Browsing by Author "Mellal, Saida"

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    A Comprehensive Nonlinear Model For Gaas Mesfet Transistor
    (Oum-El-Bouaghi University, 2013) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa; Zaabat, Mourad; Ziar, Toufik; Kaddour, Chahrazed; Azizi, Mounir
    An analytical two-dimensional (2D) model to accurately predict the channel potential and electric field distribution in sub-micron GaAs MESFET based on (2D) analytical solution of Poisson’s equation using superposition principle is presented. The results so obtained for current voltage characteristics, Transconductance and drain conductance, are presented and validated against both experimental I-V curves and various Models of the submicron MESFET GaAs. The model is then extended to predict the effects of parasitic resistances Rs and Rd, carriers mobility according to the electric fields and the edges effects on the performance. This model will allow more significant simulation of the component characteristics, with a precision improved for various conditions of Schottky barrier.
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    Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa
    Au cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisation
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    Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa
    Au cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisation
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    Simple criterions to achieve hybrid dislocated synchronization of two identical chua’s circuits
    (University of Oum El Bouaghi, 2021) Zemmal, Badreddine; Mellal, Saida; Hamma, Issam; Maizi, Marwa; Ziar, Toufik; Farah, Hichem; Ouannas, Adel
    This paper presents simple criterions to achieve synchronization scheme between two chaotic systems combining tow classical synchronizations i.e the hybrid synchronization (HS) and the dislocated synchronization(DS) , the novelty of the proposed scheme named hybrid dislocated synchronization ( HDS synchronization for short) is that it is much more simple to perform. Two mathematical theorems present the necessary and sufficient conditions under which (HDS) synchronization can be achieved. To show the effectiveness of our approach, numerical example of the (HDS) synchronization of two identical Chua's circuits is executed.
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    The Study Of The Miniaturisation Effect On The Characteristics Of Patch Antenna Using The Wcip Method
    (Oum-El-Bouaghi University, 2014) Ziar, Toufik; Mellal, Saida; Farh, Hichem; Zaabat, Mourad; Azizi, Cherifa
    The demand of miniature electronic systems has been increasing for several decades. The physical size of systems is reduced due to advancements in integrated circuits. With reduction in size of electronic systems, there is also an increasing demand of small and low cost antennas. Patch antennas are one of the most attractive antennas for integrated RF systems due to their compatibility with microwave integrated circuits. In this paper, the effects of substrate dielectric constant and particularly the miniaturization of the antenna size on the return loss characteristics of patch micro strip antenna (MSPA) have been investigated using the wave concept iterative procedure (WCIP) method. Accuracy of the present results is compared with previous work which has been done theoretically and experimentally.