Browsing by Author "Zaabat, M"
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Item Comparaison des modèles non linéaire I-V du transistor Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Filali, Anissa; Zaabat, MDans ce travail nous présentons une comparaison des deux modèles non linéaires du transistor MESFET GaAs utilisés dans la littérature avec le modèle standard. D'abord, nous avons présenté la famille des différents composants actifs et qui utilisent les techniques CAO pour modéliser ces caractéristiques. C'est dans ce cadre, nous avons étudié les propriétés physiques de l'arséniure de gallium et du contact Schottky de grille. Ensuite, nous exposons un rappel de la structure du composant MESFET et son principe de fonctionnement ainsi les phénomènes physiques qui régissent ses performances. Enfin, nous présentons une étude des propriétés statiques du MESFET GaAs pour décrire le comportement de la zone active tel que le courant de drain, l'expression de la transconductance, la conductance et la capacité, ainsi que les propriétés statiques des deux modèles non linéaires que nous avons adopté. Nos résultats obtenus ont été discutés et comparés avec celle de l'expérimentalItem Etude des surfaces actives pour applications aux circuits(Université d' Oum El Bouaghi, 2012) Draidi, Mourad; Zaabat, ML’analyse numérique à deux dimensions est élaborée pour étudier les caractéristiques du transistor à effet de champ, l'influence de la géométrie du composant comme la distance entre la grille et du drain, ou entre la grille et la source. Une comparaison entre deux modèles différents pour la simulation des caractéristiques statiques du MESFET submicronique GaAs a été faite. Un modèle à deux dimensions a été présenté pour étudier les caractéristiques du transistor à effet de champ, l’influence de la géométrie du composant. Toutes les simulations ont révélé l’existence d'une région à haut champ électrique près de la zone de contact de la grille, qui crée une zone dépeuplée autour de la grille, mais les études précédentes ont négligé les effets de bord, qui sont très significatifs pour ces composantsItem Etude et modélisation de nano-composants semi conducteur(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Dridi, Charazed; Zaabat, MDans une première partie le travail présenté dans cette thèse porte sur l'étude des circuits SIW (Substrate Integrated Waveguide) qui sont en mouvance avec le développement technologique qu'a connu le domaine de transmission et micron ondes ces dernières années, ceux sont des candidats très prometteurs pour cette nouvelle technologie qui se dirige de jour en jour vers la miniaturisation, et la réduction du coût de fabrication. Une seconde partie de cette thèse a été consacrée aux structures périodiques électromagnétiques à bandes interdites conçues par des nanotubes de carbones qui présentent des propriétés électriques et mécaniques très intéressantes pour l'avenir de la transmission nanométrique. Un outil d'analyse globale basé sur la méthode itérative WCIP(Wave concept iterative process) a été développé ,cette méthode récente originale a été exploité dans l'études de circuits SICs à via holes métalliques ainsi que pour les structures EBG a base de nanotube de carbones . A la fin nous avons procédé à la discussion des résultats obtenus par simulationItem Modélisation bidimensionnelle de circuits actifs hyperfréquence(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Amri, Houda; Zaabat, MCircuits à ondes courtes sont les circuits QUI ont des fréquences élevées et exigent une grande précision à accomplir et il est donc nécessaire de réaliser plusieurs modèles pour les tester et de déterminer les actions initiales de chaque modèle et de la mise en place du programme d'étude globale, peut effectuer une étude de l'état général du circuit avant la fin, mais la méthode traditionnelle est basée sur l'augmentation statistiques sur les détails d'éléments douteux. C'est notre travail à l'étude de circuits planaires à de très hautes fréquences en utilisant façon numérique FMT -ci dépend de la définition de l'onde et est une méthode mise au point dans le laboratoire et le courrier ENSEEIHT Tatmdz à déterminer la relation entre les vagues et réfléchis et respecter les conditions aux limites et les relations de continuité dans le domaine de l'espaceItem Utilisation de la méthode non linéaire pour la caractérisation du Moseft(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Zemmal, Badr Eddine; Zaabat, ML'industrie des circuits intégrés est actuellement basée sur la réduction des dimensions des dispositifs électroniques actifs tels que les transistors à effet de champ MOSFETs. On peut améliorer les paramètres physiques et géométriques du composant tel que le profil de dopage de la zone active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur du canal afin d'obtenir des performances élevées. Au début de la présentation, on présente la famille des différents transistors à effet de champ et on montre les avantages pour l'utilisation en hyperfréquence. Les propriétés physiques des semi conducteurs telles que l'énergie de bande interdite, la densité de porteurs intrinsèques, la mobilité et la vitesse des porteurs et le champ de claquage seront abordées dans la présente étude .Cette partie sera clôturée par la présentation du transistor MOSFET et de son principe de fonctionnement L'étude des propriétés statiques du composant MOSFET, nous a conduits à définir l'ensemble des équations régissant le comportement de la zone active, et d'identifier les paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor. Finalement, on doit vérifier la validité des différents résultats obtenus dans l'étude théorique par la simulation des paramètres dominants caractérisant ce composant