Browsing by Author "Boudine, Azzedine"

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    Composants semiconducteurs
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2017) Kalla, Louiza; Boudine, Azzedine
    contacts Cette thèse à été consacré à l'étude du transport des courants polarisés en spin dans des matériaux semi-conducteur et leurs modélisations en tenant compte de différents mécanismes agissant sur le spin. Plus particulièrement, nous décrirons comment sont introduit, dans les équations les mécanismes de relaxation dus aux couplages spin-orbite et aux interactions avec renversement de spin. Nous avons étudié théoriquement le transport polarisé en spin dans le cas d'un canal 2D d'un transistor à rotation de spin appelé transistor (spin-FET). Il s'agit d'un transistor de type HEMT (High Electron Mobility Transistor) dans lequel les contacts de source et drain sont constitués par des matériaux ferromagnétiques. Ils sont séparés par un canal constitué d'une hétéro-structure semi-conductrice formant un gaz d'électrons libres bidimensionnel (2 DEG). Dans le canal le spin peut être modulé par une tension de grille qui va provoquer ou non la rotation des spins électroniques par le phénomène de précession de Rashba. Le couplage spin-orbite de Rashba est dû à la forte asymétrie du puits quantique dans lequel se confine le gaz d'électrons bidimensionnel. Nous avons établi l'expression du courant dans le canal et la conductance associée en fonction des orientations du spin des électrons à l'extrémité du canal et de l'aimantation des de drain
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    Influence of annealing temperature on the structural, morphological and optical properties of Cu doped ZnO thin films deposited by the sol–gel method
    (Elsevier, 2014) Saidani, Tarek; Zaabat, Mourad; Aida, Mohammed Salah; Benaboud, Ahlem; Benzitouni, Sarah; Boudine, Azzedine
    In this work, the characteristics of 5 wt% Cu doped ZnO thin films deposited by sol gel on glass substrates were studied. The objective of the present work is to study the influence of different annealing temperatures on the structural, morphological and optical properties of 5 wt% Cu doped ZnO thin films. For this purpose we have used XRD, AFM and UV–visible spectroscopy for films characterization. Structural analysis showed that all films are polycrystalline with hexagonal wurtzite structure and preferred orientation (002) which gradually improves with increasing the annealing temperature. The grain size is calculated by the Scherrer method ranges from 21.65 nm to 36.47 nm. The AFM study showed an increase in surface roughness with increasing annealing temperature. Optical characterization in the visible range from 300 to 1100 nm showed that the deposited layers have a high transmission factor (>78%). The calculated gaps vary between 3.28 and 3.36 eV in the whole investigated annealing temperature range
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    La spintronique
    (Université Oum El Bouaghi, 2013) Khellaf, Nawal; Boudine, Azzedine
    Dans ce mémoire on s'est intéresse sur la notion du transport de spin et le spintronique .après une introduction générâtes sur les semi-conducteurs et leurs caractéristiques, on s'est intéresse à la notion de la spintronique et les phénomènes régissant les transports en spin comme application on a repris l'étude a deux dimensions d'un transistor spinFET.
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    Méthode itérative pour la modélisation et la conception des composants
    (Université Oum El Bouaghi, 2014) Aouchache, Fakhreddine; Boudine, Azzedine
    Dans ce travail ou s'est intéressée à la méthode itérative et ces utilisation au circuit électrique, Au début de la présentation on peut présentes les propriétés physique des semi conducteur telle que l'énergie de bande interdite, la densité de porteurs intrinsèque, la mobilité et la vitesse des porteurs et le champ de claquage seront abordées. Cette partie se termine par étude le transistor a effet de champ MESFET on peut présenter un brève historique sur les transistors puis le principe de fonctionnement et on termine par la contrainte et les domaines d'utilisation. A la deuxième partie on présente une étude théorique sur la méthode itérative (WCIP) basée sue le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développée sous MATLAB basée sur la méthode WCIP à l'analyse d'une structure planaire intégrant un transistor MESFET planaire par sa conception et sa caractérisation, décrits au troisième chapitre, le dernier chapitre regroupe touts les remarques et conclusion tiré auefur de la réalisation de ce mémoire.
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    Spintronique
    (Université Oum El Bouaghi, 2011) Lamri, Rabeh; Boudine, Azzedine
    Dans ce mémoire on s'est intéressé sur la notion du transport de spin et le spintronique. Après une introduction générale sur les semi-conducteurs et leurs caractéristiques, on c'est intéressé à la notion de la spintronique et les phénomènes régissant les transports en spin. Comme application en a repris l'étude à une dimension d'un transistor spin FET.
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    Transport dans les semi-conducteurs
    (Université Oum El Bouaghi, 2011) Zarik, Abderrazzek; Boudine, Azzedine
    Dans ce travail on s'est intéressée au transport électronique dans les semi-conducteurs. Sachant que la totalité des dispositifs électronique que eu matériaux semi conducteur sont basés sur un signal d'entrée et un signal de sortie caractérisant ce dispositifs de transport eu électrons ou eu trous joue un rôle primordial dans cette caractérisation de phénomène de diffusion de drift et l’équation de Boltzmann permettent de caractériser les courants, la mobilité et mettre en évidence l'effet Hall dans les semi-conducteurs
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    Transport des porteurs polarisés en spin dans les semi-conducteurs
    (Université Oum El Bouaghi, 2013) Berrah, Mohamed Amine; Boudine, Azzedine
    Dans le composant électronique standard à base de semi-conducteurs, la fonctionnalité provient de courants électriques, les porteurs étant discriminés par leur charge électrique. L'électronique de spin, ou spintronique, est le domaine émergent qui projette d'utiliser le spin des électrons de conduction comme un degré de liberté supplémentaire pour générer des fonctionnalités nouvelles. De la magnétorésistance géante, aujourd'hui communément utilisée dans les disques durs d'ordinateurs aux mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM), dont l'introduction sur le marché est imminente, en passant par des composants plus futuristes actuellement développés en laboratoire comme la spin-LED dans cette études par l'utilisation du puits quantique (GaAs) comme un polariseur à partir de ses propriétés ou , la spintronique pourrait bien être la prochaine révolution de la microélectronique.