Browsing by Author "Hamma, Issam"
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Item Contribution à l'étude des propriétés bidimensionnelles des composants à effet de champs MESFERT GaAS(Université d' Oum El Bouaghi, 2014) Hamma, Issam; Saadi, YacefL'objectif de ce travail rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation destinée à l'étude des composants optoélectroniques à effet de champ optique à l'arséniure de gallium dit " MESFET GaAs " et des méthodes d'optimisations permettant d'en tirer encore plus de profit. En premier lieu nous avons rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode Schottky et du matériau semi-conducteur arséniure de gallium " GaAs ", nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composants à effet de champ " MESFET, MESFET SiC et HEMT ", ainsi que les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. en caractérisant tous les éléments constituant les composants. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs avec un canal à dopage homogène, un modèle analytique est proposée pour un Semi-conducteur MESFET à l'arséniure de gallium optiquement contrôlée à grille submicronique, connu comme Transistor à effet de champ optique (OPFET) compte tenu de la distribution bidimensionnelle du potentiel et du champ électrique sous la zone de charge d'espace, ainsi que l'effet des éléments parasites et des paramètres physiques spécifiques à ce composant. . Ensuite une modélisation mathématique du comportement dynamique de la zone active du transistor a été développée, ainsi que une présentation de son schéma équivalent et la détermination des paramètres de la matrice admittance [Yij]. Finalement ces résultats permettent la mise au point d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment qui ont été présentés, discutés et comparés avec des méthodes numériques de résolution bidimensionnelles connues PDE Toolbox utilisées en logiciel MATLAB. Le modèle développé dans cette étude sera très utile au vu des résultats obtenus pour comprendre le comportement et le contrôle optique de l'appareil en régime submicronique pour des applications futuresItem Contribution à l'étude des propriétés statiques du mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Hamma, Issam; Saidi, YPour la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés, il est nécessaire d'établir des modèles théoriques simples qui tiennent compte de tous les effets qui ont lieu au niveau de l'élément constitutif de ces circuits qui est le MESFET GaAs. Dans ce mémoire, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant - tension (I-V), d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de Gallium Dans ce mémoire nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courantes tensions I-V d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'Arséniure de Gallium dit MESFET GaAs, qui joue un rôle primordial dans la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs qui aura lieu dans la première partie, Une étude analytique des caractéristiques statiques du composant en se basant sur l'approximation de la zone de déplétion graduelle dépourvue de porteurs libre avec un canal de dopage uniforme en prenant compte l'influence des paramètres physiques et géométriques, ainsi l'effet de mobilité et des éléments parasites. L'influence de la température sur le comportement du MESFET GaAs. Les résultats obtenus permettent de déterminer les propriétés du courant sous l'effet des paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue d'une application d'amplification en puissance micro-ondes. Un compromis est déterminé entre les différents paramètres ainsi que le choix d'une loi de mobilité valable pour GaAs. Ces résultats permettent la mise au point de géométries du composant adaptées à des utilisations spécifiques et seront d'un grand apport pour la conception assistée par ordinateur des circuits micro-ondes