Browsing by Author "Saidi, Y"
Now showing 1 - 3 of 3
Results Per Page
Sort Options
Item Caractérisations bidimensionnelles du transistor à effet de champ Mesfet GAAS(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Hafnaoui, Hakima; Saidi, YNous ne reviendrons pas sur le but de notre travail et l'étude des caractéristiques bidimensionnelles du MESFET GaAs dans ce but on a résolu une équation aux dérivées partielles du second ordre à deux variables indépendantes c'est l'équation de poisson qui régissent le fonctionnement du transistor MESFET. Les méthodes de résolution qu'on a utilisé sont basées sur les approximations numériques des fonctions inconnues par : - Méthode de perturbation - Méthodes des différences finies. les résultats obtenus qui ont été rappelés dans dernier chapitre montre que dans les deux méthodes ce régime linéaire, c'est à dire à faible tension de polarisation de drain, nous remarquons un bon accord entre les valeurs expérimentales et celles de la simulation et lorsque la tension de drain augmente et devient plus importante nous remarquons que dans la méthode des différences finies seulement un certain écart entre les valeurs expérimentales et les résultats de la simulation qui augmente au fur et à mesure jusqu'à la saturation. Cet écart est principalement dû aux approximations faites soit dans le modèle mathématique et dans le logiciel de simulation, à l'effet des paramètres géométriques, ainsi qu'à l'existence des phénomènes quantiques parasites que nous ne n'avons pas pris en considération (négligence du courant dans la zone de charge d'espace). Finalement, la possibilité de réduire encore dans le futur les dimensions des composants électroniques nous semble dépendre au moins autant de la maîtrise de la technologie de réalisation de ces composants que de la possibilité de bien contrôler l'ensemble des phénomènes associés aux propriétés du composant MESFET GaAsItem Contribution à l'étude des propriétés statiques du mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Hamma, Issam; Saidi, YPour la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés, il est nécessaire d'établir des modèles théoriques simples qui tiennent compte de tous les effets qui ont lieu au niveau de l'élément constitutif de ces circuits qui est le MESFET GaAs. Dans ce mémoire, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant - tension (I-V), d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de Gallium Dans ce mémoire nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courantes tensions I-V d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'Arséniure de Gallium dit MESFET GaAs, qui joue un rôle primordial dans la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs qui aura lieu dans la première partie, Une étude analytique des caractéristiques statiques du composant en se basant sur l'approximation de la zone de déplétion graduelle dépourvue de porteurs libre avec un canal de dopage uniforme en prenant compte l'influence des paramètres physiques et géométriques, ainsi l'effet de mobilité et des éléments parasites. L'influence de la température sur le comportement du MESFET GaAs. Les résultats obtenus permettent de déterminer les propriétés du courant sous l'effet des paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue d'une application d'amplification en puissance micro-ondes. Un compromis est déterminé entre les différents paramètres ainsi que le choix d'une loi de mobilité valable pour GaAs. Ces résultats permettent la mise au point de géométries du composant adaptées à des utilisations spécifiques et seront d'un grand apport pour la conception assistée par ordinateur des circuits micro-ondesItem Phénomène de transport dans les semi-conducteurs(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Djebbari, Nehla; Saidi, YDans ce travail, nous avons fait l'étude du phénomène de transport dans les semi-conducteurs. On s'est intéressé en particulier aux phénomènes de transports polarisés des spins. Une étude théorique et numérique a été réalisée dans le cas d'un dispositif appelé transistor spin-FET où il a été question de mettre en évidence ce type de transport. Ainsi donc en se basant sur des récentes études sur les contacts ferromagnétique- semi-conducteur, on a pu étudier la transconductance de ce transistor analogue au transistor de type HEMT dans lequel on remplace les zones de contacts de source et de drain par des contacts ferromagnétiques. Le contact de source joue le rôle de polariseur de spin pour les électrons injectés dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain est un analyseur de spin pour les électrons parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des électrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de le contrôler, grâce à la tension de grille. Cette étude a été couronnée par une analyse numérique en fonction du champ extérieur et des caractéristiques internes du semi-conducteur