Browsing by Author "Ziar, Toufik"

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    A Comprehensive Nonlinear Model For Gaas Mesfet Transistor
    (Oum-El-Bouaghi University, 2013) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa; Zaabat, Mourad; Ziar, Toufik; Kaddour, Chahrazed; Azizi, Mounir
    An analytical two-dimensional (2D) model to accurately predict the channel potential and electric field distribution in sub-micron GaAs MESFET based on (2D) analytical solution of Poisson’s equation using superposition principle is presented. The results so obtained for current voltage characteristics, Transconductance and drain conductance, are presented and validated against both experimental I-V curves and various Models of the submicron MESFET GaAs. The model is then extended to predict the effects of parasitic resistances Rs and Rd, carriers mobility according to the electric fields and the edges effects on the performance. This model will allow more significant simulation of the component characteristics, with a precision improved for various conditions of Schottky barrier.
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    Modélisation bidimensionnelle du transistor MESFET par une méthode itérative
    (Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2008) Ziar, Toufik; Mohammed Brahim, T.
    Dans ce mémoire, nous avons essayer de démontrer l'importance des simulateurs micro-ondes dans la l'industrie des circuits planaires actifs ( dans notre étude le circuit planaire actif est à base d'un transistor MESFET ), spécialement dans les étapes de conception, de modélisation et de recherche des caractéristiques optimales attendues du circuit une fois dans son environnement final. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels développés à partir des méthodes de caractérisation électromagnétiques globales, citons par exemple : a- les méthodes temporelles : FDTD (finité différence time Domain technique), FEDT (finité élément time Domain) et la TLM (transmission line méthode). a- les méthodes fréquentielles : la FE (finité élément) et la MOM (méthode of moment). Le premier chapitre présente l'état de l'art des transistors à effet de champ MESFET et des lignes micro ruban. Le deuxième chapitre introduit le concept de modélisation du transistor à effet de champ métal semi conducator MESFET par la présentation du modèle' Scholey et deux modèles empiriques ainsi que le modèle du circuit électrique équivalent. Le troisième chapitre présente une étude théorique détaillée de la méthode itérative avec sources auxiliaires localisées. Dans le quatrième chapitre, nous avons développer un logiciel en MATLAB pour simuler la structure du circuit planaire actif à base du transistor MESFET et par un changement de paramètres de la structure (dimensions, qualité du substrat, nombre de pixels par structure, largeur des micro ruban) ainsi que des paramètres de simulation( bande passante, nombre d'itérations) , nous avons tracé des courbes représentant l'influence de ces paramètres sur les caractéristiques du circuit étudié comme l'impédance d'entrée ,les coefficient de transmission et de réflexion, les distributions des densités des courant électrique et de champ électrique à l'interface du circuit.
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    Modélisation et caractérisation des circuits passifs intégrés
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2013) Ziar, Toufik; Zaabat, Mourad
    Dans cette thèse nous avons essayer de présenter l'importance qu'a jouée les simulateurs micro ondes commerciaux dans la fabrication des circuits intégrés, spécialement dans les premières étapes de conceptions par la recherché des modèles précis, pour les éléments passifs ou actifs des circuits, utilisés pour prédire les caractéristiques optimales attendues du composant une fois implémenté dans le circuit. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels utilisant les méthodes d'analyse électromagnétiques globales, il existe deux types de méthodes : a. Les méthodes temporelles : - (Finite Di erence Time Domain Technique (FDTD) - finite element Time Domain (FETD). Transmission Line Method (TLM)) b. Les méthodes fréquentielles :-Finité Elément (FE) - Méthod of Moment (MoM) - wave concept iterative procedure (WCIP) Utilisant la méthode itérative basée sur le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développé sous MATLAB basé sur la méthode WCIP pour simuler plusieurs circuits passifs planaires à base de micro rubans. Ces circuits passifs ont été analysés par la recherché des e ets des paramètres des structures (largeur du micro ruban, permittivité du substrat, hauteur du substrat, espace interligne etc..) Sur les caract éristiques du circuit global. Cette dernière tache a été exécutée en xant les paramètres des structures et laissant à chaque fois un paramètre d'ajustement pour voir l'in uence de sa variation sur les caractéristiques du circuit. Nous avons tracé des gures pressentant les e ets des variation des paramètres des di érentes structures sur les caractéristiques globales du circuits comme l'impédance vue par la source, les paramètres de ré exion et de transmission ainsi que les distribution des densités des courant à l'interface du circuit
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    Modélisation et caractérisation des circuits passifs intégrés
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2013) Ziar, Toufik; Zaabat, Mourad
    Dans cette thèse nous avons essayer de présenter l'importance qu'a jouée les simulateurs micro ondes commerciaux dans la fabrication des circuits intégrés, spécialement dans les premières étapes de conceptions par la recherché des modèles précis, pour les éléments passifs ou actifs des circuits, utilisés pour prédire les caractéristiques optimales attendues du composant une fois implémenté dans le circuit. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels utilisant les méthodes d'analyse électromagnétiques globales, il existe deux types de méthodes : a. Les méthodes temporelles : - (Finite Di erence Time Domain Technique (FDTD) - finite element Time Domain (FETD). Transmission Line Method (TLM)) b. Les méthodes fréquentielles :-Finité Elément (FE) - Méthod of Moment (MoM) - wave concept iterative procedure (WCIP) Utilisant la méthode itérative basée sur le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développé sous MATLAB basé sur la méthode WCIP pour simuler plusieurs circuits passifs planaires à base de micro rubans. Ces circuits passifs ont été analysés par la recherché des e ets des paramètres des structures (largeur du micro ruban, permittivité du substrat, hauteur du substrat, espace interligne etc..) Sur les caract éristiques du circuit global. Cette dernière tache a été exécutée en xant les paramètres des structures et laissant à chaque fois un paramètre d'ajustement pour voir l'in uence de sa variation sur les caractéristiques du circuit. Nous avons tracé des gures pressentant les e ets des variation des paramètres des di érentes structures sur les caractéristiques globales du circuits comme l'impédance vue par la source, les paramètres de ré exion et de transmission ainsi que les distribution des densités des courant à l'interface du circuit
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    Simple criterions to achieve hybrid dislocated synchronization of two identical chua’s circuits
    (University of Oum El Bouaghi, 2021) Zemmal, Badreddine; Mellal, Saida; Hamma, Issam; Maizi, Marwa; Ziar, Toufik; Farah, Hichem; Ouannas, Adel
    This paper presents simple criterions to achieve synchronization scheme between two chaotic systems combining tow classical synchronizations i.e the hybrid synchronization (HS) and the dislocated synchronization(DS) , the novelty of the proposed scheme named hybrid dislocated synchronization ( HDS synchronization for short) is that it is much more simple to perform. Two mathematical theorems present the necessary and sufficient conditions under which (HDS) synchronization can be achieved. To show the effectiveness of our approach, numerical example of the (HDS) synchronization of two identical Chua's circuits is executed.
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    The Study Of The Miniaturisation Effect On The Characteristics Of Patch Antenna Using The Wcip Method
    (Oum-El-Bouaghi University, 2014) Ziar, Toufik; Mellal, Saida; Farh, Hichem; Zaabat, Mourad; Azizi, Cherifa
    The demand of miniature electronic systems has been increasing for several decades. The physical size of systems is reduced due to advancements in integrated circuits. With reduction in size of electronic systems, there is also an increasing demand of small and low cost antennas. Patch antennas are one of the most attractive antennas for integrated RF systems due to their compatibility with microwave integrated circuits. In this paper, the effects of substrate dielectric constant and particularly the miniaturization of the antenna size on the return loss characteristics of patch micro strip antenna (MSPA) have been investigated using the wave concept iterative procedure (WCIP) method. Accuracy of the present results is compared with previous work which has been done theoretically and experimentally.