قسم الفيزياء
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Item Effet de l'excès de silicium sur les propriétés mécaniques d'aluminium almgsi(Université Oum El Bouaghi, 2011) Hamzaoui, Samia; Guemini, RebaiDans le cadre de ce travail, nous sommes intéressés plus particulièrement à l'influence d'un excès de silicium sur l'évolution de la microstructure et des propriétés mécaniques des alliages AlMgSi, sous forme de tôles. Ce type d'alliages à durcissement structural est très demandé dans l'industrie automobile. Pour la caractérisation de ces échantillons nous avons utilisé différentes techniques expérimentales telles que la calorimétrique différentielle à balayage (DSC) La micro dureté et la microscopie optique. Les réactions de transformations de phases sont très influencées par l'addition d'une faible teneur de cuivre sur la stabilité microstructurale et les propriétés mécaniques des alliages AlMgSi. L'excès du silicium accélère le processus de précipitation et améliore les propriétés mécaniques.Item Transport dans les semi-conducteurs(Université Oum El Bouaghi, 2011) Zarik, Abderrazzek; Boudine, AzzedineDans ce travail on s'est intéressée au transport électronique dans les semi-conducteurs. Sachant que la totalité des dispositifs électronique que eu matériaux semi conducteur sont basés sur un signal d'entrée et un signal de sortie caractérisant ce dispositifs de transport eu électrons ou eu trous joue un rôle primordial dans cette caractérisation de phénomène de diffusion de drift et l’équation de Boltzmann permettent de caractériser les courants, la mobilité et mettre en évidence l'effet Hall dans les semi-conducteursItem Etude bidimensionnelle du MESFET en utilisant la technique de fonction de green(Université Oum El Bouaghi, 2011) Khoualdi, Nadjet; Zaabat, MouradDans ce mémoire nous avons essayé de déterminer la limite bidimensionnelle de la zone dépeuplée d'un transistor à effet de champ, et pour déterminer les caractéristique des MESFET en utilisant le modèle de CURTICE. Dans le premier chapitre, nous avons présenté les transistors à effet de champ MESFE Dans le deuxième chapitre nous avons introduit la fonction de Green et le modèle de CURTICE pour déterminer la limite de la zone dépeuplée et leurs caractéristiques Dans le troisième chapitre, nous avons développé un logiciel pour étudier les caractéristiques du MESFET. En changeant les paramètres de la structure. Nous avons tracé des courbes représentant le profil de la zone dépeuplée, le potentiel, les caractéristiques IV courant tension, l'effet des résistances parasites sur les caractéristiques courant drain, la transconductance en fonction de tension de la grille, la conductance en fonction de tension de drain, la capacité de la grille en fonction de tension de grille du transistor à effet de champ.Item Effet de la température sur les propriétés statistiques du composant actif effet de champ mesfet gaas(Université Oum El Bouaghi, 2011) Khial, Aicha; Azizi, CherifaDans les sciences de l'information tell que l'informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d'images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Dans ce travail, nous avons présenté tout d'abord le matériau de l'arséniure de gallium en précisant ces propriétés électriques et celles de transport. En suite, Nous nous sommes intéressés aux caractéristiques de la diode Schottky. Un modèle des caractéristiques statique courant- tension I-V du MESFET GaAs a été obtenu pour diverses températures de fonctionnement. Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytiques que nous avons établies précédemment. Les résultats originaux obtenus sont interprétésItem تحضير ودراسة المواد الحرارية المشكلة أساسا من الميليت وزيركونيا(جامعة أم البواقي, 2011) بن عبود, أحلام; مسيف, عبلةتعتبر المواد الحرار ةٌ من أهم المواد المستعملة ف الصناعة بصفة عامة، و بصورة خاصة تلك المقاومة للتآكل في الأوساط القلو يةٌ عند درجات الحرارة المرتفعة و للصدم الحراري. إنطلاقا من ذلك قمنا بإضافة مسحوق أكسيد الزركونيو م إلى مادة خزفية أوليٌة محليٌة، ذات طابع كاولينيني ممية (الهالوزا يتٌ)، بغرض الحصول على الميليث و سيليكٌات الزركونيوٌم(الزركون) التي تعتبر من بينٌ المواد المشار إليهٌا سابقا. تتبع تشكل و تطور مختل. الأطوار الناتجة أثناء المعالجة الحرار ةٌ بواسطة إنعراج الأشعة السّينٌيٌه سمح لنا بتع نٌٌ العوامل المسؤولة عن تحول الز رٌكونيا (ZrO2 ) إلى الزركون( ZrSiO4 ). لقد تبينٌ أن تشكل الزركون يكٌون عند درجات حرارة أعلى من 1150°C ، و أن وجود العناصر القلو يةٌ (الشوابب) مثل K, Fe, Ca و Mn سٌاعد على تشكل الأطوار الميليتٌ و الزركون(. الآليٌة المقترحة في هذا التحول هي آليةٌ التفاعل بينٌ الكر يسٌتوباليتٌ، أكسيدٌ الزركونيوٌم و التدفق اللزج. في الأخيرٌ تبينٌّ أننا تحصلنا على مادة خزفيةٌ مشكلة من الميلٌيتٌ و الزركون و بنسبة فراغات تصل إلى 33 % من أجل الخليطٌ المعالج حراريا عند 1400°C لمدة ساعتينٌ و المكون من 38 % من أكسيدٌ الزركونيوٌم و 62 % من المادة الخزفيةٌ DD3Item L'approche quantique du transistor mosfet(Université Oum El Bouaghi, 2011) Siouane, Wafa; Zaabat, MouradL’industrie des circuit intégrés est actuellement basée sur la réduction des démentions des dispositifs électroniques actifs tels que les transistors à effet de champ MOSFETs . On peut améliorer les paramètres physiques et géométriques du composant tel que le profil de dopage de la zone active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur de canal afin d’obtenir des performances élevées. Au début de la présentation, on présente la famille des différents transistors à effet de champ, Ainsi les propriétés physiques des semi conducteurs telles que l’énergie de bande interdite, le champ critique, la densité de porteurs intrinsèques, la mobilité et la vitesse des porteurs seront abordées dans la présente étude .Cette partie sera clôturée par la présentation Du transistor MOSFET et de son principe de fonctionnement. L’étude des propriétés statiques du composant MOSFET, nous conduit à définir l’ensemble des équations régissant le comportement de la zone active.et d’identifier les paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor. Finalement, on doit vérifier la validité des différents résultats obtenus dans l’étude théorique par la simulation des paramètres dominants caractérisant ce composant.Item Effet de la mobilité des porteurs sur les propriétés statistiques du transistor mesfet gaas(Université Oum El Bouaghi, 2011) Boukandoura, Fouzia; Azizi, CherifaDans les sciences de l'information, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Aussi nous nous sommes intéresses, dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs. C'est dans ce cadre que nous avons présenté la famille des différents transistors à effet de champ. Aussi nous avons présenté les propriétés physiques et électriques du GaAs et du contact Schottky, pour finir avec la présentation du transistor MESFET et de son principe de fonctionnement. Par la suite, l'étude des propriétés statiques du composant MESFET. a été effectué en tenant compte des différentes lois de mobilité des porteurs de charges, dans la zone active, en fonction du champ électrique, à la température ambiante.Item Spintronique(Université Oum El Bouaghi, 2011) Lamri, Rabeh; Boudine, AzzedineDans ce mémoire on s'est intéressé sur la notion du transport de spin et le spintronique. Après une introduction générale sur les semi-conducteurs et leurs caractéristiques, on c'est intéressé à la notion de la spintronique et les phénomènes régissant les transports en spin. Comme application en a repris l'étude à une dimension d'un transistor spin FET.Item Contribution à l'étude microstructurale des alliages d'aluminium aImgsi(Université Oum El Bouaghi, 2011) Yahi, Sihem; Guemini, RebaiUtilisation privilégiée dans l'industrie automobile et aéronautique. Ce travail a pour but essentiel de l'étude de l'influence des éléments d'addition, en particulier le cuivre sur la microstructure et les propriétés mécaniques des alliages AlMgSi. Différentes techniques expérimentales ont été utilisées à cet égard pour suivre l'évolution de la microstructure et l'effet des éléments d'addition et plus particulièrement le cuivre sur les propriétés mécaniques lors des différents traitements thermiques. Nous avons utilisé principalement la microscopie optique, la micro dureté, l'analyse calorimétrique différentielle (DSC). La cinétique de précipitation dans alliages est suivie principalement par l'analyse calorimétrique différentielle (DSC). L'effet des éléments d'addition tel que le cuivre, sur le comportement microstructurale a été aussi étudié. L'addition du cuivre aux alliages d'AlMgSi affine la taille des grains et augmente les propriétés mécaniques.Item Influence des paramètres de dépôt sur les propriétés de sulfure de cadmium CdS déposé par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2012) Terbak, Samira; Moualkia, HassibaCe travail de recherche porte sur l'élaboration et la caractérisation des couches minces de sulfure de cadmium (CdS) préparées par bain chimique. Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l'effet de temps de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces de CdS. Les films du CdS ont une Hexagonale le long de plan (002) C. les caractéristiques de la morphologie observée pour les films indiquent que les couches sont formées par des réactions ioniques en surface. Les films ont une transmit tance qui dépasse 60% dans le visible. Le gap de la bande interdite varie entre 2.37 et 2.43 EV et l'énergie d'Urbach varie entre 173 et 590 mev.Item Caractérisation des couches minces d'oxymitrures de silicium par ellipsométrie spectroscopique(Université Oum El Bouaghi, 2012) Benzitouni, Sara; Mahdjoub, AbdelhakimCe travail s'inscrit dans le cadre de l'étude de couches minces d'oxynitrures de silicium élaboré par la technique de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression LPCVD. Les films déposés sont caractérisés optiquement par ellipsométrie spectroscopique, l'accès à leurs informations n'est pas direct mais passe par une analyse mathématique traduite en programme permettant de modéliser les systèmes optiques des films. La modélisation sera basée sur la théorie matricielle des milieux stratifiés en utilisant l'approximation des milieux effectifs de Bruggeman, et en considérant le matériau comme un mélange hétérogène binaire de silice, et de nitrure de silicium. L'ajustement entre les spectres expérimentaux et théoriques va nous permettre de déduire l'épaisseur et les indices optiques des films SiOxNy déposés. Les différents résultats obtenus par l'analyse numérique seront interprétés. La caractérisation par ellipsométrie montre que l'indice de réfraction de SiOxNy augmente lorsque la fraction volumique de SiO2 diminue. L'étude montre aussi que l'erreur diminue si nos films sont modélisés en plusieurs couches, ce qui traduit qu'ils sont inhomogènes en profondeur.Item Etude des propriétés de couches minces du sulfure de cadmiun déposées par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2012) Laouadi, Nour El Houda; Moualkia, HassibaCe travail de recherche porte sur l'elaboration et la caracterisation des couches minces de sulfure de cadmium (CdS) preparees par bain chimique. Notre objectif est de donner une étude comprehensive sur l'effet de temps de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces de CdS. Les films du CdS ont une structure cubique le long de plan (111) C. Les caractéristiques de la morphologie observée pour les films indiquent que les couches sont formées par des réactions ioniques en surface. Les films ont une transmittance qui dépasse 60% dans le visible. Les propriétés électriques montrent que la R varie entre 108 et 109.Item Etude des revêtements antireflet pour des cellules solaires à base de silicium(Université Oum El Bouaghi, 2012) Zerafa, Khadidja; Mahdjoub, AbdelhakimDans la fabrication des cellules photovoltaïques la majorité des matériaux utilisés ont des indices de réfraction élevés, donc un facteur de réflexion très élevé, introduisant des pertes du rendement d'une cellule photovoltaïque par la réflexion. Pour diminuer ces pertes, il faut recouvrir ces cellules par des revêtements antireflets (RAR) réalisés par différents méthodes. Ce travail a permis la réalisation de programmes de simulation permettant de réduire les pertes due à la réflexion et d'optimiser les performances du RAR déposé. Le type du RAR utilisé est un RAR à base d'oxynitrure. Ce matériau présente des propriétés mécaniques et optiques intéressantes. Il est déposé sur la surface d'un substrat de silicium par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapeur Déposition) à basse température. Le meilleur résultat obtenu pour ce type du RAR est la diminution de la réflectivité moyenne pondérée à moins de 7%.Item Elaboration par spray pyrolyse et caractérisations structurales de couches minces d'oxyde de zinc(2012) Boussafeur, Moufida; Hadjéris, LazharDans ce travail, nous avons élaboré plusieurs couches minces d'oxyde de zinc (ZnO) par la technique de spray pyrolyse sur des substrats en verre, avec différentes conditions de dépôt (distance bec-substrat, température de dépôt, molarité de la solution). Nous avons étudié les propriétés optiques de ces couches par spectrophotométrie UV-Visible, leurs propriétés structurales par la DRX et leurs propriétés électriques par la technique des quatre pointes. L'oxyde de zinc (ZnO) présente beaucoup d'intérêt car c'est un matériau binaire ayant de bonnes propriétés optoélectroniques. Il est à la fois transparent et conducteur. C'est un semi-conducteur à large gap direct (3,3eV). La technique de spray pyrolyse est une technique simple facile à mettre en oeuvre et économique. Des couches minces de ZnO trouvent plusieurs applications telles que les cellules solaires, capteurs à gaz, capteurs piézoélectrique, etc. Ces raisons suffisent à mettre en évidence l'intérêt du sujet. Nous avons analysé des spectres de transmit tance à partir desquels nous avons calculé la vitesse de croissance, déduit les indices de réfraction, les valeurs du gap optique et du paramètre d'Urbach. A partir les diffractogrammes de DRX nous avons déduit la structure des couches et calculé la taille estimée des grains.Item Simulation numérique de la charge totale de semi-conducteur dans une structure MOS(Université Oum El Bouaghi, 2013) Hachemi, Kaoutar Kenza; Guergouri, KamelCe travail est présente en trois chapitres : le premier a été consacre à la présentation d'une bibliographie relative à quelques aspects nécessaires à la compréhension de l'étude entreprise dans ce travail. Le deuxième chapitre présente la méthode numérique ayant servi à la simulation QSC V en fonction de différents paramètres de fabrication de structures MOS à base de silicium et d'oxyde de silicium, qui est en l'occurrence le logiciel MATLAB. Le troisième chapitre est consacre à la présentation des résultats de la simulation numérique. Un nombre assez appréciable de résultats ont été trouvés, dont les plus importants sont : - la non aptitude de la structure MOS à l'¦utilisation à basse température - le seuil a été détermine et a été trouve égal a 200K. A plus haute température T >300K la structure se comporte plutôt bien. On a également trouve que la température ne change pas les caractéristiques de la désertion de manière significative et que le bon fonctionnement de la structure MOS est lie a un seuil de dopage, qui est dans notre cas (Na ou Nd) = 1021m-3 et en fin on a intérêt a avoir la plus petite couche d'oxyde qui puisse être obtenue technologiquement. L'étude de l'effet du type de matériau se réduit à un simple changement de signe pour les charges et les tensions, et un remplacement de Na par Nd.Item دراسة إستقرار وبعض الخضائص للمركبات الحرارية ذات الأساس ميليت زركون 3AL2O3.2SiO2/ZrSiO4(جامعة أم البواقي, 2013) علاق, السعيد; مسيف, عبلةيهتم هذا العمل بدراسة إضافة مسحوق أكسيد الزركونيوم إلى المواد الخزفية الأولية المطية (DD3)هر ومعالجتها عند درجات حرارة عالية بغية الحصول على مواد مشكلة من الميليت والزركون وحالية من أكسيد الميليسيوم نظرا لما يشكله هذا الأخير من عوائق فيما يضن الخصائص الميكانيكية و الكيميائية. تتبعنا مختلفا مراحل التلبيد سواء بالتحليل بواسطةDRX و MEB ممالمزود ب EDX حيث سمج لنا بمراقبة تشكل الزركون الذي وبدأ عند برجات حررة أعلى من C1150 وينتهي عئد C1400 ويتفكك عند حواليC1550 من اجل إضافة قدرهاZro238%0 في الدراسة الفيزيائية إعتمدنا على مبدأ دافعة أرخميدس، حيث تبين أن نسبة الفراغات المفتوحة المتشكلة في المواد الخزفية المحضرة تتزايد مع نسبة الزركونيوم المضاف وهذا بالنسبة للإضافات الأعلى من 20 % وزنا. يمكن ادجاع ذلك إلى انخفاض كمية التدفق الزجاجي الراجع إلى انخفاض نسبة مادة الكاولان المضافة. أما بالسمة للدراسة الميكانيكية و الترموميكانيكية فتمت بقياس الإجهاد 1لأعظمي للإنكسار. وجد أن هذا الأخير يترايد مع زيادة سبة Zro2 المضاف و أن المواد ذات نسبة الفراغات العالية لها مقاومة معتبرة للصدم الحراري سواء في الماء أو الهواء.Item Etude des propriétés optiques du réflecteur arrière à base d'oxyde de nitrure de silicium déposé sur la face arrière des cellules solaires en silicium(Université Oum El Bouaghi, 2013) Bouhafra, Nadia; Remache, LouardiPour diminuer les pertes du rendement de cellule PV par la réflexion, il faut optimiser des revêtements antireflets (RAR) avec le dépôt sur la surface d'un substrat, à base d'oxyde et nitrure de silicium par PECVD. Les résultats de calcul avec le modèle utilisé ont montré que l'oxyde de silicium donne le meilleur résultat en réflectivité interne (95.18%), comparé à la couche de nitrure qui ne dépassait pas la valeur (92.12%). Le meilleur résultat obtenu pour ce type de RAR est maximisé la réflectivité interne a 16, 55% dans la tri couche SiO/SiN/SiO.Item Effet du dosage sur les propriétés de films minces du dioxyde de titane obtenus par le procédé sol-gel(Université Oum El Bouaghi, 2013) Guemini, Meryem; Latrous, KhelilLa présence d'éléments étrangers dans la matrice du dioxyde de titane semble repousser vers les hautes températures la cristallisation du matériau amorphe et ce d'autant plus que la concentration est grande. De plus, la température de transformation de l'anatase en rutile est retardée, si bien que l'anatase a été stabilisée pour une température de 900°C pour un dopage élevé en Ce3+. En outre, l'augmentation de la concentration en éléments étrangers dans la matrice de TiO2 décaler les seuils d'absorption vers l'ultra violet, augmentant ainsi le gap de ces films. Ainsi ce seuil est abaissé d'une vingtaine (20 nm). Les effets du dopage sont beaucoup plus marqués pour des dopages par des éléments des terres rares (Ce3+ et Eu3+.) que pour un dopage avec un élément de transition (Al3+).Item Elaboration par spray pyrolyse et caractérisation de couches minces d'oxydes transparents et conducteurs(Université Oum El Bouaghi, 2013) Labdaoui, Ines; Hadjéris, LazharLa technique de spray ultrasonique est une technique simple, facile a mettre en oeuvre et économique .Dans ce travail, nous avons élabore plusieurs séries de couches minces de ZnO par spray pyrolyse ultrasonique sur des substrats en verre avec différentes conditions de dépôt.(concentration de la solution et temps dépôt). Le diagramme de diffraction des rayons X indique que les films obtenus sont poly cristallins avec une structure formée d.une seule phase hexagonale de type wurtzite. La taille des grains a été calculée. Les caractérisations optiques des films ont été réalisées par spectrophotométrie UV-Visible. L'analyse des spectres de transmit tance montre qu.il est possible d'obtenir des couches minces de ZnO transparentes dans la région du visible avec un gap optique dévirons 3.3 eV. Les valeurs du paramètre d'Urbach, lie au désordre et aux défauts existants dans le matériau a été déterminéeItem Transistor modfet HEMT influence de la température et la mobilité(Université Oum El Bouaghi, 2013) Hariza, Sofiane; Guergouri, KamelNotre travail est une contribution à l'étude de l'effet des paramètres : température, la mobilité des porteurs de charges, le courant caractéristique Id = f(VG) par une approche numérique, la relation algébrique n'étant pas disponible. Ce travail est présenté en trois chapitres : le premier a été consacré à la présentation d'une bibliographie relative à quelques aspects nécessaires à la compréhension de l'étude entreprise dans ce travail le deuxième chapitre présente les équations et simulation numérique la méthode numérique ayant servi à la simulation ( ) G Ns V en fonction de différents paramètres de fabrication de structures MODFET à base de GaAs, qui est en l'occurrence le logiciel MATLAB. Le troisième chapitre est consacré à la présentation des résultats de la simulation numérique.