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Item A Comprehensive Nonlinear Model For Gaas Mesfet Transistor(Oum-El-Bouaghi University, 2013) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa; Zaabat, Mourad; Ziar, Toufik; Kaddour, Chahrazed; Azizi, MounirAn analytical two-dimensional (2D) model to accurately predict the channel potential and electric field distribution in sub-micron GaAs MESFET based on (2D) analytical solution of Poisson’s equation using superposition principle is presented. The results so obtained for current voltage characteristics, Transconductance and drain conductance, are presented and validated against both experimental I-V curves and various Models of the submicron MESFET GaAs. The model is then extended to predict the effects of parasitic resistances Rs and Rd, carriers mobility according to the electric fields and the edges effects on the performance. This model will allow more significant simulation of the component characteristics, with a precision improved for various conditions of Schottky barrier.Item Contribution à la conception et modélisation d’un capteur solaire hybride photovoltaïque thermique à base de cellules solaires en couches minces(Université Oum El Bouaghi, 2017) Haloui, Hafsia; Zaabat, MouradLe but de cette étude est la modélisation des différents capteurs PVT à base des cellules solaires en couches minces et de les comparer avec celle du capteur PVT à base de silicium monocristallin. Tout au long de cette tentative, un PVT à base de cellules solaires à couches minces à base de différentes technologies (binaires, ternaires et quaternaires matériaux) a été mis en étude et fiabilité. Dans ce travail, les différentes générations ont été discutées. Les équations de bilan énergétique pour les différentes configurations ont été décrites. Les expressions analytiques pour l'efficacité électrique et thermique ont été calculées par une simulation Matlab (1D) et ANSYS Software (3D). Il a été avéré que le rendement obtenu par les capteurs PVT à base de tellurure de cadmium (CdTe), Cuivre Indium Sélénium (CIS) et Cuivre Indium Gallium Sélénium (CIGS) est plus important que celle obtenu par les capteurs PVT à base de silicium et de silicium amorphe ( a-Si), avec un taux de 47% à 57%. Par ailleurs, avec ce genre de PVT, la température de sortie du liquide de refroidissement atteint une valeur de 43,2°C est supérieure à la valeur obtenue par les capteurs PVT à base de silicium et du silicium amorphe. ÇáÛÑÖ ãä åÐå ÇáÏÑÇÓÉ åæ äãÐÌÉ ÇááÇÞØ ÇáÔãÓí ÇáåÌíä PVT Ðæ ÈäíÉ ãÕäæÚÉ Úáì ÃÓÇÓ ÇáÎáÇíÇ ÇáÔãÓíÉ ÐÇÊ ÇáÔÑÇÆÍ ÇáÑÞíÞÉ¡ æãÞÇÑäÊå ãÚ Êáß ÇáãÕäæÚÉ ãä ÇáÓíáíßæä ÇáÃÍÇÏí. ØæÇá åÐå ÇáãÍÇæáÉ¡ Åä ÇááÇÞØ ÇáÔãÓí ÇáåÌíä PVT Ðæ ÈäíÉ ãÕäæÚÉ Úáì ÃÓÇÓ ÇáÎáÇíÇ ÇáÔãÓíÉ ÐÇÊ ÇáÔÑÇÆÍ ÇáÑÞíÞÉ ÇáãÕäæÚÉ Úáì ÃÓÇÓ ÊÞäíÇÊ ãÎÊáÝÉ (ÇáãæÇÏ ÐÇÊ ÇáÊÑßíÈÉ ÇáËäÇÆíÉ¡ ÇáËáÇËíÉ æÇáÑÈÇÚíÉ) ßÇäÊ ãÞÑÑÉ ÏÑÇÓÉ æÇÚÊãÇÏíÉ. Ýí åÐÇ ÇáÚãá¡ ÊãÊ ãäÇÞÔÉ ãÎÊáÝ ÇáÊÑßíÈÇÊ. æÞÏ æÕÝÊ ãÚÇÏáÇÊ ÊæÇÒä ÇáØÇÞÉ ááÍÕæá Úáì ÊßæíäÇÊ ãÎÊáÝÉ. Êã ÍÓÇÈ ÇáÚÈÇÑÇÊ ÇáÊÍáíáíÉ ááãÑÏæÏ ÇáßåÑÈÇÆí æÇáÍÑÇÑí ÈÇÓÊÚãÇá ÇáÈÑãÌíÇÊ: Matlab (Ýí ÇáäÙÇã ÃÍÇÏí ÇáÃÈÚÇÏ) æANSYS (Ýí ÇáäÙÇã ËáÇËí ÇáÃÈÚÇÏ). æÞÏ ÊÈíä Ãä ÇáãÑÏæÏ ÇáÍÑÇÑí ÇáÐí ÍÕá Úáíå ÈÇÓÊÚãÇá ÇááÇÞØ ÇáÔãÓí ÇáåÌíä PVT Ðæ ÈäíÉ ãÕäæÚÉ Úáì ÃÓÇÓ ãÑßÈ(CdTe)¡ ãÑßÈ (CIS) æãÑßÈ(CIGS) ÃÚáì ãä ÇáÐí ÍÕá Úáíå ÈÇÓÊÚãÇá ÇááÇÞØ ÇáÔãÓí ÇáåÌíä PVT ÇáãÈäí Úáì ÃÓÇÓ ÇáÓíáíßæä æÇáÓíáíßæä ÛíÑ ÇáãÊÈáæÑ (a-Si)¡ ÈÝÇÑÞ ãä 47? Åáì57?¡ æÃíÖÇ ãÚ åÐÇ ÇáäæÚ ãä ÇááÇÞØ ÇáÔãÓí ÇáåÌíä äÊÍÕá Úáì ÏÑÌÉ ÍÑÇÑÉ ÇáÎÑæÌ áÓÇÆá ÇáÊÈÑíÏ ÊÕá Åáì ÞíãÉ C° 43,2ÃßÈÑ ãä ÇáÞíãÉ ÇáÊí ÍÕáÊ ÚáíåÇ ÈÇÓÊÚãÇá ÇááÇÞØ ÇáÔãÓí ÇáåÌíä PVT ÇáãÈäí Úáì ÃÓÇÓ ÇáÓíáíßæä æÇáÓíáíßæä ÛíÑ ãÊÈáæÑ. The aim of this study is modeling different PVT collectors based on thin films solar cells and compared with that of the PVT collector based on monocrystalline silicon. Throughout this attempt, a PVT based on thin films solar cells based on different technologies (binary, ternary and quaternary materials) has been put in reliability study. In this work, different generations have been discussed. The energy balance equations for different configurations has been described. The analytical expressions for electrical and thermal efficiencies have been calculated through a Matlab simulation (1D) and ANSYS Software (3D). It has been averred that the obtained efficiency by the PVT collectors based on Cadmium Telluride (CdTe), Copper Indium Diselenide (CIS) and Copper Indium Gallium Diselenide (CIGS) is more important than once obtained by PVT collectors based on silicon and amorphous Silicon (a-Si), within a rate from 47% to 57%. Furthermore, with this kind of PVT, the output temperature of the coolant reach a value of 43,2°C is higher than the value obtained by the PVT collectors based on silicon and amorphous silicon.Item Contribution à la conception et modélisation d’un capteur solaire hybride photovoltaïque thermique à base de cellules solaires en couches minces(Université d' Oum El Bouaghi, 2017) Haloui, Hafsia; Zaabat, MouradLe but de cette étude est la modélisation des différents capteurs PVT à base des cellules solaires en couches minces et de les comparer avec celle du capteur PVT à base de silicium monocristallin. Tout au long de cette tentative, un PVT à base de cellules solaires à couches minces à base de différentes technologies (binaires, ternaires et quaternaires matériaux) a été mis en étude et fiabilité. Dans ce travail, les différentes générations ont été discutées. Les équations de bilan énergétique pour les différentes configurations ont été décrites. Les expressions analytiques pour l'efficacité électrique et thermique ont été calculées par une simulation Matlab (1D) et ANSYS Software (3D). Il a été avéré que le rendement obtenu par les capteurs PVT à base de tellurure de cadmium (CdTe), Cuivre Indium Sélénium (CIS) et Cuivre Indium Gallium Sélénium (CIGS) est plus important que celle obtenu par les capteurs PVT à base de silicium et de silicium amorphe ( a-Si), avec un taux de 47% à 57%. Par ailleurs, avec ce genre de PVT, la température de sortie du liquide de refroidissement atteint une valeur de 43,2°C est supérieure à la valeur obtenue par les capteurs PVT à base de silicium et du silicium amorpheItem Elaboration et caractérisation de couches minces ZnO(Université d' Oum El Bouaghi, 2017) Tarek, Saidani; Zaabat, MouradCe travail de thèse a pour objectif l'élaboration et la caractérisation des films d'Oxyde de Zinc (ZnO) pour l'application photocatalytique. Nous avons utilisé la technique sol gel pour élaborer ces couches à cause de sa simplicité et son faible cout. Les échantillons ont été élaborés en variant, séparément, plusieurs paramètres : la nature du précurseur de zinc, le type du solvant, la concentration du précurseur de Zn, la vitesse de tirage, le temps de trempage, la température de recuit, le temps de recuit et le dopage par plusieurs éléments (Ga et Al). Après leur élaboration, les films ont subi diverses caractérisations : structurales, morphologiques, optiques et électriques. La caractérisation structurale montre que les films ZnO ont une structure hexagonale d'orientation préférentielle sur le plan (002). Cependant, nous avons noté que le film préparé à partir du chlorure de zinc comme précurseur montre une orientation préférentielle suivant la direction (101). La caractérisation optique a montré que tous les films présentent une transmittance élevée dans la région visible avec un bord d'absorption net d'environ 375 nm. La valeur du gap optique est de l'ordre de 3,36eV. Les mesures de la conductivité électrique des films confirment que ces matériaux jouissent de bonnes conductivités surtout pour ceux dopés avec le galium et l'aluminium. La photocatalyse des couches minces ZnO élaborées a été étudiée pour la dégradation du colorant du bleu de méthylène sous la lumière UV, ou nous avons montré que la concentration du colorant du bleu de méthylène 10-5 M donnait la meilleure efficacité photocatalytique. L'introduction de différents dopages en galium et en aluminium dans les couches minces ZnO, permet d'augmenter la performance photocatalytique de ces dernières sous irradiation UVItem Elaboration et caractérisation de couches minces ZNO(Université Oum El Bouaghi, 2017) Saidani, Tarek; Zaabat, MouradCe travail de thèse a pour objectif l'élaboration et la caractérisation des films d'Oxyde de Zinc (ZnO) pour l'application photocatalytique. Nous avons utilisé la technique sol gel pour élaborer ces couches à cause de sa simplicité et son faible cout. Les échantillons ont été élaborés en variant, séparément, plusieurs paramètres : la nature du précurseur de zinc, le type du solvant, la concentration du précurseur de Zn, la vitesse de tirage, le temps de trempage, la température de recuit, le temps de recuit et le dopage par plusieurs éléments (Ga et Al). Après leur élaboration, les films ont subi diverses caractérisations : structurales, morphologiques, optiques et électriques. La caractérisation structurale montre que les films ZnO ont une structure hexagonale d'orientation préférentielle sur le plan (002). Cependant, nous avons noté que le film préparé à partir du chlorure de zinc comme précurseur montre une orientation préférentielle suivant la direction (101). La caractérisation optique a montré que tous les films présentent une transmittance élevée dans la région visible avec un bord d'absorption net d'environ 375 nm. La valeur du gap optique est de l'ordre de 3,36eV. Les mesures de la conductivité électrique des films confirment que ces matériaux jouissent de bonnes conductivités surtout pour ceux dopés avec le galium et l'aluminium. La photocatalyse des couches minces ZnO élaborées a été étudiée pour la dégradation du colorant du bleu de méthylène sous la lumière UV, ou nous avons montré que la concentration du colorant du bleu de méthylène 10-5 M donnait la meilleure efficacité photocatalytique. L'introduction de différents dopages en galium et en aluminium dans les couches minces ZnO, permet d'augmenter la performance photocatalytique de ces dernières sous irradiation UV. This thesis deals with the deposition and characterization of zinc oxide thin film for the photocatalytic application. Films were synthesized by sol gel method due to its simplicity and low cost. Sets of films were prepared by varying several deposition parameters namely the nature of the Zn precursor, the nature of solvent, the concentration of the Zn precursor, withdrawal speed, soaking time, annealing temperature, annealing time and doping by several elements (Ga and Al). After preparation films were subjected of various characterizations: structural, morphological, optical and electrical. The structural characterization indicates that ZnO films have a hexagonal structure with a preferential orientation along the (002) plane. However, the film prepared from the zinc chloride precursor shows a preferential orientation along the (101) plan. SEM and AFM images showed that the ZnO thin films surface appeared flat and the grain size was uniformly distributed. The optical studies show that all ZnO films has exhibit high transmittance in the visible region with a net absorption edge of about 375 nm; the optical gap value is in the order of 3.36 eV suggesting that ZnO thin films can be a good candidate for the photocatalytic application. Measurements of the electrical conductivity of the films confirm that these materials have good conductivity in particular for films doped with Ga and Al. The photocatalysis of the ZnO thin films developed has been studied for the degradation of methylene blue dye under UV light, or we have shown that the concentration of the dye of methylene blue 10-5 M gives the best photocatalytic efficiency. The introduction of different gallium doping and aluminum in the ZnO thin films improved photocatalytic activity for the degradation of methylene blue dye under UV light in comparison with the undoped ZnO film.Item Elaboration et caractérisation des céramiques à base de mullite et du zircon et leurs applications à la photocatalyse(Université Larbi Ben M'hidi Oum El Bouaghi, 2018) Bouras, Dikra; Zaabat, MouradL'objectif principal de ce travail est la purification de l’eau contaminée à faible coût, nécessaire à la vie quotidienne. Des couches minces d’oxyde de zinc non dopé et dopé par 6% de Cu, déposés sur deux types de pastilles en céramique et fabriquées à partir d’une argile locale (DD3, DD3+38% ZrO2), ont été utilisés. Pour le même objectif, des poudres de mêmes argiles avec l’oxyde du zinc non dopé et dopé par Cu et Mg, ont été aussi utilisées. Le dépôt des couches est réalisé par la technique sol-gel (dip-caotinc) et par la technique hydro-thermique (autoclave). De plus, la préparation des poudres est effectuée par deux méthodes différentes à savoir le mélange traditionnel et la co-précipitation chimique. Les propriétés structurelles, morphologiques, optiques et chimiques des produits résultants ont été étudiées par plusieurs techniques : DRX, MEB, EDX, AFM, IR, Raman et UV-visible. Une caractérisation photo-catalytique a été réalisée pour évaluer la dégradation d’un colorant organique toxique-orange II (OII) par ces échantillons sous une lumière UV. Dans des conditions similaires, les couches déposées sur les pastilles céramiques avec l’addition de zircone ont montré de meilleures performances par rapport à celles sans zircone. La porosité ouverte dans le substrat créée par la consommation de SiO2 de céramique par ZrO2 permet d’obtenir une large surface recouverte par la couche active. Le taux maximum de dégradation d’OII obtenu est de 81.16% pour un temps d’irradiation de 6h avec des couches de ZnO dopées par 6% de CuO et déposés par voie hydro-thermique sur des substrats de DD3+38% ZrO2. Les poudres de l’argile DD3 avec ZrO2 et ZnO /CuO, préparées par les méthodes, citées auparavant, ont montré une grande activité photo-catalytique dans un délai très court (une grande surface spécifique). Le taux de dégradation a atteint 93,63% pour la poudre DD3+ZrO2+14.28%ZnO+5.37%CuO et 92.09% pour DD3+ZrO2+10%MgO préparée par mélange traditionnel sous une lumière UV pendant 15 min. The main objective of this work is the purification of contaminated water at low cost for our daily life. Thin layers of undoped zinc oxide doped with 6% of Cu and Mg, deposited on two types of ceramic pellets, made from local clay (DD3, DD3 + 38% ZrO2), are used. For the same purpose, powders of the same clays with ZnO / (ZnO, CuO) / (Zn, Cu) / MgO / Mg, are used. The deposition of the layers is achieved by two techniques: sol-gel (dip-coating) and hydrothermal (autoclave). Moreover, the preparations of the powders are achieved by two methods: traditional mixing and co-precipitation. The structural, the morphological, the optical and the chemical properties of the resulting products, are studied by several techniques: XRD, SEM, EDX, AFM, IR, Raman and UV-visible.Photocatalytic characterization is performed in order to evaluate the degradation of a toxic organic dye-orange II (OII) by these samples under UV light. In similar conditions, the layers deposited on the ceramic pellets with the addition of zirconium showed better performance compared to those without zirconium. The open porosity in the substrate created by the SiO2 consumption of ceramic by ZrO2makes it possible to obtain a large surface covered by the active layer. The maximum rate of OII degradation obtained is 81.16% for an irradiation time of 6 h with ZnO doped by 6% Cu layers deposited by hydrothermal method on substrates of DD3 + 38% ZrO2.The clay powders DD3 with ZrO2 and (ZnO, CuO) / (Zn, Cu) prepared by both above cited methods, showed a high photocatalytic activity in a very short time (a large specific surface).The degradation rate is 93.63% for the powder DD3 + ZrO2 + 14.28% ZnO + 5.37% CuO and 92.09% for DD3+ZrO2+10%MgO prepared by traditional mixing under UV light for 15 min.Item Elaboration et caractérisation des couches minces des Semi-conducteurs(Université d'Oum El Bouaghi, 2024) Aounallah, Hadia; Zaabat, MouradDans cette thèse, des couches minces d'Oxyde de Zinc (ZnO) co-dopées d'aluminium (Al) et de manganèse (Mn) ont été synthétisées avec succès sur des substrats de verre par la méthode de sol-gel associée au " dip-coating " avec différentes concentrations d'Al (1 %, 3 % et 5 %). Nous avons également préparés les nanopoudres d'oxyde de zinc dopées au manganèse et à l'aluminium avec des concentrations de 3%, 7% et 15% respectivement, en utilisant la méthode hydrothermale. Les propriétés structurelles, morphologiques et optiques des films minces et des nano poudres obtenus ont été caractérisées par diffraction des rayons X (XRD), microscopie à force atomique (AFM), spectroscopie UV-VIS, spectroscopie Infrarouge à Transformée de Fourier (FTIR). Le diagramme XRD a révélé que les films ont une structure polycristalline hexagonale avec une orientation préférée le long de la direction (101) pour les films minces de ZnO non dopés, de plus les films minces de ZnOco-dopés montrent un décalage dans l'orientation préférée vers la direction (002) sans aucunes phases apparentées à Al ou Mn. L'analyse morphologique a montré que les films ont des grains de ZnO uniformes et denses, sans aucun vide ni fissure, et il a été constaté que la rugosité de surface (RMS) passe de 8,27 à 14,43 nm lorsque la concentration de dopage en Al varie de 1 % à 3 % ; cependant, lorsque la concentration de dopage en Al est de 5 %, la valeur de RMS a diminué à 2,80 nm. Les résultats de l'analyse par DRX et FTIR des nanopoudres d'oxyde de zinc préparées par la méthode hydrothermale, dopées avec une concentration de 15% en aluminium, ont révélé la présence d'une phase supplémentaire de structure ZnAl2O4. In this thesis, Aluminum (Al) and Manganese (Mn) co-doped ZnO thin films were successfully synthesized into glass substrates by the sol-gel dip-coating method with different Al concentrations (1%, 3%, and 5%). We also prepared manganese and aluminum-doped zinc oxide nanopowders at concentrations of 3%, 7%, and 15% respectively, using the hydrothermal method. The structural, morphological, and optical properties of the resulting thin films and nano powders were characterized using X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), UV-VIS spectroscopy, and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). XRD pattern revealed that the films have a polycrystalline hexagonal structure with a preferred orientation along (101) for undopedZnO thin films, further the co-doped ZnO thin films show a shift in the preferred orientation to (002) direction without any Mn or Al related phases. The morphological analysis showed that the films have a uniform and dense ZnO grains, without any voids and cracks, and it was found that the surface roughness (RMS) increases from 8,27 to 14,43 nm when the Al doping concentration increased from 1% to 3%; however, when Al doping concentration is 5%, the RMS value decreased to 2,80 nm. The results of X-ray diffraction (XRD) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis of the zinc oxide nanopowders prepared using the hydrothermal method, doped with a 15% concentration of aluminum, revealed the presence of an additional phase with ZnAl2O4 structure.Item Elaboration et caractérisation des nanopoudres d'oxyde de fer par voie sol-gel(Université De Larbi Ben M’hidi Oum EL Bouaghi, 2022) Grabsi, Imen; Bouaicha, Faiza; Zaabat, MouradL’objectif de cette thèse est la synthèse et à la caractérisation structurale, morphologique et magnétique des nanoparticules d’oxydes de fer non dopé et dopé par plusieurs additifs. Des échantillons ont été préparés à partir des nitrates et des chlorures avec la méthode sol-gel et d’autres par la méthode de Coprécipitation dans le but d’étudier l’effet de dopage sur les différentes propriétés des oxydes de fer. Les échantillons ont été caractérisés par diffraction des rayons X (DRX), la microscopie électronique à balayage (MEB), la Spectrométrie à rayons X à dispersion d’énergie (EDS), la spectroscopie infra rouge a Transformée de Fourier (FTIR) et les mesures magnétiques par le PPMS et ZFC (FC). Les résultats de DRX montrent l’obtention des phases maghémite (γ-Fe2O3) et hématite (-Fe2O3) avec une fraction majoritaire accompagnait des phases spinelles selon le type de dopage. Les microphotographies MEB et l’EDX mettent en évidence la création de la phase maghémite (γ-Fe e2O3) et hématite (-Fe2O3). Les mesures magnétiques confirment le comportement ferromagnétique, paramagnétique et super-paramagnétique selon le type de dopage. The objective of this thesis is the synthesis and the structural, morphological and magnetic characterization of iron oxide nanoparticles not doped and doped with several additives. Samples were prepared from nitrates and chlorides with the sol-gel method, and others by the method of Coprecipitation in order to study the effect of doping on the different properties of iron oxides. The samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), EDS, FTIR and magnetic measurements by PPMS and ZFC (FC). The results of XRD show the obtaining of the phases maghemite (γ-Fe 2O3) and hematite (-Fe2O3) with a majority fraction accompanied by spinel phases according to the type of doping. SEM and EDX photomicrographs highlight the creation of the maghemite (γ-Fe 2O3) and hematite (-Fe2O3) phase. The magnetic measurements confirm the ferromagnetic, paramagnetic and super-paramagnetic behavior depending on the type of doping. الهدف من هذه الرسالة هو التوليف والتوصيف التركيبي والمورفولوجي والمغناطيسي لجسيمات أكسيد الحديد النانوية غير المطعمة والمطعمة. تم تحضير عينات من النترات والكلوريدات بطريقة سول-جل. وأخرى بطريقة الترسيب المشترك في بهدف دراسة تأثير المنشطات على الخصائص المختلفة لأكاسيد الحديد. تميزت العينات بحيود الأشعة السينية (XRD) والمسح المجهري الإلكتروني (SEM) و EDX و IR والقياسات المغناطيسية بواسطة PPMS و (ZFC (FC. تظهر نتائج XRD الحصول على أطوار المغيميت (γ-Fe e2O3) والهيماتيت (-Fe2O3) مع جزء أغلبية مصحوبًا بمراحل الإسبنيل وفقًا لنوع المنشطات. تسلط الصور المجهرية للصور المجهرية SEM و EDX الضوء على إنشاء مرحلة maghemite γ-Fe2O3)) والهيماتيت (-Fe2O3). تؤكد القياسات المغناطيسية السلوك المغنطيسي الحديدي ، والمغناطيسي ، والفائق المغناطيسية اعتمادًا على نوع المنشItem Elaboration et caractérisation des oxydes métalliques(Oum-El-Bouaghi, 2020) Derrar, Khaoula; Zaabat, MouradCe travail est consacré à l'élaboration des couches minces de dioxyde d'étain SnO2 par la méthode spray pyrolyse. Les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques de ces films ont été étudiées à l'aide de différentes techniques: diffraction des rayons X, microscope électronique à balayage, rayons proche infrarouges, spectroscopie UV et visible, méthode des quatre pointes, effet Hall et photoluminescence. Les travaux furent commencer par une série d'échantillons de dioxyde d'étain ont été préparés à différentes concentrations (0.05, 0.1, 0.15 et 0.2 mol/l) sur des substrats en verre. Dans la deuxième partie, une étude a été réalisée sur l'effet du dopage avec l'antimoine (15, 7, 5, 0 et 25 Wt.% Sb) sur les propriétés physiques des couches minces de dioxyde d'étain. L'étude structurale a montré que les couches minces de SnO2 sont cristallisées en phase rutile. Les résultats de la caractérisation optique montrent que tous les films sont transparents (85 - 90%) dans le visible et opaque dans UV, ainsi que la bande interdite de tous les échantillons est entre 3,6 eV et 3,9 eV. En ce qui concerne l'effet du dopage en Sb, les résultats de la diffraction des rayons X ont montré que tous les films minces SnO2 dopé Sb ont une structure cristalline de type rutile et l'orientation préférentielle change avec l'ajout du dopage en Sb de (110) à (200). La taille des cristaux varie de 26,3 à 58 nm. Les observations en MEB des échantillons montrent que la morphologie de la surface et la taille des grains affectées par le taux de dopage. Les films (SnO2: Sb) sont transparents dans la région visible à environ 86% et opaques dans la région ultraviolette. La bande interdite, déterminée à partir des spectres de transmission varie entre 3,92 et 3,98 eV. La caractérisation électrique établit que la conductivité électrique maximale est de 362,5 (?.cm)-1 obtenue pour l'échantillon dopé (5% Wt.Sb) avec une valeur de résistance très faible estimée à 2,758 (?cm).Item Elaborations et carctérisations des couches minces(Université Oum El Bouaghi, 2018) Medjaldi, Malika; Zaabat, MouradLe présent travail consiste en l'élaboration et la caractérisation des couches minces de ZnO non dopées et dopées par différentes concentrations d'indium (In) en poids afin d'améliorer les propriétés structurales et optiques du ZnO. Les échantillons ont été élaborées par la méthode Sol-Gel, puis déposées sur des substrats en verre par la technique Dip-Coating. La caractérisation structurale a montré la formation du ZnO de structure hexagonale (wurtzite) avec une orientation préférentielle selon le plan (002). Les images MEB et AFM ont révélé le caractère nanométrique de nos couches. La diffusion Raman a confirmé les résultats de la DRX à savoir la formation du ZnO de structure hexagonale (wurtzite). Les spectres EDX ont prouvé l'existence, dans nos couches, des éléments (zinc, oxygène) et de l'indium pour les pourcentages de 5 et 10%. L'incorporation de l'indium a été aussi prouvée par la Spectroscopie XPS. La spectroscopie UV-visible a montré que nos couches ont une transparence, dans le visible, qui varie entre 75 et 80%. Et que le gap change avec l'augmentation du dopage. La photoluminescence des films a montré des émissions ultraviolettes (UV) et visibles liées aux défauts.Item Etude bidimensionnelle du MESFET en utilisant la technique de fonction de green(Université Oum El Bouaghi, 2011) Khoualdi, Nadjet; Zaabat, MouradDans ce mémoire nous avons essayé de déterminer la limite bidimensionnelle de la zone dépeuplée d'un transistor à effet de champ, et pour déterminer les caractéristique des MESFET en utilisant le modèle de CURTICE. Dans le premier chapitre, nous avons présenté les transistors à effet de champ MESFE Dans le deuxième chapitre nous avons introduit la fonction de Green et le modèle de CURTICE pour déterminer la limite de la zone dépeuplée et leurs caractéristiques Dans le troisième chapitre, nous avons développé un logiciel pour étudier les caractéristiques du MESFET. En changeant les paramètres de la structure. Nous avons tracé des courbes représentant le profil de la zone dépeuplée, le potentiel, les caractéristiques IV courant tension, l'effet des résistances parasites sur les caractéristiques courant drain, la transconductance en fonction de tension de la grille, la conductance en fonction de tension de drain, la capacité de la grille en fonction de tension de grille du transistor à effet de champ.Item Etude des propriétés optiques, mécaniques, antibactériennes et photocatalytiques des nanostructures à base d'oxyde métalliques ''ZnO''(université oum el bouaghi, 2018) Benzitouni, Sara; Zaabat, MouradDans ce travail de thèse, nous avons étudié d'une part, des couches minces de ZnO non dopées, dopées Indium et dopées Cobalt préparés sur des substrats de verre par la technique de sol gel associé au dip-coating, afin d'améliorer leurs propriétés structurales, optiques, électriques et de vérifier leurs propriétés mécaniques. D'autres part, nous avons étudié des nanopoudres de ZnO non dopées, dopées In et co-dopées (In, Mg) préparés par la méthode de co-précipitation chimique, afin d'améliorer leurs propriétés photocatalytiques et antibactériennes. La température de séchage est couramment utilisée dans le traitement sol-gel entre les couches ultérieures. Ceci est fait pour évaporer le solvant et éliminer la plupart des composés organiques. La qualité cristalline, texturale et la transmittance optique ont été améliorés lorsque la température de séchage augmente de 150°C à 400 °C. Cependant, la température 300 °C a été gardé pour la préparation des couches minces de ZnO dopées. Les résultats concernant les couches minces de ZnO fortement dopées In ont montré que ZnO dopés 11 at% In a une transparence plus élevée (> 93%) que l'ITO, le rival absolu des TCO, mais la conductivité reste encore à améliorer (0,41 .cm). Des travaux sont en cours pour y remédier en proposant un co-dopage judicieux de ZnO. De plus, des excellents résultats concernant les propriétés mécaniques de ZnO dopés Cobalt ont été obtenus tels que le module d'Young [367 ± 66 - 391 ± 44] GPa, confirmant leur utilisation dans les applications spintroniques. Finalement, les nanopoudres de ZnO co-dopés (In, Mg) ont montré une performance photocatalytique plus élevée que les nanoparticules de ZnO non dopées et mono-dopées. Spécialement. L'échantillon dopé 15 wt% Mg a donné un meilleur degré de dégradation 90 % d'OR-II pendant 20 min sous irradiation d'UV. Tandis que les nanoparticules de ZnO dopées In présentent une activité antibactérienne supérieure à celles des NPs de ZnO non dopées et co-dopées.Item Etude structurale, mécanique et tribologique de multicouches ZrN/TaN pour des applications biomédicales(Université Larbi Ben M'hidi Oum El Bouaghi, 2022) Rahmouni, Khaoula; Zaabat, MouradDans ce travail, la technique OAD est utilisée pour modéliser la tête fémorale d'une prothèse orthopédique. L'objectif est de mieux comprendre l'influence de l'angle d'incidence sur la morphologie de films de nitrures de métaux de transition déposés par OAD, pour estimer le comportement de ces revêtements sur une prothèse de hanche réelle. La méthodologie employée s'appuie sur une approche à la fois expérimentale (pulvérisation DC magnétron réactive) et numérique (SRIM, SIMTRA et NASCAM). Les systèmes étudiés sont les métaux de transitions du groupe IV et leurs nitrures (TaN, ZrN) avec les multicouches architecturées, matériaux prometteurs pour des applications biomédicales. Structure cristalline, texture et morphologie de croissance sont étudiées par DRX, imagerie MEB et certaines de leurs propriétés (tribologique, résistance à la corrosion, résistivité électrique et mouillabilité) ont été déterminées. Les résultats expérimentaux et numériques se complètent mutuellement et permettent une meilleure compréhension des nombreux aspects de l'étude. In this work, the OAD technique is used to model the femoral head of an orthopedic prosthesis. The aim is to better understand the influence of the angle of incidence on the morphology of thin films of transition metal nitrides deposited by OAD, to evaluate the behavior of these coatings on a real femoral head of a hip prosthesis. The methodology used is based on an approach that is both experimental (reactive DC magnetron sputtering) and digital (SRIM, SIMTRA and NASCAM). The systems studied are transition metals of group IV and their nitrides compounds (TaN, ZrN) with structured multilayers, promising materials for biomedical applications. The crystalline structure, texture and growth morphology are studied by XRD, SEM imaging and some of their properties (tribological, corrosion resistance, electrical resistivity, and wettability) have been determined. The experimental and numerical results complement each other and allow a better understanding of the many aspects of the study.Item High Transparency Of Zno(Oum-El-Bouaghi University, 2018) Mahdjoub, Abdelhakim; Benzitouni, Sara; Zaabat, MouradUndoped and heavily indium doped ZnO were deposited by dip-coating sol-gel method on glass substrates. When undoped ZnO was deposited the maximum value of transmittance decreases from 91% for bare substrate to less than 86%. However for ZnO:In coated substrate an unexpected high transmittance of 93.5% was obtained, exceeding that of bare glass substrate. To understand this particular behavior a theoretical model based on the propagation of electromagnetic waves in thin films was adapted to the studied samples and the measured transmittance spectra were perfectly fitted. The optical analysis of the two types of samples showed that the deposited films are dense inside the film while their refractive index decreases for the surface layers. Besides, it was noted that even if the preparation conditions are strictly identical, the heavily doped ZnO films is thicker and less dense then that of undoped ZnO. These results agree with AFM and SEM observations. The particular optical behavior described in this paper could be very beneficial for optical, optoelectronic and solar applications.Item Influence of annealing temperature on the structural, morphological and optical properties of Cu doped ZnO thin films deposited by the sol–gel method(Elsevier, 2014) Saidani, Tarek; Zaabat, Mourad; Aida, Mohammed Salah; Benaboud, Ahlem; Benzitouni, Sarah; Boudine, AzzedineIn this work, the characteristics of 5 wt% Cu doped ZnO thin films deposited by sol gel on glass substrates were studied. The objective of the present work is to study the influence of different annealing temperatures on the structural, morphological and optical properties of 5 wt% Cu doped ZnO thin films. For this purpose we have used XRD, AFM and UV–visible spectroscopy for films characterization. Structural analysis showed that all films are polycrystalline with hexagonal wurtzite structure and preferred orientation (002) which gradually improves with increasing the annealing temperature. The grain size is calculated by the Scherrer method ranges from 21.65 nm to 36.47 nm. The AFM study showed an increase in surface roughness with increasing annealing temperature. Optical characterization in the visible range from 300 to 1100 nm showed that the deposited layers have a high transmission factor (>78%). The calculated gaps vary between 3.28 and 3.36 eV in the whole investigated annealing temperature rangeItem Irradiance And Temperature Impact On Thin Film Materials I-v Curves(Oum-El-Bouaghi University, 2013) Haloui, Hafsia; Touafek, Khaled; Zaabat, MouradThe thin-film solar cells are becoming increasingly used in various applications; this is mainly due to the continued high cost of mono or polycrystalline silicon. In addition, the thin film technology offers the most diverse applications including uses low solar irradiance. The main fields of thin film solar cells are: the chain of amorphous silicon (a-Si), the chain of cadmium telluride (CdTe) and chalcopyrite sector (CIS and CIGS material). In this paper, a study on the influence of light and temperature on the characteristics I (V) of different thin film photovoltaic cells (a-Si:H single, a-Si:H tandem a-Si:H tripple, CdTe and CIS) is detailed. Under standard conditions (illumination of 1000W/m2 and cell temperature 25° C), we see that the CdTe is the closest that the monocrystalline silicon which has a maximum value of short circuit current material (3,26A).Item L'approche quantique du transistor mosfet(Université Oum El Bouaghi, 2011) Siouane, Wafa; Zaabat, MouradL’industrie des circuit intégrés est actuellement basée sur la réduction des démentions des dispositifs électroniques actifs tels que les transistors à effet de champ MOSFETs . On peut améliorer les paramètres physiques et géométriques du composant tel que le profil de dopage de la zone active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur de canal afin d’obtenir des performances élevées. Au début de la présentation, on présente la famille des différents transistors à effet de champ, Ainsi les propriétés physiques des semi conducteurs telles que l’énergie de bande interdite, le champ critique, la densité de porteurs intrinsèques, la mobilité et la vitesse des porteurs seront abordées dans la présente étude .Cette partie sera clôturée par la présentation Du transistor MOSFET et de son principe de fonctionnement. L’étude des propriétés statiques du composant MOSFET, nous conduit à définir l’ensemble des équations régissant le comportement de la zone active.et d’identifier les paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor. Finalement, on doit vérifier la validité des différents résultats obtenus dans l’étude théorique par la simulation des paramètres dominants caractérisant ce composant.Item Modélisation et caractérisation des circuits passifs intégrés(Université d' Oum El Bouaghi, 2013) Ziar, Toufik; Zaabat, MouradDans cette thèse nous avons essayer de présenter l'importance qu'a jouée les simulateurs micro ondes commerciaux dans la fabrication des circuits intégrés, spécialement dans les premières étapes de conceptions par la recherché des modèles précis, pour les éléments passifs ou actifs des circuits, utilisés pour prédire les caractéristiques optimales attendues du composant une fois implémenté dans le circuit. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels utilisant les méthodes d'analyse électromagnétiques globales, il existe deux types de méthodes : a. Les méthodes temporelles : - (Finite Di erence Time Domain Technique (FDTD) - finite element Time Domain (FETD). Transmission Line Method (TLM)) b. Les méthodes fréquentielles :-Finité Elément (FE) - Méthod of Moment (MoM) - wave concept iterative procedure (WCIP) Utilisant la méthode itérative basée sur le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développé sous MATLAB basé sur la méthode WCIP pour simuler plusieurs circuits passifs planaires à base de micro rubans. Ces circuits passifs ont été analysés par la recherché des e ets des paramètres des structures (largeur du micro ruban, permittivité du substrat, hauteur du substrat, espace interligne etc..) Sur les caract éristiques du circuit global. Cette dernière tache a été exécutée en xant les paramètres des structures et laissant à chaque fois un paramètre d'ajustement pour voir l'in uence de sa variation sur les caractéristiques du circuit. Nous avons tracé des gures pressentant les e ets des variation des paramètres des di érentes structures sur les caractéristiques globales du circuits comme l'impédance vue par la source, les paramètres de ré exion et de transmission ainsi que les distribution des densités des courant à l'interface du circuitItem Modélisation et caractérisation des circuits passifs intégrés(Université d' Oum El Bouaghi, 2013) Ziar, Toufik; Zaabat, MouradDans cette thèse nous avons essayer de présenter l'importance qu'a jouée les simulateurs micro ondes commerciaux dans la fabrication des circuits intégrés, spécialement dans les premières étapes de conceptions par la recherché des modèles précis, pour les éléments passifs ou actifs des circuits, utilisés pour prédire les caractéristiques optimales attendues du composant une fois implémenté dans le circuit. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels utilisant les méthodes d'analyse électromagnétiques globales, il existe deux types de méthodes : a. Les méthodes temporelles : - (Finite Di erence Time Domain Technique (FDTD) - finite element Time Domain (FETD). Transmission Line Method (TLM)) b. Les méthodes fréquentielles :-Finité Elément (FE) - Méthod of Moment (MoM) - wave concept iterative procedure (WCIP) Utilisant la méthode itérative basée sur le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développé sous MATLAB basé sur la méthode WCIP pour simuler plusieurs circuits passifs planaires à base de micro rubans. Ces circuits passifs ont été analysés par la recherché des e ets des paramètres des structures (largeur du micro ruban, permittivité du substrat, hauteur du substrat, espace interligne etc..) Sur les caract éristiques du circuit global. Cette dernière tache a été exécutée en xant les paramètres des structures et laissant à chaque fois un paramètre d'ajustement pour voir l'in uence de sa variation sur les caractéristiques du circuit. Nous avons tracé des gures pressentant les e ets des variation des paramètres des di érentes structures sur les caractéristiques globales du circuits comme l'impédance vue par la source, les paramètres de ré exion et de transmission ainsi que les distribution des densités des courant à l'interface du circuitItem Simulation des cellules solaires(Université Oum El Bouaghi, 2013) Reghiss, Imane; Zaabat, MouradLe but de cette thèse est de voir l'influence de différents paramètres (température irradiation) sur les caractéristiques courant-tension puissance-tension. Notre étude est basée sur un modèle à une exponentielle ; utilisant l'une des méthodes numérique pou résoudre l'équation de courant. Dans ce travail nous avons crées un programme de MATLAB qui permet de tracer les courbes I-V, P-V des cellules photovoltaïques. Enfin, faire une approche entre le modèle 1SHT-245 et notre cellule simulée.