Hichem; Guemini, RebaiLa présente étude est faite sur les alliages AlMgSi faisant partie de la classe des alliages à durcissement par précipitation. Ce travail a pour but essentiel de l’étude de l’influence des éléments d’addition, en particulier le cuivre, le fer et l’excès de silicium, sur la microstructure et les propriétés mécaniques des alliages AlMgSi Différentes techniques ont été utilisées à cet égard pour le suivi de l’évolution microstructurale et des propriétés mécaniques lors des différents traitements thermiques. Nous avons utilisé principalement la microscopie optique, la microscopie électronique à balayage couplé à un système (EDAX), la microdureté, l’analyse calorimétrique différentielle (DSC) et la diffraction des rayons X (DRX). Les résultats que nous avons obtenus concernent essentiellement la séquence des stades d’évolution structurale des alliages étudiés en fonction des différents traitements et de la température de vieillissement, après l’obtention de la solution solide AlMgSi sursaturée. L’effet des éléments d’addition tel que le cuivre, le fer et l’excès de silicium sur le comportement microstructurale a été aussi étudié. L’addition du cuivre aux alliages d’AlMgSi affine la taille des grains et contribue à la formation de la phase Q et augmente les propriétés mécaniques. L'addition du cuivre augmente l'énergie d'activation. L'énergie d'activation la plus basse est observée dans le cas de l'alliage avec excès de siliciumItem Modélisation bidimensionnelle du transistor MESFET par une méthode itérative(Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2008) Ziar, Toufik; Mohammed Brahim, T.Dans ce mémoire, nous avons essayer de démontrer l'importance des simulateurs micro-ondes dans la l'industrie des circuits planaires actifs ( dans notre étude le circuit planaire actif est à base d'un transistor MESFET ), spécialement dans les étapes de conception, de modélisation et de recherche des caractéristiques optimales attendues du circuit une fois dans son environnement final. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels développés à partir des méthodes de caractérisation électromagnétiques globales, citons par exemple : a- les méthodes temporelles : FDTD (finité différence time Domain technique), FEDT (finité élément time Domain) et la TLM (transmission line méthode). a- les méthodes fréquentielles : la FE (finité élément) et la MOM (méthode of moment). Le premier chapitre présente l'état de l'art des transistors à effet de champ MESFET et des lignes micro ruban. Le deuxième chapitre introduit le concept de modélisation du transistor à effet de champ métal semi conducator MESFET par la présentation du modèle' Scholey et deux modèles empiriques ainsi que le modèle du circuit électrique équivalent. Le troisième chapitre présente une étude théorique détaillée de la méthode itérative avec sources auxiliaires localisées. Dans le quatrième chapitre, nous avons développer un logiciel en MATLAB pour simuler la structure du circuit planaire actif à base du transistor MESFET et par un changement de paramètres de la structure (dimensions, qualité du substrat, nombre de pixels par structure, largeur des micro ruban) ainsi que des paramètres de simulation( bande passante, nombre d'itérations) , nous avons tracé des courbes représentant l'influence de ces paramètres sur les caractéristiques du circuit étudié comme l'impédance d'entrée ,les coefficient de transmission et de réflexion, les distributions des densités des courant électrique et de champ électrique à l'interface du circuit.Item Modélisation bidimensionnelle de circuits actifs hyperfréquence(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Amri, Houda; Zaabat, MCircuits à ondes courtes sont les circuits QUI ont des fréquences élevées et exigent une grande précision à accomplir et il est donc nécessaire de réaliser plusieurs modèles pour les tester et de déterminer les actions initiales de chaque modèle et de la mise en place du programme d'étude globale, peut effectuer une étude de l'état général du circuit avant la fin, mais la méthode traditionnelle est basée sur l'augmentation statistiques sur les détails d'éléments douteux. C'est notre travail à l'étude de circuits planaires à de très hautes fréquences en utilisant façon numérique FMT -ci dépend de la définition de l'onde et est une méthode mise au point dans le laboratoire et le courrier ENSEEIHT Tatmdz à déterminer la relation entre les vagues et réfléchis et respecter les conditions aux limites et les relations de continuité dans le domaine de l'espaceItem Etude et conception d'un banc de décharge à barrière diélectrique (DBD)(Université d' Oum El Bouaghi, 2009) Bordji, Bachir; Sahli, SoumiaLe but du travail présenté dans ce mémoire consiste en la mise en oeuvre d'un banc de décharge à barrière diélectrique (DBD) en vue de son application pour le traitement de surface des films de polypropylène (PP) et ainsi l'amélioration de leur mouillabilité. Des mesures de l'angle de contact sur la surface de films de polypropylène ont été effectuées afin de mieux connaître l'évolution de la mouillabilité des films de polypropylène traités et comprendre les mécanismes produisant les modifications de surfaces. L'évolution de l'angle de contact en fonction des paramètres explorés montre l'existence d'une modification de la surface des films de PP traitées. L'analyse FTIR-ATR de la surface du polypropylène traitée par DBD a confirmé l'existence d'un changement de surface au niveau de leurs structures chimiques sous la forme de l'apparition de groupement chimiques hydroxyles et carbonyles (OH, et C=O). L'analyse des résultats expérimentaux issus des deux méthodes de caractérisation montre que le traitement de polypropylène par décharge à barrière diélectrique (DBD) dont le banc a été conçu et réalisée, conduit à une augmentation de l'énergie de surface et en conséquence à l'amélioration de la mouillabilité de la surface du film traitéItem Etude de transport de spin polarisé dans les semi conducteurs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Khenchoul, Salah; Boudine, Aans cette thèse nous avons fait une étude bidimensionnelle de phénomène de transport de spin polarisé dans les semi-conducteurs. Une étude théorique et numérique a été réalisée dans le cas d'un dispositif appelé transistor spin FET où il a été question de mettre en évidence ce type de transport. Ainsi donc en se basant sur des récentes études sur les contacts ferromagnétique semi-conducteur, on a pu étudie la transconductance de ce transistor qui s'agit d'un transistor de type HEMT dans lequel on remplace la source et le drain par des contacts ferromagnétique. Le contact de source joue le rôle de polariseur de spin pour les électrons injectés dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain est analyseur de spin pour ceux parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des électrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de le contrôler, grâce à la tension de grille. Cette étude a été couronnée par une analyse numérique en fonction du champ extérieur et des caractéristiques internes du semi-conducteurItem Utilisation de la méthode non linéaire pour la caractérisation du Moseft(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Zemmal, Badr Eddine; Zaabat, ML'industrie des circuits intégrés est actuellement basée sur la réduction des dimensions des dispositifs électroniques actifs tels que les transistors à effet de champ MOSFETs. On peut améliorer les paramètres physiques et géométriques du composant tel que le profil de dopage de la zone active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur du canal afin d'obtenir des performances élevées. Au début de la présentation, on présente la famille des différents transistors à effet de champ et on montre les avantages pour l'utilisation en hyperfréquence. Les propriétés physiques des semi conducteurs telles que l'énergie de bande interdite, la densité de porteurs intrinsèques, la mobilité et la vitesse des porteurs et le champ de claquage seront abordées dans la présente étude .Cette partie sera clôturée par la présentation du transistor MOSFET et de son principe de fonctionnement L'étude des propriétés statiques du composant MOSFET, nous a conduits à définir l'ensemble des équations régissant le comportement de la zone active, et d'identifier les paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor. Finalement, on doit vérifier la validité des différents résultats obtenus dans l'étude théorique par la simulation des paramètres dominants caractérisant ce composantItem Caractérisations bidimensionnelles du transistor à effet de champ Mesfet GAAS(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Hafnaoui, Hakima; Saidi, YNous ne reviendrons pas sur le but de notre travail et l'étude des caractéristiques bidimensionnelles du MESFET GaAs dans ce but on a résolu une équation aux dérivées partielles du second ordre à deux variables indépendantes c'est l'équation de poisson qui régissent le fonctionnement du transistor MESFET. Les méthodes de résolution qu'on a utilisé sont basées sur les approximations numériques des fonctions inconnues par : - Méthode de perturbation - Méthodes des différences finies. les résultats obtenus qui ont été rappelés dans dernier chapitre montre que dans les deux méthodes ce régime linéaire, c'est à dire à faible tension de polarisation de drain, nous remarquons un bon accord entre les valeurs expérimentales et celles de la simulation et lorsque la tension de drain augmente et devient plus importante nous remarquons que dans la méthode des différences finies seulement un certain écart entre les valeurs expérimentales et les résultats de la simulation qui augmente au fur et à mesure jusqu'à la saturation. Cet écart est principalement dû aux approximations faites soit dans le modèle mathématique et dans le logiciel de simulation, à l'effet des paramètres géométriques, ainsi qu'à l'existence des phénomènes quantiques parasites que nous ne n'avons pas pris en considération (négligence du courant dans la zone de charge d'espace). Finalement, la possibilité de réduire encore dans le futur les dimensions des composants électroniques nous semble dépendre au moins autant de la maîtrise de la technologie de réalisation de ces composants que de la possibilité de bien contrôler l'ensemble des phénomènes associés aux propriétés du composant MESFET GaAsItem Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Marki, Rebiha; Azizi, CherifaL'amélioration des composants électroniques nécessite beaucoup d'efforts au niveau de la conception, de la fabrication que de la caractérisation. Dans ce cadre, la modélisation prouve son utilité en permettant de prévoir les caractéristiques des composants avant la réalisation et par la suite réduire le coût de fabrication. Dans le premier chapitre, nous avons détaillé la structure du MESFET GaAs ainsi que son principe de fonctionnement. Dans le second chapitre, On a étudié un modèle analytiquement dans le but déterminer les caractéristiques statiques du composant en tenant compte des paramètres physiques et géométriques, ainsi que l'effet de la mobilité et des éléments parasites. Dans le dernier chapitre, on a vérifié la validité des différents résultats obtenus. Les paramètres importants qui définissent le MESFET GaAs sont établis et simulésItem Etude des propriétés des transistors à effet de champ Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Cheriet, Abderrahmane; Azizi, CherifaLe travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à barrière schottky à l’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode schottky et du matériau semi-conducteur l’arsenuire de gallium GaAs nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composant a effet de champ à base de GaAs (MESFET, HFET, HEMT, PHEMT et PPHEMT). Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations énérales régissant le comportement de la zone active, ainsi que l’effet des éléments parasites et des paramètres physique spécifiques à ce composant. Enfin,nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytique obtenues précédemment, Les résultats obtenus sont présentes, discutés et compares avec ceux l'expérience existante dans la littérature. Mots cIés : - Diode Schottky - Transistor à effet de champ - MESFET GaAsItem Comparaison des modèles non linéaire I-V du transistor Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Filali, Anissa; Zaabat, MDans ce travail nous présentons une comparaison des deux modèles non linéaires du transistor MESFET GaAs utilisés dans la littérature avec le modèle standard. D'abord, nous avons présenté la famille des différents composants actifs et qui utilisent les techniques CAO pour modéliser ces caractéristiques. C'est dans ce cadre, nous avons étudié les propriétés physiques de l'arséniure de gallium et du contact Schottky de grille. Ensuite, nous exposons un rappel de la structure du composant MESFET et son principe de fonctionnement ainsi les phénomènes physiques qui régissent ses performances. Enfin, nous présentons une étude des propriétés statiques du MESFET GaAs pour décrire le comportement de la zone active tel que le courant de drain, l'expression de la transconductance, la conductance et la capacité, ainsi que les propriétés statiques des deux modèles non linéaires que nous avons adopté. Nos résultats obtenus ont été discutés et comparés avec celle de l'expérimentalItem Elaboration de couches minces d'oxyde de zinc par pulvérisation pyrolytique destinées à des applications optoélectroniques(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Allouane, Dalila; Hadjéris, LazharLe travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit Mesfet GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode Schottky et du matériau semi-conducteur l'arséniure de gallium GaAs nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composant a effet de champ à base de GaAs (Mesfet, Hfet, Hemt, Phemt et Pphemt). Par la suite, l'étude des propriétés statiques du composant Mesfet nous a conduit à définir le système d'équations générales régissant le comportement de la zone active, ainsi que l'effet des éléments parasites et des paramètres physique spécifiques à ce composant. Enfin, nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytique obtenues précédemment, Les résultats obtenus sont présentes, discutés et compares avec ceux l'expérience existante dans la littérature