Browsing by Author "Moualkia, Hassiba"
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Item Caractérisations optiques de couches minces de sulfure de cadmium déposées par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2013) Cheriet, Halima; Moualkia, HassibaCe travail de recherche porte sur l'élaboration et la caractérisation des couches minces de sulfure de cadmium (CdS) préparées par bain chimique. Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l'effet des paramètres de dépôt sur les propriétés optique et morphologique des couches minces de CdS. Nous nous sommes basés sur l'approximation des milieux effectifs de Bruggeman et le model de Swanepoel pour modéliser la couche mince de CdS. L'ajustement entre les spectres expérimentaux et théoriques nous a permis de déduire l'épaisseur et les indices optiques des films de CdS déposés.Item Effet du temps de dépôt sur les propriétés optiques et structurales des couches minces de sulfure de cuivre (CuxS) déposées par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2019) Belhamel, Meryem; Djaber, Radhia; Moualkia, HassibaCe travail porte sur l'effet du temps de déposition sur les propriétés optiques et structurales des couches minces de CuxS déposées par bain chimique. La transparence des films déposés atteint 40 % dans le visible. Dans la gamme spectrale UV [191 nm - 340 nm], les films présentent une absorbance élevée. Les valeurs du gap optique varient entre 2.24 eV et 2.28 eV en fonction du temps de dépôt. Les films minces CuxS sur des substrats de verre ont une structure hexagonale du covellite CuS. Cependant, les films déposés sur les substrats de silicium présentent un mélange des phases cristallines covelite CuS et chalcocite Cu2S.Item Elaboration et caractérisation optique des couches minces de sulfure de cadmium (cdS)(Université Oum El Bouaghi, 2014) Houasdi, Hanane; Moualkia, HassibaCe travail de recherche porte sur l'élaboration et la caractérisation des couches minces de sulfure de cadmium (CdS) préparées par bain chimique. Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l'effet de la concentration de l'ammoniaque et le nombre de dépôts sur les propriétés optiques des couches minces de CdS. Les résultats montrent que, dans le cas où le nombre de dépôt = 3, l'énergie d'Urbach augmente avec la concentration de l'ammoniaque et l'épaisseur des films diminue quand la concentration de l'ammoniaque est égale 10 mol/l. l'augmentation du nombre de dépôt de 2 à 3 mène à l'amélioration de la transmit tance, à l'augmentation de l'épaisseur des films et à la diminution de l'énergie d'urbach.Item Elaboration par bain chimique et étude des couches minces de sulfure cadmium (cds) et sulfure de cuivre (cuS)(Université Oum El Bouaghi, 2018) Djebbar, Khaoula; Moualkia, HassibaCe travail porte sur le dépôt des couches minces de CdS et de CuxS par une méthode simple qui est la déposition par bain chimique. Notre but est de préparer des couches de bonnes qualités pour leur utilisation dans des applications dans les cellules solaires. L'étude des propriétés physiques des couches préparées en fonction du temps de déposition a montré que : les couche de CdS ont une structure cubique, les films ont une transparence qui dépasse 70 % dans le visible et les valeurs du gap optique varie entre 2.13 et 2.38 eV. Concernant les films minces de CuxS, les résultats ont montré que les films ont un aspect amorphe et transmittance est autour de 30 % dans le visible. Ce travail nous a permis de s'approcher des conditions de dépôt appropriées pour déposer le CdS et le CuxS.Item Etude des propriétés de couches minces du sulfure de cadmiun déposées par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2012) Laouadi, Nour El Houda; Moualkia, HassibaCe travail de recherche porte sur l'elaboration et la caracterisation des couches minces de sulfure de cadmium (CdS) preparees par bain chimique. Notre objectif est de donner une étude comprehensive sur l'effet de temps de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces de CdS. Les films du CdS ont une structure cubique le long de plan (111) C. Les caractéristiques de la morphologie observée pour les films indiquent que les couches sont formées par des réactions ioniques en surface. Les films ont une transmittance qui dépasse 60% dans le visible. Les propriétés électriques montrent que la R varie entre 108 et 109.Item Influence des paramètres de dépôt sur les propriétés de sulfure de cadmium CdS déposé par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2012) Terbak, Samira; Moualkia, HassibaCe travail de recherche porte sur l'élaboration et la caractérisation des couches minces de sulfure de cadmium (CdS) préparées par bain chimique. Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l'effet de temps de dépôt sur les propriétés physiques de couches minces de CdS. Les films du CdS ont une Hexagonale le long de plan (002) C. les caractéristiques de la morphologie observée pour les films indiquent que les couches sont formées par des réactions ioniques en surface. Les films ont une transmit tance qui dépasse 60% dans le visible. Le gap de la bande interdite varie entre 2.37 et 2.43 EV et l'énergie d'Urbach varie entre 173 et 590 mev.Item L’Effet du triethanolamine (TEA) sur les Propriétés optiques et structurales des couches minces de sulfure de cuivre (CuxS) déposées par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2019) Tounsi, Nadia; Zaidi, Islah; Moualkia, HassibaCe travail porte sur le dépôt des couches minces de CuxS par déposition par bain chimique. Notre but est de préparer des couches de bonnes qualités pour leur utilisation dans des applications de la photocatalyse. L'étude des propriétés physiques des couches préparées en fonction de la variation du volume de Triethanolamine montre que : les couche de CuxS ont une structure hexagonal,alors que les Propriété optique montre que les films ont une transparence qui dépasse 65% pour 10 ml volume de Triethanolamine et une transparence qui dépasse 45% pour 7 ml volume de Triethanolamine et une transparence qui dépasse 20% pour 5 ml volume de Triethanolamine dans le visible. Ce travail nous a permis de s'approcher des conditions de dépôt appropriées pour déposer le sulfure de cuivre.Item Preparation by sol-gel process of ZnO/TiO2Nanocomposite and its activity for Methyl Orange Degradation(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Djeddi, Nassira; Telili, Zahra; Moualkia, HassibaCe travail porte sur la préparation par sol-gel des nano composites à base de ZnO et TiO2. Nous avons préparé deux séries d’échantillons. Pour la première, nous avons modifié les pourcentages du ZnO et duTiO2, les nanocomposites préparés sont (65% ZnO/35% TiO2 ,75% ZnO/25% TiO2 ,80% ZnO/20% TiO2 ,85% ZnO/15% TiO2). Tandis que pour la deuxième série nous avons varié la température de calcination de 300°C à 900°C du nano composites (80% ZnO/20% TiO2). Les propriétés structurales, et optiques obtenues des nano composites ont été étudiées, en utilisant respectivement le spectre DRX, et UV-Vis, FTIR. Les résultats DRX nous donnent deux phases ZnO et Zn2TiO4. Les spectres UV-visible montrent que la capacité d'absorption des nanocomposites est significativement améliorée dans le visible. Les bandes d’absorption pour ZnO et Zn2TiO4 ont été détectés par analyse FTIR. Comme application nous avons utilisé les nanocomposites de (𝑍𝑛𝑂/TiO2)dans la dégradation photocatalytique du méthyle orange. Les nanocomposites préparés ont montré une activité photocatalytique élevée et ont donnéla dégradation du colorant MO en 100 min.Item Préparation des couches minces de sulfure de cuivre (cuxs) par bain chimique et étude de leurs propriétés optiques et structurelles(Université Oum El Bouaghi, 2018) Assoul, Khoula; Aguaguena, Rabab; Moualkia, HassibaDans ce travail nous avons déposé le sulfure de cuivre CuxS par bain chimique. Les échantillons que nous avons déposés sont formés de deux couches de CuxS. En premier lieu, nous avons réalisé des couches minces de CuxS, les temps de dépôt des ces films (premières couches) sont 1h 30 min, 2h, 2h 30 min. Ensuite, avec les mêmes conditions de dépôt, nous avons déposé une deuxième couche de sulfure de cuivre CuxS sur la couche primaire de chacun de ces trois échantillons. De cette manière, nous avons obtenue finales déposées pendant : 3h, 4h et 4h 30 min. Les épaisseurs de ces couches primaires de CuxS sont mesurées par la spectroscopie de rétrodiffusion de Rutherford. Les épaisseurs des couches primaires déposées pendant 1h 30, 2h et 2h 30 min sont 30, 50 et 60 nm, respectivement. Ces valeurs des épaisseurs des couches primaires nous ont permis d'estimer les épaisseurs finales des films déposés (60 nm, 100 nm et 110 nm). Le film déposé à 4h 30 min a montré une absorbance élevée sur toute la gamme spectrale utilisée. Les films de CuxS déposés à 3h et 4h ont une transmittance de 54 % et 38 % respectivement. L'énergie du gap optique varie entre 2,42 eV et 2,47 eV. Les spectres DRX des films de CuxS déposés à 4h et 4h 30 min ont montré de faible pics de diffraction assignés au plan (108), (102) et (110) de la structure hexagonale du covellite CuS.Item Préparation et caractérisation de couches minces de sulfure de cadmium pour des applications photovoltaïques(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Cheriet, Halima; Moualkia, HassibaCe travail de thèse a concerné l'élaboration et la caractérisation des films de chalcogénures à base de cadmium et de cuivre par une technique simple et bon marché en l'occurrence la méthode de dépôt par bain chimique CBD (Chemical Bath Deposition).Tout d'abord nous avons fait une étude bibliographique sur les couches minces, les sulfures métalliques et en particulier le sulfure de cadmium et le sulfure de cuivre qui jouent un rôle principale dans la fabrication des cellules solaires.Nous avons préparé cinq séries deséchantillons, dans la première et la deuxième série, nous avons pris les températures de recuit 300, 350 et 400 °C, en utilisant les temps de dépôt 30 min (1er série) et 60 min (2eme série). Pour la troisième et la quatrième série nous avons varié le rapportR= ?[Zn?^(+2)]/?[Cd?^(+2)], avec le temps de dépôt et 30 min (3eme série) et 60 min (4eme série). Nous avons choisi le zinc comme dopant parce que c'est un matériau disponible et non toxique, de rayon atomique du Zn (0,74 A°) est plus étroit que le rayon atomique du Cd (0,97 A°)signifiant une bonne condition pour le processus de dopage vu que les ions Zn +2 peuvent substituer dans la structure cristalline de CdS et facilité le processus de dopage. Pourla cinquième série, nous avons préparé une série d'échantillons de CuxS, d'où le temps de dépôt est varié entre 2h et 3h, avec une température constante 73°C. La caractérisation structurale des films a révélé que les films de CdS ont une structure cubique. Cependant, Les films de CuxS sont, en général, sous forme de petits grains noyés dans une matrice amorphe. La caractérisation optique montre que les films de CdS sont transparents et ceux de CuxS sont absorbants, dans le visible, ce qui les rend de bons candidats pour la fabrication des cellules solaire (CdS/CuxS). Donc à partir des couches élaborées selon les protocoles expérimentaux, la caractéristique (I-V) de la structure CuxS/CdS qu'on a étudiéeprécédemment, montre presque un comportement redresseur permettant de l'utiliser dans la conversion photovoltaïque. This present work concerned the development and characterization of chalcogenide films based on cadmium and copper by a simple and inexpensive technique. In the first part of this work we made a bibliographical study on the thin layers, the metal sulphides, in particular thecadmium sulphideand the copper sulphidewhich play a principal part in the manufacture of the solar cells. We prepared five series of samples, in the first and second series, we varied the annealing temperature from 300, 350 and 400 °C, using the deposition times 30 min (1st series) and 60 min (2nd series). For the third and fourth series, we varied the ratio R= ?[Zn?^(+2)]/?[Cd?^(+2)], with the deposition time and 30 min (3rd series) and 60 min (4th series). We chose zinc as doping because it is an available and non-toxic material, atomic radius of Zn (0,74 A°) is narrower than atomic radius of Cd (0,97 A°) meaning and good condition for the doping process since Zn+2 ions can substitute into the crystal structure of CdS and facilitate the doping process. Then,the fifth series of CuxS samples, we made a study on the physical properties of the layers prepared with a time of deposition varies. From structural studies of CdS films, we inferred that CdS films have a cubic structre.However, CuxS thin films are composed of small crystallites embedded in an amorphous matrix.The optical studies reveal that CdS films have a hight transparency in the visible range incontrast forCuxS film has a hight absorption in the visible range. This makes them good candidates for the manufacture of solar cells (CdS/CuxS). So from the layers developed according to the experimental protocols, the I-V characteristic of the (CdS/ CuS) structure that we studied previously shows a rectifying behavior allowing it to be used in photovoltaic conversion.Item Préparation et caractérisation des couches minces de sulfure de cadmium cds dopées zn(Université Oum El Bouaghi, 2016) Boumaraf, Ibtissem; Habes, Wissam; Moualkia, HassibaDans ce travail, nous nous sommes intéressés à l'élaboration et la caractérisation des couches minces de CdS, dopées avec le Zinc, déposées par bain chimique. Ensuite, à l'étude de l'influence de la concentration de dopage (Zn) sur les propriétés optiques, structurelles et morphologiques des films de CdS . Nous avons choisi le zinc comme dopant parce que c'est un matériau disponible et non toxique, de rayon atomique du Zn (0,134 nm) est plus étroit que le rayon atomique du Cd (0,151 nm) signifiant une bonne condition pour le processus de dopage vu que les ions Zn +2 peuvent substituer dans la structure cristalline de CdS et facilité le processus de dopage . Les résultats obtenus montrent que les films déposés avec des faibles concentrations de dopage 2, 4 et 6 % présentent de bonnes propriétés physiques.Item Préparation et caractérisation des couches minces de sulfure de cadmium cds dopées zn(Université Oum El Bouaghi, 2016) Boumaraf, Ibtissem; Habes, Wissam; Moualkia, HassibaDans ce travail, nous nous sommes intéressés à l'élaboration et la caractérisation des couches minces de CdS, dopées avec le Zinc, déposées par bain chimique. Ensuite, à l'étude de l'influence de la concentration de dopage (Zn) sur les propriétés optiques, structurelles et morphologiques des films de CdS . Nous avons choisi le zinc comme dopant parce que c'est un matériau disponible et non toxique, de rayon atomique du Zn (0,134 nm) est plus étroit que le rayon atomique du Cd (0,151 nm) signifiant une bonne condition pour le processus de dopage vu que les ions Zn +2 peuvent substituer dans la structure cristalline de CdS et facilité le processus de dopage . Les résultats obtenus montrent que les films déposés avec des faibles concentrations de dopage 2, 4 et 6 % présentent de bonnes propriétés physiques.Item Structural, optical and electrical properties of (Ai/ CuO/ ZnO) and (Ai/ CuO/ SnO2) heterostructures prepared by spray pyrolysis intended for the photodetection of ultraviolet light(Université Oum El Bouaghi, 2022) Guechi, Amira; Boutaghou, Wissam; Moualkia, HassibaThis work has been based on the chemical spray pyrolysis technique, it is a very attractive method, that it is used to produce thin films for different applications In this work, we have deposited set samples of ZnO CuO SnO2 thin films, CuO/ZnO and CuO/SnO2 heterojunctions onto glass substrates. Then the same experimental procedure has been used to realize the photodetectors based on PN heterojunctions (Al/CuO/ZnO, Al/CuO/SnO2). As well as, all thin films were analyzed by assorted techniques X-ray diffraction, UV-Vis, and four points method. The XRD patterns showed that the structure of all the films is polycrystalline structure, the average grain size (D) is ranged between 100 and 150 nm whiche is given appropriate electrical and optical performance. It was observed that the electrical conductivity of all samples is good and its values ranged from… to …. Fabricated heterostructure PDs showed a higher absorbance in UV-Vis range which can be exploited for UV detection.Item Synthèse et caractérisation des films minces de sulfure de cuivre (CuxS) déposées par bain chimique(Université Oum El Bouaghi, 2018) Bahi, Imane; Rahammia, Imane; Moualkia, HassibaCe travail a concerné l'élaboration et la caractérisation des films de chalcogénures métalliques (CuxS) pour des applications photovoltaïques. Tout d'abord nous avons fait une étude bibliographique sur les couches minces, les sulfures métalliques et en particulier le sulfure de cuivre qui joue un rôle principale dans la fabrication des cellules solaires. Ensuite, nous avons préparé une série de couches minces de sulfure de cuivre (CuxS) par la technique bain chimique le paramètre que nous avons varié est le temps de dépôt. Nous avons mesuré les épaisseurs et la composition des films déposés par la technique RBS, les résultats ont montré que les épaisseurs des films appartiennent à l'échelle nanométrique [60-75 nm] et le rapport Cu/S est égale à 1, donc les films déposés sont stœchiométrique et le sulfure de cuivre déposé est le CuS. L'analyse optique a montré que les films déposés à 2h 30 min et 3h sont transparents dans la région visible, leur transparence est entre 45 et 50%. Ces deux films présentent une bonne absorbance dans la gamme UV. Le film déposé à 3h 30 min est absorbant presque dans toute la gamme spectrale ce qui le rend important comme couche absorbante dans les cellules solaires CdS/CuS. Cependant, la valeur du gap optique est entre 2.18 eV et 2.36 eV. Les résultats de la DRX montre, pour le film déposé à 3h 30 min, l'apparition d'un faible pic de diffraction situé à 2? = 46,28°, ce pic est assigné au plan (107) de la structure hexagonale du covellite CuS.Item Synthèse par bain chimique de couches minces de sulphures métalliques; application à la photodégradation de l'orange II(Univérsité Oum El Bouaghi, 2020) Bouhadjar, Souada; Zabat, Maroua; Moualkia, HassibaCe travail est axé sur le dépôt de couches minces de sulphure de cuivre et sulphure de cadmium sur des substrats en verre, préparées avec la méthode du bain chimique. Le film mince de CuS préparé est de structure hexagonale et ont une transparence de 35 % dans le visible. La structure des films de CdS est cubique et leur transparence varie entre 65 et 85% dans l’intervalle (500 nm ≤λ <1000 nm), la valeur du gap optique du CdS est de 2.44 eV. Les films de CdS déposés pendant 30 min sont utilisés pour la dégradation de l’orange II. Ce dernier est dégradé en présence de couches minces de sulfure de cadmium sous irradiation solaire.