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Introduction de fonction de base excentrée dans la détermination de fonctions d'onde moléculaire "ab initio" et application au calcul de grandeurs magnétiques et électriques
(Houari Boumediene Alger, 1989) Boucekkine Yaker, Ghania; Berthir, G
Sans résumé
Synthèse de zéolithes et de silices poreuses à partir de phyllo et d'ino-silication naturels
(Houari Boumediene Alger, 1989) Hamoudi Kaissa, Abdmezien; Siffert, B
Sans résumé
Etude des mécanismes de rétention et des interactions au niveau des interfaces en chromatographie en phase gazeuse
(Houari Boumediene Alger, 1989) Amokrane, Aider; Guermouche, M.H
Sans résumé
Contribution à l'étude de la zone d'entrée d'un transporteur pneumatique vertical
(Houari Boumediene Alger, 1989) Alia, Khedidja; Yousfi, Y
Sans résumé
Description d'une méthode CNDO/2 universelle (cndo/2-u) et son application à l'étude du diamagnétisme moléculaire
(Houari Boumediene Alger, 1989) Baba Ahmed, Abdellatif; Gayoso, G
Sans résumé
Etude des surfaces actives pour applications aux circuits
(Université d' Oum El Bouaghi, 2012) Draidi, Mourad; Zaabat, M
L’analyse numérique à deux dimensions est élaborée pour étudier les caractéristiques du transistor à effet de champ, l'influence de la géométrie du composant comme la distance entre la grille et du drain, ou entre la grille et la source. Une comparaison entre deux modèles différents pour la simulation des caractéristiques statiques du MESFET submicronique GaAs a été faite. Un modèle à deux dimensions a été présenté pour étudier les caractéristiques du transistor à effet de champ, l’influence de la géométrie du composant. Toutes les simulations ont révélé l’existence d'une région à haut champ électrique près de la zone de contact de la grille, qui crée une zone dépeuplée autour de la grille, mais les études précédentes ont négligé les effets de bord, qui sont très significatifs pour ces composants
Etude de l'évolution de la microstructure et des propriétés thermomécaniques d'une série d'alliages AIMgSi
(Université d' Oum El Bouaghi, 2012) Farh, Hichem; Guemini, Rebai
Notre étude est faite sur les alliages Al-Mg-Si faisant partie de la classe des alliages à durcissement par précipitation. Ce travail a pour but essentiel de mieux comprendre l'effet des éléments d'addition sur la microstructure des alliages Al-Mg- Si (en particulier le cuivre, le fer et l'excès de silicium), ainsi que l'action des traitements thermomécaniques sur l'urcissement structural et la cinétique de la précipitation. Différentes techniques d'analyses ont été utilisées dans cette étude pour le suivi de l'évolution microstructurale et des propriétés thermomécaniques. Nous avons utilisé principalement le microscope optique, la diffraction des rayons X, les microscopes électroniques à balayage (MEB) et à transmission (MET), l'analyse calorimétrique différentielle et la micro dureté. Les résultats que nous avons obtenus concernent essentiellement la séquence des stades d'évolution structurale des alliages étudiés en fonction des différents traitements thermiques et de la température de vieillissement, après l'obtention de la solution solide de l'alliage Al-Mg-Si sursaturée. L'effet des éléments d'addition tel que le cuivre, le fer et l'excès de silicium sur le comportement microstructurale a été aussi étudié. L'addition du cuivre aux alliages d'Al-Mg-Si affine la taille des grains et donne une naissance de la précipitation de la phase métastable Q' qui font augmenter d'une manière globale la dureté des alliages. L'excès du Si accélère les réactions de précipitation
Etude dynamique de certains problèmes relatifs en présence d'une distance minimale
(Université d' Oum El Bouaghi, 2013) Zeroual, Farida; Merad, M
Nous avons discuté dans cette thèse, les outils de base de la mécanique quantique dans le principe relative incertitude généralisée. Ce modèle est compatible avec Mokhtmv théories de la gravitation quantique tels que la théorie des cordes, la gravité quantique est une folie Et la physique des trous noirs. Khamit ultraviolet / , (lp = 10 - 35m ) de cette théorie comprennent une échelle minimale , correspondant à la longueur de Planck Infrarouge et l'espace est Tbdimi . Mokhtmv offrent des outils et des techniques qui expliquent ce Alchukmah , et nous commençons par une description de l'approche mathématique : un Balichoh de quantification Qui est applicable à une variété de cécité Bois, Sun, et le résultat est une synthèse de l'algèbre non-commutative. Plus tard, nous montrons Un cas particulier de cette approche est un principe d'incertitude généralisée. Nous appliquons cette cécité Alchukmah plusieurs systèmes relatifs : l'équation de Klein - Gordon unidimensionnelle sous l'influence de la latence Khamit Radial et SMMA en utilisant deux méthodes : une façon directe dans l'espace et de la méthode des parcours d'insertion de placement dans l'espace E'nergie - payer. Les résultats sont comparés les deux méthodes et ont trouvé les mêmes quantités dominante classement cécité 1 du coefficient de distorsion. Nspatin résoudre des équations : l'équation de Klein - Gordon de A" une crémaillère comme soumis à l'influence du champ électromagnétique dans une régulière Le paiement de l'espace. KMTA dans les deux cas, on obtient l'énergie de la cécité et de la fonction d'onde Almkabma . Est déterminée en fin de compte non apparentée Coefficient de petite déformation. L'étude d'un dieu de la cruciale gg par rapport à deux dimensions sous l'influence d'un champ magnétique régulièrement. Althumaima solution est polynomiale pour Jacobi Dans la représentation de l'espace et la dynamique est obtenue en tant que spectre d'énergie de la cécité. Les résultats sont diffusés une partie du travail, j'ai étudié dans Alchukmah même. Grâce à un tel père Rissa a fait en sorte que tous les résultats que Thsamna Amiha utilisant l'algèbre déformée probablement coefficient Déformation zéro correspond à la mécanique quantique ordinaire. Dans ce contexte, nous notons aussi que l'introduction de la notion de la longueur du primaire. Près de la mécanique quantique et la quantité de la théorie du champ équivaut à une incertitude supplémentaire cécité de mesure de position. Si Près de suspicion ne peut jamais être inexistante. En fait, l'introduction de la notion de minimum longue repose principalement sur la cécité Modifié Heisenberg algèbre de référence. La fonction DKP Alkmmat : méthodes mathématiques pour Mvezia , équations d'ondes relativistes : Klein - Gordon , un rack de DVD et l'équation Proche et longitude. Z
Modélisation et caractérisation des circuits passifs intégrés
(Université d' Oum El Bouaghi, 2013) Ziar, Toufik; Zaabat, Mourad
Dans cette thèse nous avons essayer de présenter l'importance qu'a jouée les simulateurs micro ondes commerciaux dans la fabrication des circuits intégrés, spécialement dans les premières étapes de conceptions par la recherché des modèles précis, pour les éléments passifs ou actifs des circuits, utilisés pour prédire les caractéristiques optimales attendues du composant une fois implémenté dans le circuit. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels utilisant les méthodes d'analyse électromagnétiques globales, il existe deux types de méthodes : a. Les méthodes temporelles : - (Finite Di erence Time Domain Technique (FDTD) - finite element Time Domain (FETD). Transmission Line Method (TLM)) b. Les méthodes fréquentielles :-Finité Elément (FE) - Méthod of Moment (MoM) - wave concept iterative procedure (WCIP) Utilisant la méthode itérative basée sur le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développé sous MATLAB basé sur la méthode WCIP pour simuler plusieurs circuits passifs planaires à base de micro rubans. Ces circuits passifs ont été analysés par la recherché des e ets des paramètres des structures (largeur du micro ruban, permittivité du substrat, hauteur du substrat, espace interligne etc..) Sur les caract éristiques du circuit global. Cette dernière tache a été exécutée en xant les paramètres des structures et laissant à chaque fois un paramètre d'ajustement pour voir l'in uence de sa variation sur les caractéristiques du circuit. Nous avons tracé des gures pressentant les e ets des variation des paramètres des di érentes structures sur les caractéristiques globales du circuits comme l'impédance vue par la source, les paramètres de ré exion et de transmission ainsi que les distribution des densités des courant à l'interface du circuit
Modélisation des nanotransistors à effet de champ CNTFET
(Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2014) Marki, Rebiha; Azizi, Cherifa
La réduction progressive des dimensions des transistors selon la loi de Moore constitue le principal stimulant à l'intégration de circuits de plus en plus complexes; en effet, les dimensions étant réduites, la vitesse de fonctionnement d'un circuit augmente ainsi que la densité d'intégration. Durant cette dernière décennie, Le marché des télécommunications, du multimédia, de l'automobile, de l'avionique et d'autres applications sécurisées continue à croître à un rythme soutenu avec l'apparition d'applications diverses et complexes qui réclament une puissance de calcul de plus en plus importante tout en ayant un niveau de fiabilité et de sécurité de plus en plus élevé. L'augmentation de la densité d'intégration et l'amélioration des performances sont rendues possibles par la diminution de la taille des transistors à effet de champ qui constituent un élément de choix pour la génération des fonctions de base. C'est dans ce cadre que se situent les travaux de doctorat par une description physique et fonctionnelle des nano transistors à effet de champ. Ensuite les différents phénomènes physiques qui régissent son fonctionnement seront détaillés ainsi que les effets dispersifs qui limitent ses performances. In this paper, one of the most promising electron devices - carbon nanotube field effect transistor (CNT FET) is investigated. At the beginning, the carbon nanotube properties are presented. The main contribution of this paper is the new analytical model of CNT FET current - voltage characteristics. Developed model describes behavior of CNTFET in very good manner and, at the same time, the model is relatively simple. Using the developed model, simulations were performed. The results obtained by using two models are in very good agreement with already known and published ones.
Contribution à l'étude des propriétés bidimensionnelles des composants à effet de champs MESFERT GaAS
(Université d' Oum El Bouaghi, 2014) Hamma, Issam; Saadi, Yacef
L'objectif de ce travail rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation destinée à l'étude des composants optoélectroniques à effet de champ optique à l'arséniure de gallium dit " MESFET GaAs " et des méthodes d'optimisations permettant d'en tirer encore plus de profit. En premier lieu nous avons rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode Schottky et du matériau semi-conducteur arséniure de gallium " GaAs ", nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composants à effet de champ " MESFET, MESFET SiC et HEMT ", ainsi que les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. en caractérisant tous les éléments constituant les composants. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs avec un canal à dopage homogène, un modèle analytique est proposée pour un Semi-conducteur MESFET à l'arséniure de gallium optiquement contrôlée à grille submicronique, connu comme Transistor à effet de champ optique (OPFET) compte tenu de la distribution bidimensionnelle du potentiel et du champ électrique sous la zone de charge d'espace, ainsi que l'effet des éléments parasites et des paramètres physiques spécifiques à ce composant. . Ensuite une modélisation mathématique du comportement dynamique de la zone active du transistor a été développée, ainsi que une présentation de son schéma équivalent et la détermination des paramètres de la matrice admittance [Yij]. Finalement ces résultats permettent la mise au point d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment qui ont été présentés, discutés et comparés avec des méthodes numériques de résolution bidimensionnelles connues PDE Toolbox utilisées en logiciel MATLAB. Le modèle développé dans cette étude sera très utile au vu des résultats obtenus pour comprendre le comportement et le contrôle optique de l'appareil en régime submicronique pour des applications futures
Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs
(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa
Au cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisation
Etude et modélisation de nano-composants semi conducteur
(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Dridi, Charazed; Zaabat, M
Dans une première partie le travail présenté dans cette thèse porte sur l'étude des circuits SIW (Substrate Integrated Waveguide) qui sont en mouvance avec le développement technologique qu'a connu le domaine de transmission et micron ondes ces dernières années, ceux sont des candidats très prometteurs pour cette nouvelle technologie qui se dirige de jour en jour vers la miniaturisation, et la réduction du coût de fabrication. Une seconde partie de cette thèse a été consacrée aux structures périodiques électromagnétiques à bandes interdites conçues par des nanotubes de carbones qui présentent des propriétés électriques et mécaniques très intéressantes pour l'avenir de la transmission nanométrique. Un outil d'analyse globale basé sur la méthode itérative WCIP(Wave concept iterative process) a été développé ,cette méthode récente originale a été exploité dans l'études de circuits SICs à via holes métalliques ainsi que pour les structures EBG a base de nanotube de carbones . A la fin nous avons procédé à la discussion des résultats obtenus par simulation
Analyse des transistors à effet de champ
(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Kaddour, Chahrazed; Azizi, Cherifa
Le transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique actif utilisé dans les dispositifs électroniques et a une grande importance dans les sciences de l'information. A cause de l'importance de ce composant dans la technologie, nous nous sommes intéressés dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ en cas général et à la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dit" MESFET GaAs " en cas particulier. La première partie de ce travail présente l'état l'art des transistors à effet de champ (JFET, MESFET, MOSFET, HEMT) et les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. Dans la deuxième partie de ce travail, nous présentons des modèles analytiques du transistor MESFET GaAs .Ces modèles sont basés sur l'analyse physique du MESFET en tenant compte la tension de pincement faible Vp 3 V et élevée Vp 3V , l'influence de la mobilité en fonction du champ électrique et en fonction de la température et l'effet des résistances parasites sur les caractéristiques I-V, l'effet de la température sur la conductance de drain et la transconductance . Enfin, nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment. Les résultats obtenus ont été présentés, discutés et comparés avec ceux de l'expérience existante dans la littérature
Etude des couches minces ZnAl2O4, corrélation élaboration-propriétés et application
(Université d' Oum El Bouaghi, 2016) Iaiche, Sabrina; Djelloul, A.
Dès le début de son étude, l'intérêt s'est porté sur le développement et la maîtrise d'un processus de synthèse de l'oxyde complexe ZnAl2O4 (ghanite) et la corrélation entre les propriétés physico-chimiques des dépôts obtenus avec les conditions de préparation en vue d'application en optoélectronique ou photo-catalyse. La technique de dépôt utilisée est la pulvérisation chimique ultrasonique (USP), la qualité des films (poudre ou couche mince) est étroitement liée aux types de précurseurs utilisés et aux conditions opératoires. La formation de ZnAl2O4 (AZ) dépend des conditions de dépôt et de recuit thermique. Les principaux paramètres influant dans le procédé USP sont la température du substrat (Ts), les concentrations des précurseurs et le volume du solvant. Le traitement thermique en est également un facteur capital dans la formation de l'aluminate de zinc en phase unique ou en mélange de phases ZnO/ZnAl2O4. Les sels de nitrates de zinc et d'aluminium hydratés de rapport molaire (1 : 2) entraînent la formation de l'AZ en poudre à Ts (410°C) et un recuit thermique à 700°C-1h. Quand Ts augmente, la température du recuit s'abaisse. Le rapport (1 : 1) induit l'apparition du ZnO due à l'excès de Zn. Les produits de décomposition thermochimique de l'hydrate de sulfate d'aluminium Al2(SO4)3.18H2O à 785°C (Al2(SO4)3) et 795°C (Al2O(SO4)2)-3h employés comme précurseurs, source d'ion Al, sont favorables pour les nanoparticules de la gahnite par un recuit à 900°C-1h et d' Al2O3 en couches minces par un recuit à 700-1h ,respectivement. Les valeurs du paramètre Auger modifié ?' calculées à partir de la technique XPS du ZnO et de ZnO/ZnAl2O4 sont identiques, mais diffèrent de la valeur calculée de ZnAl2O4 de 0,6 eV. Cette différence n'est généralement pas considérée très prononcée et la différenciation entre ZnO et ZnO/ZnAl2O4 et/ou ZnAl2O4 ne devient pas possible et nécessite d'autres données que les valeurs de ?' seul. Un troisième processus de dépôt a été également employé pour l'obtention des films minces, pour cela des modifications au bâti de pulvérisation ont été apportés. Les dépôts ont été réalisés à partir de 2 solutions pulvérisées simultanément à base d'acétate d'aluminium et de chlorure de zinc hydratés. Une apparition simultanée, à priori selon la DRX, du système ZnO/ZnAl2O4 (de taille nanométrique) en couches minces à partir du recuit à 500°C-2h. Une meilleure qualité cristalline et ordre de la structure de ZnO à 550°C et de ZnAl2O4 à 650°C sont notés. Les films ZnO/ZnAl2O4 sont très transparents dans les régions visible et proche infra-rouge et hautement sensibles à l'absorption UV indiquant qu'ils sont appropriés pour des applications de capteur photoconducteur UV et senseurs de gaz
محاكاة الدارات متعددة الطبقات
(جامعة أم البواقي, 2016) عمري, هدى; زعباط, مراد
تتطلب صناعة الدارات ذات التوترات العالية تكلفة كبيرة نسبيا هذه الإنجازات في الواقع أكثر تكلفة من الدوائر المصغرة ومن أجل تطوير هذه الدوائر يجب إجراء العديد من النماذج واختبارها ضمن برنامج محاكاة دقيقة لجميع سلوكياتها. يتمحور هذا العمل حول محاكاة الدارات متعددة الطبقات بالطريقة التكرارية WCIP التي تستخدم عبارة الأمواج و تحويل فورييه السريع للأنماط FMT تقتصر الدراسة على محاكاة العناصر الغير فعالة و الترانزستور MESFET لتطبيقاته الواسعة في ميدان الترددات العالية من اجل تحقيق الأهداف التالية دراسة تقارب الطريقة " تحديد عبارات مؤثر الانعراج و الانعكاس في المساحات المستوية " دراسة تأثير المعاملات الهندسية علي معامل الانعراج
Modélisation d'une flamme de diffusion turbulente par le concept de flamme lette laminaire
(Université d' Oum El Bouaghi, 2016) Hadef, Amar; Aouachria, Zeroual
Ce travail s'intéresse à la compréhension du comportement des flammes de diffusion turbulente issues d'un jet de combustible assisté par un coflow d'air de deux configurations différentes modélisées par le concept de flamme lette laminaire. Or ce modèle joue un rôle important dans la modélisation de la combustion turbulente non pré mélangée, Il décrit l'interaction de la chimie avec la turbulence à la limite des réactions rapides. L'avantage principal de ce modèle est l'information détaillée du procédé de transport moléculaire et la cinétique des espèces chimiques qui y sont incluses, ainsi que les effets de la turbulence ont été modélisés par le modèle à deux équations de transport ( ), avec une correction de Pope limité. La première configuration est de définir les effets de l'intensité de turbulence du co-courant avec une vitesse moyenne identique qui est appliqué à une flamme de diffusion turbulente d'hydrogène mélangé avec de l'azote, la diminution de la température de la flamme est examinée ainsi que son impact sur la réduction des émissions de NOx .La deuxième configuration est une flamme de diffusion turbulente de méthane assisté par un coflow d'air dilué avec du dioxyde de carbone (CO2), Le rôle de la dilution sur la longueur de la flamme, la température et les émissions polluantes, et à la fin l'insertion d'une molécule inerte, marquée X_CO2 dans le mécanisme réactionnelle qui a les mêmes propriétés physiques que CO2 , mais elle ne participe à la réaction ; pour déduire l'effet chimique du CO2
محاكاة الدارات متعددة الطبقات
(جامعة العربي بن مهيدي أم البواقي, 2016) عمري, هدى; زعباط, مراد
تتطلب صناعة الدارات ذات التوترات العالية تكلفة كبيرة نسبيا هذه الإنجازات في الواقع أكثر تكلفة من الدوائر المصغرة ومن أجل تطوير هذه الدوائر يجب إجراء العديد من النماذج واختبارها ضمن برنامج محاكاة دقيقة لجميع سلوكياتها. يتمحور هذا العمل حول محاكاة الدارات متعددة الطبقات بالطريقة التكرارية WCIP التي تستخدم عبارة الأمواج و تحويل فورييه السريع للأنماط FMT تقتصر الدراسة على محاكاة العناصر الغير فعالة و الترانزستور MESFET لتطبيقاته الواسعة في ميدان الترددات العالية من اجل تحقيق الأهداف التالية دراسة تقارب الطريقة تحديد عبارات مؤثر الانعراج و الانعكاس في المساحات المستوية دراسة تأثير المعاملات الهندسية علي معامل الانعراج
Elaboration et caractérisations de couches minces d'oxydes métalliques destinées à des applications optoélectroniques
(Université d' Oum El Bouaghi, 2016) Labidi, Herissi; Hedjeris, L.
Le but de ce travail est la préparation par la technique de spray pyrolyse de couches minces d'oxydes métalliques de (NiO)1 x(ZnO)x puis l'étude de l'influence des valeurs de x sur leurs propriétés structurales, morphologiques, optiques, et électriques afin de déterminer leur applicabilité dans des dispositifs optoélectroniques. A cet effet, les films ont été déposés sur des substrats en verre et en silicium avec x = 0, 0.25, 0.50, 0.75 et 1. Le chlorure de nickel hexa hydraté et l'acétate de zinc di hydraté ont été utilisés comme précurseurs dissouts dans l'eau bi distillée. La concentration molaire de la solution, la distance bec-substrat, la température du substrat, le débit de pulvérisation et le temps de dépôt ont été maintenus constants durant tout le processus de dépôt à 0.05 M, 30 cm, 400 °C, 9 ml / min, et 5 min, respectivement. Les résultats obtenus montrent que ces films sont bien adhérents, leur rugosité de surface et leurs propriétés peuvent être contrôlées par le rapport x. Les films (NiO)1 x(ZnO)x sont composés de deux phases NiO et ZnO mélangées dans des proportions définies et la constante de réseau de NiO augmente avec fraction nominale x de Zn. La différence entre les structures de NiO et de ZnO augmente la porosité dans le film et peut être utile dans des applications telles que les capteurs de gaz. La transparence des couches obtenues augmente avec le rapport x et se situe entre 60 et 80 % dans le visible. Les valeurs du gap optique sont situées entre 3.3 eV (pour ZnO pur) et 3.65 eV (pour NiO pur). Pour des compositions intermédiaires, nous avons trouvé deux valeurs de gap optique compatibles avec l'existence des deux phases ZnO et NiO. La conductivité électrique augmente avec le rapport x et varie entre 10 9 et 10 5 (?.cm) 1 à la température ambiante. Son augmentation avec la température de chauffage indique que tous les échantillons déposés sont semi-conducteurs. Les résultats montrent aussi qu'on peut contrôler le type de conductivité (p ou n) en faisant simplement varier le paramètre x. ce qui est précisément notre objectif
Elaboration et caractérisation de couches minces ZNO
(Université Oum El Bouaghi, 2017) Saidani, Tarek; Zaabat, Mourad
Ce travail de thèse a pour objectif l'élaboration et la caractérisation des films d'Oxyde de Zinc (ZnO) pour l'application photocatalytique. Nous avons utilisé la technique sol gel pour élaborer ces couches à cause de sa simplicité et son faible cout. Les échantillons ont été élaborés en variant, séparément, plusieurs paramètres : la nature du précurseur de zinc, le type du solvant, la concentration du précurseur de Zn, la vitesse de tirage, le temps de trempage, la température de recuit, le temps de recuit et le dopage par plusieurs éléments (Ga et Al). Après leur élaboration, les films ont subi diverses caractérisations : structurales, morphologiques, optiques et électriques. La caractérisation structurale montre que les films ZnO ont une structure hexagonale d'orientation préférentielle sur le plan (002). Cependant, nous avons noté que le film préparé à partir du chlorure de zinc comme précurseur montre une orientation préférentielle suivant la direction (101). La caractérisation optique a montré que tous les films présentent une transmittance élevée dans la région visible avec un bord d'absorption net d'environ 375 nm. La valeur du gap optique est de l'ordre de 3,36eV. Les mesures de la conductivité électrique des films confirment que ces matériaux jouissent de bonnes conductivités surtout pour ceux dopés avec le galium et l'aluminium. La photocatalyse des couches minces ZnO élaborées a été étudiée pour la dégradation du colorant du bleu de méthylène sous la lumière UV, ou nous avons montré que la concentration du colorant du bleu de méthylène 10-5 M donnait la meilleure efficacité photocatalytique. L'introduction de différents dopages en galium et en aluminium dans les couches minces ZnO, permet d'augmenter la performance photocatalytique de ces dernières sous irradiation UV. This thesis deals with the deposition and characterization of zinc oxide thin film for the photocatalytic application. Films were synthesized by sol gel method due to its simplicity and low cost. Sets of films were prepared by varying several deposition parameters namely the nature of the Zn precursor, the nature of solvent, the concentration of the Zn precursor, withdrawal speed, soaking time, annealing temperature, annealing time and doping by several elements (Ga and Al). After preparation films were subjected of various characterizations: structural, morphological, optical and electrical. The structural characterization indicates that ZnO films have a hexagonal structure with a preferential orientation along the (002) plane. However, the film prepared from the zinc chloride precursor shows a preferential orientation along the (101) plan. SEM and AFM images showed that the ZnO thin films surface appeared flat and the grain size was uniformly distributed. The optical studies show that all ZnO films has exhibit high transmittance in the visible region with a net absorption edge of about 375 nm; the optical gap value is in the order of 3.36 eV suggesting that ZnO thin films can be a good candidate for the photocatalytic application. Measurements of the electrical conductivity of the films confirm that these materials have good conductivity in particular for films doped with Ga and Al. The photocatalysis of the ZnO thin films developed has been studied for the degradation of methylene blue dye under UV light, or we have shown that the concentration of the dye of methylene blue 10-5 M gives the best photocatalytic efficiency. The introduction of different gallium doping and aluminum in the ZnO thin films improved photocatalytic activity for the degradation of methylene blue dye under UV light in comparison with the undoped ZnO film.

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