Browsing by Author "Boudine, Azzedine"

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    Composants semiconducteurs
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2017) Kalla, Louiza; Boudine, Azzedine
    contacts Cette thèse à été consacré à l'étude du transport des courants polarisés en spin dans des matériaux semi-conducteur et leurs modélisations en tenant compte de différents mécanismes agissant sur le spin. Plus particulièrement, nous décrirons comment sont introduit, dans les équations les mécanismes de relaxation dus aux couplages spin-orbite et aux interactions avec renversement de spin. Nous avons étudié théoriquement le transport polarisé en spin dans le cas d'un canal 2D d'un transistor à rotation de spin appelé transistor (spin-FET). Il s'agit d'un transistor de type HEMT (High Electron Mobility Transistor) dans lequel les contacts de source et drain sont constitués par des matériaux ferromagnétiques. Ils sont séparés par un canal constitué d'une hétéro-structure semi-conductrice formant un gaz d'électrons libres bidimensionnel (2 DEG). Dans le canal le spin peut être modulé par une tension de grille qui va provoquer ou non la rotation des spins électroniques par le phénomène de précession de Rashba. Le couplage spin-orbite de Rashba est dû à la forte asymétrie du puits quantique dans lequel se confine le gaz d'électrons bidimensionnel. Nous avons établi l'expression du courant dans le canal et la conductance associée en fonction des orientations du spin des électrons à l'extrémité du canal et de l'aimantation des de drain
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    Influence of annealing temperature on the structural, morphological and optical properties of Cu doped ZnO thin films deposited by the sol–gel method
    (Elsevier, 2014) Saidani, Tarek; Zaabat, Mourad; Aida, Mohammed Salah; Benaboud, Ahlem; Benzitouni, Sarah; Boudine, Azzedine
    In this work, the characteristics of 5 wt% Cu doped ZnO thin films deposited by sol gel on glass substrates were studied. The objective of the present work is to study the influence of different annealing temperatures on the structural, morphological and optical properties of 5 wt% Cu doped ZnO thin films. For this purpose we have used XRD, AFM and UV–visible spectroscopy for films characterization. Structural analysis showed that all films are polycrystalline with hexagonal wurtzite structure and preferred orientation (002) which gradually improves with increasing the annealing temperature. The grain size is calculated by the Scherrer method ranges from 21.65 nm to 36.47 nm. The AFM study showed an increase in surface roughness with increasing annealing temperature. Optical characterization in the visible range from 300 to 1100 nm showed that the deposited layers have a high transmission factor (>78%). The calculated gaps vary between 3.28 and 3.36 eV in the whole investigated annealing temperature range