Browsing by Author "Khial, Aicha"

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    Effet de la température sur les propriétés statistiques du composant actif effet de champ mesfet gaas
    (Université Oum El Bouaghi, 2011) Khial, Aicha; Azizi, Cherifa
    Dans les sciences de l'information tell que l'informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d'images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Dans ce travail, nous avons présenté tout d'abord le matériau de l'arséniure de gallium en précisant ces propriétés électriques et celles de transport. En suite, Nous nous sommes intéressés aux caractéristiques de la diode Schottky. Un modèle des caractéristiques statique courant- tension I-V du MESFET GaAs a été obtenu pour diverses températures de fonctionnement. Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytiques que nous avons établies précédemment. Les résultats originaux obtenus sont interprétés
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    Etude des propriétés des nanotransistors à effet de champs
    (Université Larbi Ben M'hidi Oum El Bouaghi, 2018) Khial, Aicha; Azizi, Cherifa
    Depuis la découverte des composants nanométriques, ne cessent de révéler des propriétés physiques remarquables, à cet égard, Les nanotubes de carbone (CNT) ont des candidats prometteurs pour application dans les dispositifs futurs de la nanoélectronique, En particulier le transistor à effet de champ à base de nanotube de carbone. Dans ce contexte de cette thèse, nous avons étudié l'effet de l'abaissement de la barrière de tension du drain (DIBL) sur les transistors FETT à base des nanotubes de carbone (CNTFET) et la tension de seuil (VTH). Cette étude est basé sur un model numérique en utilisant l'approche de la fonction de Green non-équilibre (NEGF) pour résoudre l'équation de Schr?dinger et poisson dans les CNTFET. Les résultats obtenus dans cette étude montrent l'influence des paramètres physique et géométrique (longueur de grille, l'épaisseur de l'oxyde, diamètre du nanotube ; permittivité du diélectrique et le dopage du canal) sur les performances électriques du CNFETT pour différentes températures. Ces résultats sont en bonne concordance avec les résultats présentés dans la littérature. Since the discovery of nanoscale components; they present a. significant physical properties. In this regard; carbon nanotubes (CNT) have shown to be a promising candidate as a material for the future nanoelectronic devices in particular the carbon nanotube field effect transistor (CNTEFET) In this context that this thesis, we studied the effect of Drain Induced Barrier Lowering (DIBL), on FETT transistor based carbon nanotubes (CNTFET), And thereshod voltage (VTH) ;self consistent solution of the Schrodinger and Poisson equations has been performed within the non equilibrium Green’s function a mode space approach. The obtained results show the influence of physical and geometrical parameters (gate length ;oxide thikness,nano-tube;diameter;dielectric ,permittivity)and chanal doping)on the electrical performances of CNTFET for different temperatures This results show good agreement with literature results.
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    Study Of Different Parameters Effects On Threshold Voltage Of Cntfet
    (Oum-El-Bouaghi University, 2018) Khial, Aicha; Rechem, Djamil; Lagraf, F.; Azizi, C.
    In this paper, we have studied the effect of different parameters on threshold voltage of CNTFET devices using a numerical model developed with the Non-Equilibrium Greens Function approach in real space. In fact the work in hand involves the V_TH as a function of length gate taken from 10 nm to 30 nm for different temperature namely : 77 K, 150 K, 300 K, 400 K. then the variation of V_TH as a function of the nanotube diameter varying over the following chiralities : (13, 0), (16, 0), (19,0), (23, 0), (25, 0) was undertaken. Afterworlds, we conducted the variation of V_TH as a function of the oxide thickness with the values: 1.5 nm, 3 nm, 4.5 nm, 6 nm and 7 nm. Moreover, the V_TH was carried at depending upon the high-k materials such as: SiO_2, HfO_2, ZrO_2, 〖Ta〗_2 O_2 and TiO_2 And the source/drain doping used are 〖2.5 m〗^(-1), 〖4 m〗^(-1), 〖6 m〗^(-1), 〖8 m〗^(-1), and 〖10 m〗^(-1) (~0.01 dopant/atom). Finally, a conclusion is made basing at the different findings which revealed that the best reduce of V_TH was recorded under a liquid Nitrogen temperature of 77 K.