Browsing by Author "Benkara, Salima"
Now showing 1 - 10 of 10
Results Per Page
Sort Options
Item Conception Et Réalisation D’un Système Photovoltaïque A Base D’une Carte Arduino.(Université Oum El Bouaghi, 2021) Meziane, Manal; Benkara, SalimaNotre travail ayant comme objectif l'amélioration du gain en énergie électrique du panneau solaire mobile par rapport au système fixe. Notre dispositif d'instrument sera fixé sur une structure mécanique que nous avons réalisée à base de deux servomoteurs. Pour cette application, nous avons réalisé un système de photorésistance du type 'LDR' qui sont disposés de manière à ce que leur éclairement ne soit identique que si ce système est perpendiculaire avec le soleil. Les signaux issus des capteurs sont transmis aux entrées d'un microcontrôleur de type ' ATmega328' dans " Arduino " qui permet la comparaison des niveaux de tensions pour la commande des deux servomoteurs. En outre, il permet l'orientation du panneau vers le soleil. Enfin, le système que nous avons réalisé est capable de suivre fidèlement la position du soleil. En plus, pour augmenter le rendement énergétique et la durée de vie des panneaux solaires, nous avons insérer un système de refroidissement pour garder la température idéale et par conséquent assurer leur bon fonctionnement.Item Conception et réalisation d’une carte de commande à base de PIC16F77 d’un moteur pas à pas(Univérsité Oum El Bouaghi, 2020) Annab, Raounek; Benkara, SalimaUn moteur pas à pas est un moteur électrique utilisé dans les petites machines qui nécessitent un contrôle précis de leurs moteurs, tels qu'une imprimante, un cutter laser, etc. Et l'une des caractéristiques les plus importantes de ce type de moteur est qu'il peut contrôler avec précision le nombre et la vitesse de ses tours et l'angle d'arrêt. Ce moteur est également utilisé dans les applications robotiques, car il peut être contrôlé à un angle spécifique. Ce travail consiste à réalisation par simulation d'une commande d'un moteur pas-à-pas avec le microcontrôleur PICF876 et la carte ARDUINO. Pour ce faire nous avons repartie notre travail en trois chapitre. Le premier chapitre est consacré aux généralités sur les moteurs pas- à-pas (fonctionnement ,différents types et commande), le deuxième chapitre est réservé pour la description de la structure et les caractéristiques du microcontrôleur utilisé, il s'agit du PICF877 et l'Ardouino. Le dernier chapitre est réservé à simulation par logiciel de la crte de commande d'un moteur pas-à-pas pour avoir un pilotage en deux sens de rotation et la variation de vitesseItem Elaboration et caractérisation des couches nanostructurées des oxydes semiconducteurs(Univérsité Oum El Bouaghi, 2020) Abdellaoui, Amina; Benkara, SalimaNotre présente étude a pour objectif motiver et étudier des couches minces d'oxyde 'étain (SnO2) pur et dopées Nickel (1%, 3%, 5% et 10%) par la technique sol-gel (dip-coating), afind'étudier l'influence de Ni sur les propriétés des films élaborés. La motivation pour l'emploi de cette technique est sa simplicité et le faible coût. Les résultats de la caractérisation obtenus de DRX montrent que le diagramme dediffractionélaboré à partir de SnO2 pur indique une structure cristalline de type tétragonale. Pour le film SnO2 dopé 5%Ni, on a un changement de la structure de type tetragonale suivantles plans (110), (101), (200) et (211). L'analyse par le spectrophotomètre UV-Visible présente une augmentation de la transmittance pour les films en fonction de dopage avec une forte valeur moyenne autour de88% pour le film de SnO2-1%Ni. De plus, l'écart énergétique diminue avec l'augmentation de pourcentage de dopage du Nickel dans le film.Item Elaboration et étude des propriétés des couches minces à base d'oxyde d'étain dopées par le fer(Université Oum El Bouaghi, 2015) Zerzour, Kenza; Merrouche, Aicha; Benkara, SalimaDans ce travail, nous avons préparé des couches minces d'oxyde d'étain pur et dopée par des ions de fer (de 1 % jusqu'à 15 %) par la technique de Sol-gel associé au " dip coating" sur des substrats en verre. L'évolution des propriétés cristallographiques des fils obtenus, a été étudiée par la diffractométrie des rayons X (DRX), tandis que la morphologique de surface des couches a été analysée par microscopie de force atomique (AFM). Les propriétés optiques et électriques de notre échantillons ont été caractérisées respectivement par la spectroscopie UV-VIS et l'effet Hall.Item Elaboration et étude des propriétes des couches minces à base d'oxydes semiconducteurs(Université Oum El Bouaghi, 2022) Guerd, Nedjwa; Nouadri, Nihad; Benkara, SalimaL'objectif de cette mémoire est de maîtriser la fabrication de nanotubes d'oxyde de titaneet d’étudier les propriétés structurales, morphologiques compositionnelles de l'oxyde detitane en utilisant la technique de l'oxydation anodique sous certaines conditionsexpérimentales (différence de potentiel et temps d'anodisation) qui permettent en outre defabriquer un réseau organisé de nanotubes. Cette technique un contrôle précis de la formeet de la structure cristalline de la couche de nanotubes.Diverses techniques d'analyse ont étéutilisées pour caractériser les nanotubes d'oxyde de titane, y compris l'analyse parmicroscopie optique, grâce à laquelle la croissance des grains et des pores a été détectée, etl'utilisation de spectres de diffraction des rayons X, qui ont montré que la variation de ladifférence de potentiel et la variation de le temps d'anodisation affecte la taille des particuleset la structure cristalline desnanotubes. Aussi, identifier les diamètres des nanotubes grâceà une image prise par un microscope électronique à balayage Abstract The objective of thisthesisis a fabrication of titaniumoxide nanotubes and analysis theelectronicproperties and optical structures of titaniumoxideusing the technique of anodicoxidationunder certain conditions. Experimental conditions (potentialdifference andanodization time) whichalsomakeitpossible to manufacture an organized network ofnanotubes. This technique allowsprecise control of the shape and crystalline structure of thelayer of nanotubes. Variousanalytical techniques have been used to characterizetitaniumoxide nanotubes, includingopticalmicroscopyanalysis, throughwhich grain and poregrowthweredetected, and the use of diffraction spectra of X-rays, whichshowedthat thevariation of the potentialdifference and the variation of the anodization time affects theparticle size and the crystalline structure of the nanotubes. Also, identify the diameters ofthe nanotubes using an image taken by a scanning electron microscope.Item Numerical study and performance analysis of carbone nanotube field effect transistors(Opatija, Croatia, 2013) Rechem, Djamil; Benkara, Salima; Lamamra, KheireddineAs transistors are scaled down to nanometers, the theory and structure of nanometers devices such as carbon nanotubes field effect transistors (CNTFET) are being extensively studied. Self consistent solution of the Poisson and Schrödinger equations is performed using the nonequilibrium Green’s function (NEGF) formalism to investigate the impact of nanotube diameter, gate oxide thickness and high-k gate dielectric permittivity parameters on the coaxially gate, n-type CNTFET. Our results show that the nanotube diameter and gate oxide thickness influences the ION/IOFF current ratio, the drain induced barrier lowering (DIBL), the subthreshold slop as well as transconductance and drain conductance. Furthermore, in this work we focus on the impact of high-k gate dielectric permittivity on the performance of CNTFETs. Using high-k dielectric is caused by the enhancement in device characteristics. A good agreement with numerical simulation results is obtained.Item Réalisation d’un Système Domotique pour la Commande d’une Maison Intelligente àBase d’Arduino(Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2022) Louaar, Ramzi; Houssam, Houssam; Benkara, SalimaDe nos jours, la technologie ne cesse de fasciner le monde entier que ce soit en termes de modernité domotique ou de sécurité afin d’alerter en avance les propriétaires d’un domicile même en étant loin. Ce travail consiste à réaliser une interface de contrôle d’une maison à base de cartes Arduino MEGA et UNO. Le programme est écrit en langage Arduino et communique avec ces cartes via un port série (USB), Afin de faciliter les tâches quotidiennes répétitives telles que l'ouverture ou la fermeture de la porte avec le clavier ou via l'application sur le smartphone conçue à l'aide de l'application Remote XY pour contrôler les lumières, les fenêtres et le garage ainsi que l'alarme incendie ou ouvrir la fenêtre et déclencher le alarme en cas de fuite de gaz ainsi que la présence d'un système de refroidissement dans les chambresItem Synthèse des couches minces d’oxydes semi-conducteurs par voie chimique et étude de leurs caractérisations(Université De Larbi Ben M’hidi Oum EL Bouaghi, 2022) Bouabida, Seddik; Benkara, Salima; Ghamri, HoudaDes nanostructures de ZnO dopé Fe (FZOs) avec différentes concentrations de dopage (0; 1; 3;5;7et 9 %.wt), ont été préparées sur des substrats en verre via la technique de revêtement par immersion. Les effets de la concentration de dopage Fe sur les propriétés structurelles, morphologiques, optiques, électriques et la réponse au gaz isobutane (i-C4H10) des nanostructures de FZO ont été étudiés. L'analyse par diffraction des rayons X (XRD) a montré que le dopage au Fe a un effet significatif sur la taille des particules, la déformation et la qualité cristalline des films préparés. Les images de microscopie électronique à balayage (MEB) des échantillons préparés ont révélé la formation de nanoparticules et de nanotiges, avec la variation de la teneur en élément dopant (Fe). Les résultats de la spectroscopie à dispersion d'énergie (EDS) ont confirmé la présence d'éléments Zn, O et Fe. L'étude de la morphologie de surface par Microscopie à Force Atomique (AFM) a révélé que tous les échantillons de FZOs présentent une structure granulaire homogène de dimensions nanométriques et une porosité qui semble favorable à l'application de la détection de gaz. Les mesures d'absorption UV-Vis ont montré que les films déposés ont une transmittance comprise entre 69 et 89%, et le graphique de la dérivée première du coefficient de transmission optique a indiqué que l'énergie de la bande interdite diminue avec l'augmentation de la concentration de dopage Fe. Les mesures électriques par effet Hall ont montré que les propriétés électriques des nanostructures de FZOs ont une conduction de type n. Les mesures ont montré que la résistivité et la concentration de porteurs de charges augmentent avec l’augmentation de la concentration du dopant Fe allant de 64,26 Ω.cm à 728,69 Ω.cm et de 2,70 x 〖10〗^15 cm^(-3) à 7,12 x 〖10〗^15 cm^(-3) respectivement. De plus, la mobilité de Hall variant entre 1,20 et 35,97 cm^2 V^(-1) 〖 s〗^(-1). Les caractéristiques de sensibilité au gaz isobutane ont été évaluées en fonction de la composition de la couche sensible (FZOs), de la température de fonctionnement dans la plage de 150 à 300 °C et de la concentration volumique de gaz de 0,8 à 6,4 Vol.%. Les résultats obtenus ont montré que la réponse à l'isobutane, ainsi que les propriétés structurelles, morphologiques et optiques des nanostructures FZOs, changeaient avec la concentration de dopage Fe. De plus, les résultats de la détection d'isobutane ont clairement montré que la nanostructure de ZnO dopé à 3 %.wt Fe offrait une réponse remarquable d'environ 76,3 % avec un temps de réponse rapide d'environ 67 s à 0,8 Vol.% d'i-C4H10 à la température de fonctionnement optimale de 250 °C. Par conséquent, les nanostructures FZO produites peuvent être utilisées comme capteur pour la détection de gaz isobutane dans diverses branches industrielles et domestiques. Fe doped ZnO (FZO) nanostructures with varying Fe concentrations say (0; 1; 3;5;7 and 9 %.wt) were prepared on the glass substrates via the sol-gel dip-coating technique. Effects of Fe-doping concentration on the structural, morphological, optical, electrical properties and the response to iso-butane (i-C4H10) gas of FZOs nanostructures were studied. The X-ray diffraction (XRD) analysis showed that Fe doping has a significant effect on particle size, strain, and crystalline quality in the prepared films. Scanning Electron Microscopy (SEM) images of the prepared samples revealed nanoparticles and nanorods formation, with content Fe variation. The Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) results confirmed the presence of Zn, O, and Fe elements. The study of the surface morphology by Atomic Force Microscopy (AFM) revealed that all the FZO samples present a homogeneous granular structure of nanometric dimensions and a porosity that seems to be favorable to the application of gas detection. UV-Vis absorption measurements showed that the deposited films have a transmittance between 69 and 89%, and the differential optical transmittance plot indicated that the band gap energy decreases with increasing Fe doping ratio. Electrical Hall effect measurements revealed that all FZOs thin films have n-type conduction. The measurements showed that the resistivity and the charge carrier concentration increases with increasing Fe dopant concentration ranging from 64,26 Ω.cm to 728,69 Ω.cm and from 2,70 x 〖10〗^15 cm^(-3) to 7,12 x 〖10〗^15 cm^(-3) respectively. Moreover, Hall mobility varies between 1,20 and 35,97 cm^2 V^(-1) 〖 s〗^(-1). The sensitivity characteristics to iso-butane gas were evaluated as a function of the film composition, operating temperature in the range from 150 to 300 °C, and volume gas concentration from 0.8 to 6.4 Vol.%. The obtained results showed that the iso-butane response, as well as the structural, morphological, and optical properties of FZOs nanostructures, changed with the Fe doping. Also, the iso-butane sensing results evidently showed that the 3 wt.% Fe doped ZnO nanostructure offered a remarkable response of ~ 76.3% with a quick response time of ~ 67 s to 0.8 Vol.% of i-C4H10 at the optimum operating temperature of 250 °C. Therefore, FZO nanostructures produced can be used as a sensor for the detection of iso-butane gas in various industrial and domestic branches.Item Synthése et caractérisation d'oxyde d'étain dopé par la voie chimique(Univérsité Oum El Bouaghi, 2020) Bouchareb, Yamina; Benkara, SalimaCe travail vise à préparer et à étudier les propriétés des couches minces d’oxyde d’étain pur et dopée par des ions de Fer, à l’aide de la technique Sol-Gel (Dip-coating). Nous avons choisi ce procédé car il est simple et économique et permet de donner des dépôts de haute qualité. Dans ce contexte nous avons déposé des couches minces homogènes et transparentes de SnO2 pur et dopée par Fe à partir de différentes concentrations de 1 % jusqu’à 10 % sur un substrat préalablement nettoyé. Les films transparents obtenus, ont subi un séchage à 200°C pendant 10 minutes. Nous avons appliqué l’opération immersion-retirage et puis le séchage plusieurs fois ou nous obtenons 10 couches minces dopée par le fer. Les films obtenus sont traités finalement, à une température élevée de 500°C. L’évolution des propriétés cristallographiques des fils obtenus, a été étudiée par la diffractométrie des rayons X (DRX), tandis que la morphologique de surface des couches a été analysée par microscopie de force atomique (AFM) et microscopie optique. Les propriétés optiques de nos échantillons ont été caractérisées par la spectroscopie UV-VIS.Item Synthése et caractérisation d'oxyde de zinc dopé avec le fer par la théchnique Sol Gel Dip-Coating(Univérsité Oum El Bouaghi, 2020) Benhamla, Bouchra; Berkani, Khadidja Oumaima; Benkara, SalimaDans ce travail, nous avons élaboré des couches minces nanostructurées de ZnO pur et dopé avec le Fer sur des substrats en verre par la technique sol gel-Dip Coating. L'acétate de zinc, le chlorure de Fer et l'éthanol ont été utilisés comme précurseur, dopant et solvant. Dans le but d'étudier l'effet de dopage sur les propriétés structurales, morphologiques et optiques, nous avons préparé des solutions de différentes concentrations de dopant de Fe : 0%, 1%, 3%,5%, 7% et 9 %. La diffraction des rayons X nous montre, la haute cristallinité de tous les films avec une grande prédominance des nanoparticules de structure hexagonale wurtzite et une orientation préférentielle selon l'axe-c (002). Les tailles de grains varient entre 20,73 nm et 22,39 nm. Les propriétés morphologiques sont examinées par les images AFM qui montrent une répartition régulière de gains avec des surfaces rugueuses, le facteur de rugosité (RMS) augmente avec le dopage. Les mesures optiques par transmittance UV-Vis ont confirmé que nos films présentent des propriétés de semi-conducteur transparent à la lumière visible qui dépasse 89 %. Les valeurs du gap optique varient entre 3.29 et 3.24 eV. Enfin, l'élaboration de couches minces nanostructures de ZnO pure et dopé de haute qualité avec des bonnes propriétés peuvent être utilisés pour des applications optoélectroniques.