Browsing by Author "Azizi, Mounir"

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    A Comprehensive Nonlinear Model For Gaas Mesfet Transistor
    (Oum-El-Bouaghi University, 2013) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa; Zaabat, Mourad; Ziar, Toufik; Kaddour, Chahrazed; Azizi, Mounir
    An analytical two-dimensional (2D) model to accurately predict the channel potential and electric field distribution in sub-micron GaAs MESFET based on (2D) analytical solution of Poisson’s equation using superposition principle is presented. The results so obtained for current voltage characteristics, Transconductance and drain conductance, are presented and validated against both experimental I-V curves and various Models of the submicron MESFET GaAs. The model is then extended to predict the effects of parasitic resistances Rs and Rd, carriers mobility according to the electric fields and the edges effects on the performance. This model will allow more significant simulation of the component characteristics, with a precision improved for various conditions of Schottky barrier.
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    A New Drain Current I–v Model For Mesfet With Submicron Gate
    (Oum-El-Bouaghi University, 2013) Azizi, Mounir; Azizi, Cherifa
    In this work we present a new nonlinear approach for the calculation of the static characteristics of MESFET GaAs with submicron gate. First, we compare the results of the numerical simulations of the three main models for the MESFETs with submicron gate : Ahmed [1], Islam [2] and Memon [3] with experimental results. Then we propose a new approach that takes into account the surface states of the Schottky junction through a new mobility law for the determination of the output characteristics. The thermal effect is also represented in the mobility law. The comparison of our model with the three previous models referring to the experimental data shows that our approach gives the most accuracy result. Also, the proposed model can be used in the case of logic or analog circuits based on submicron GaAs MESFET.
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    Simulation des propriétés du transitor à effet de champ à grille schottky à l'arséniure de gallim MESFET GAAS
    (Université Oum El Bouaghi, 2017) Azizi, Mounir; Azizi, Cherifa
    Dans ce travail nous présentons une nouvelle approche non linéaire des caractéristiques statiques du MESFET GaAs qui tient compte des états de surface de la jonction Schottky La comparaison des résultats de la simulation numérique du modèle proposé avec un modèle récent, ainsi avec les résultats expérimentaux sur un composant d’étude, montre bien que les résultats trouvés concordent bien avec la réalité. Nous avons fait une synthèse des différentes lois non linéaires de la mobilité électronique des porteurs de charge utilisées dans l’étude des MESFET GaAs. Une simulation de ces paramètres est effectuée en fonction du champ électrique. De là, on a sélectionné la loi la mieux adaptée au composant d’étude. Nous avons, au cours de notre travail, établi un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues. Les résultats ont été présentés, discutés et comparés avec ceux de l’expérience relevé de la littérature.