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A Comprehensive Nonlinear Model For Gaas Mesfet Transistor
(Oum-El-Bouaghi University, 2013) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa; Zaabat, Mourad; Ziar, Toufik; Kaddour, Chahrazed; Azizi, Mounir
An analytical two-dimensional (2D) model to accurately predict the channel potential and electric field distribution in sub-micron GaAs MESFET based on (2D) analytical solution of Poisson’s equation using superposition principle is presented. The results so obtained for current voltage characteristics, Transconductance and drain conductance, are presented and validated against both experimental I-V curves and various Models of the submicron MESFET GaAs. The model is then extended to predict the effects of parasitic resistances Rs and Rd, carriers mobility according to the electric fields and the edges effects on the performance. This model will allow more significant simulation of the component characteristics, with a precision improved for various conditions of Schottky barrier.
A New Drain Current I–v Model For Mesfet With Submicron Gate
(Oum-El-Bouaghi University, 2013) Azizi, Mounir; Azizi, Cherifa
In this work we present a new nonlinear approach for the calculation of the static characteristics of MESFET GaAs with submicron gate. First, we compare the results of the numerical simulations of the three main models for the MESFETs with submicron gate : Ahmed [1], Islam [2] and Memon [3] with experimental results. Then we propose a new approach that takes into account the surface states of the Schottky junction through a new mobility law for the determination of the output characteristics. The thermal effect is also represented in the mobility law. The comparison of our model with the three previous models referring to the experimental data shows that our approach gives the most accuracy result. Also, the proposed model can be used in the case of logic or analog circuits based on submicron GaAs MESFET.
Analyse des transistors à effet de champ
(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Kaddour, Chahrazed; Azizi, Cherifa
Le transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique actif utilisé dans les dispositifs électroniques et a une grande importance dans les sciences de l'information. A cause de l'importance de ce composant dans la technologie, nous nous sommes intéressés dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ en cas général et à la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dit" MESFET GaAs " en cas particulier. La première partie de ce travail présente l'état l'art des transistors à effet de champ (JFET, MESFET, MOSFET, HEMT) et les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. Dans la deuxième partie de ce travail, nous présentons des modèles analytiques du transistor MESFET GaAs .Ces modèles sont basés sur l'analyse physique du MESFET en tenant compte la tension de pincement faible Vp 3 V et élevée Vp 3V , l'influence de la mobilité en fonction du champ électrique et en fonction de la température et l'effet des résistances parasites sur les caractéristiques I-V, l'effet de la température sur la conductance de drain et la transconductance . Enfin, nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment. Les résultats obtenus ont été présentés, discutés et comparés avec ceux de l'expérience existante dans la littérature
Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs
(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Marki, Rebiha; Azizi, Cherifa
L'amélioration des composants électroniques nécessite beaucoup d'efforts au niveau de la conception, de la fabrication que de la caractérisation. Dans ce cadre, la modélisation prouve son utilité en permettant de prévoir les caractéristiques des composants avant la réalisation et par la suite réduire le coût de fabrication. Dans le premier chapitre, nous avons détaillé la structure du MESFET GaAs ainsi que son principe de fonctionnement. Dans le second chapitre, On a étudié un modèle analytiquement dans le but déterminer les caractéristiques statiques du composant en tenant compte des paramètres physiques et géométriques, ainsi que l'effet de la mobilité et des éléments parasites. Dans le dernier chapitre, on a vérifié la validité des différents résultats obtenus. Les paramètres importants qui définissent le MESFET GaAs sont établis et simulés
Analyse statique du transistor à effet de champ MESEFT Ga As
(Université Oum El Bouaghi, 2022) Boudjadi, Amina; Azizi, Cherifa
Nous présentons une analyse des propriétés statiques du transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs qui est un composant essentiel pour les circuits intégrés logiques et analogiques. Après avoir donné la structure et le principe de fonctionnement, nous avons déterminé les expressions analytiques des caractéristiques de sortie du composant. La mise au point d’un logiciel en langage Matlab7.10 nous a permis d’obtenir les performances statiques du courant de drain en fonction des tensions de polarisations de drain et de la grille. L’influence des paramètres physiques, géométriques et de la température sur les caractéristiques de courant ont été également déterminés. Cette étude nous a permis de connaître les paramètres physiques et géométriques optimaux pour améliorer les performances des composants qui sont dépendants de la qualité des matériaux utilisés, de la géométrie de la structure et de la technologie de réalisation. ABSTRACT We present an analysis of the static properties of the gallium arsenide Schottky barrier field effect transistor called MESFET GaAs which is an essential component for logic and analog integrated circuits. After giving the structure and principle of operation, we determined the analytical expressions of the output characteristics of the component. The development of software in Matlab7.10 language allowed us to obtain the static performance of the drain current as a function of the drain and gate bias voltages. The influence of physical, geometrical and temperature parameters on the current characteristics were also determined. This study allowed us to know the optimal physical and geometric parameters to improve the performance of the components which are dependent on the quality of the materials used, the geometry of the structure and the technology of realization.
Effet de la mobilité des porteurs sur les propriétés statistiques du transistor mesfet gaas
(Université Oum El Bouaghi, 2011) Boukandoura, Fouzia; Azizi, Cherifa
Dans les sciences de l'information, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Aussi nous nous sommes intéresses, dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs. C'est dans ce cadre que nous avons présenté la famille des différents transistors à effet de champ. Aussi nous avons présenté les propriétés physiques et électriques du GaAs et du contact Schottky, pour finir avec la présentation du transistor MESFET et de son principe de fonctionnement. Par la suite, l'étude des propriétés statiques du composant MESFET. a été effectué en tenant compte des différentes lois de mobilité des porteurs de charges, dans la zone active, en fonction du champ électrique, à la température ambiante.
Effet de la température sur les propriétés statistiques du composant actif effet de champ mesfet gaas
(Université Oum El Bouaghi, 2011) Khial, Aicha; Azizi, Cherifa
Dans les sciences de l'information tell que l'informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d'images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Dans ce travail, nous avons présenté tout d'abord le matériau de l'arséniure de gallium en précisant ces propriétés électriques et celles de transport. En suite, Nous nous sommes intéressés aux caractéristiques de la diode Schottky. Un modèle des caractéristiques statique courant- tension I-V du MESFET GaAs a été obtenu pour diverses températures de fonctionnement. Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytiques que nous avons établies précédemment. Les résultats originaux obtenus sont interprétés
Etude des propriétés des couches minces d'oxyde d'etain
(Université Oum El Bouaghi, 2015) Boumazoued, Amal; Aberkane, Asma Khadidja; Azizi, Cherifa
Dans notre travail nous avons déposé des couches minces d'oxyde d'étain SnO2 non dopé et dopé Aluminium à (1%, 3%,5%,10%) sur des substrats en verre par le procédé sol-gel type dip coating. Les couches transparents obtenus, ont été séchés après chaque étape de dépôt et traités par recuit. Les couches obtenues ont été étudiés, en utilisant multiple méthodes de caractérisation. La détermination des propriétés morphologiques, structurales et électriques des couches, a été évaluée en fonction de ces paramètres et les répercussions sur les propriétés optiques et électriques. Les techniques, diffraction de rayon X (DRX) et microscopie à force atomique (AFM) ont montré que la taille des cristallites de notre oxyde est nanométrique, les films sont fortement orientés suivant les plans (110). La concentration des porteurs de charge ainsi que leur mobilité évolue en fonction du dopage, la résistivité diminue avec l'augmentation du dopant. Le gap optique diminue à force que la concentration du dopant augmente.
Etude des propriétés des nanotransistors à effet de champs
(Université Larbi Ben M'hidi Oum El Bouaghi, 2018) Khial, Aicha; Azizi, Cherifa
Depuis la découverte des composants nanométriques, ne cessent de révéler des propriétés physiques remarquables, à cet égard, Les nanotubes de carbone (CNT) ont des candidats prometteurs pour application dans les dispositifs futurs de la nanoélectronique, En particulier le transistor à effet de champ à base de nanotube de carbone. Dans ce contexte de cette thèse, nous avons étudié l'effet de l'abaissement de la barrière de tension du drain (DIBL) sur les transistors FETT à base des nanotubes de carbone (CNTFET) et la tension de seuil (VTH). Cette étude est basé sur un model numérique en utilisant l'approche de la fonction de Green non-équilibre (NEGF) pour résoudre l'équation de Schr?dinger et poisson dans les CNTFET. Les résultats obtenus dans cette étude montrent l'influence des paramètres physique et géométrique (longueur de grille, l'épaisseur de l'oxyde, diamètre du nanotube ; permittivité du diélectrique et le dopage du canal) sur les performances électriques du CNFETT pour différentes températures. Ces résultats sont en bonne concordance avec les résultats présentés dans la littérature. Since the discovery of nanoscale components; they present a. significant physical properties. In this regard; carbon nanotubes (CNT) have shown to be a promising candidate as a material for the future nanoelectronic devices in particular the carbon nanotube field effect transistor (CNTEFET) In this context that this thesis, we studied the effect of Drain Induced Barrier Lowering (DIBL), on FETT transistor based carbon nanotubes (CNTFET), And thereshod voltage (VTH) ;self consistent solution of the Schrodinger and Poisson equations has been performed within the non equilibrium Green’s function a mode space approach. The obtained results show the influence of physical and geometrical parameters (gate length ;oxide thikness,nano-tube;diameter;dielectric ,permittivity)and chanal doping)on the electrical performances of CNTFET for different temperatures This results show good agreement with literature results.
Etude des propriétés des transistors à effet de champ Mesfet GaAs
(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Cheriet, Abderrahmane; Azizi, Cherifa
Le travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à barrière schottky à l’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode schottky et du matériau semi-conducteur l’arsenuire de gallium GaAs nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composant a effet de champ à base de GaAs (MESFET, HFET, HEMT, PHEMT et PPHEMT). Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations énérales régissant le comportement de la zone active, ainsi que l’effet des éléments parasites et des paramètres physique spécifiques à ce composant. Enfin,nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytique obtenues précédemment, Les résultats obtenus sont présentes, discutés et compares avec ceux l'expérience existante dans la littérature. Mots cIés : - Diode Schottky - Transistor à effet de champ - MESFET GaAs
Etude du transist à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium dit MESFET GaAs en régime statique
(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Benyoucef, Sawsen; Bechoua, Khadidja; Azizi, Cherifa
Le transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs est un composant essentiel dans les dispositifs électroniques pour fabriquer les circuits intégrés. Sur cette base notre étude porte sur la simulation de ce composant en régime statique. Nous présentons, tout d’abord, les différents transistors à effet de champ avec leurs structures et principes de fonctionnement JFET, MOSFET, MESFET et HEMT. Nous présentons brièvement les propriétés du matériau semi-conducteur arséniure de gallium GaAs puis un modèle mathématique des propriétés statiques du transistor MESFET GaAs à barrière Schottky. Nous avons mis au point un logiciel en langage MATLAB version 7 basé sur les expressions analytiques. Les résultats concernant les caractéristiques courant-tensions du composant et l’influence des paramètres géométriques physiques et la température ont été obtenus et discutés. Ces résultats seront utilisés dans l’étude des circuits microonde et logique à base de MESFET GaAs.
L'influence de la température sur les propriétés statiques du transistor mesfet gaas
(Université Oum El Bouaghi, 2013) Hamlaoui, Saliha; Azizi, Cherifa
Dans les sciences de l'information tell que l'informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d'images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Dans ce travail, nous avons présenté tout d'abord le matériau de l'arséniure de gallium en précisant ces propriétés électriques et celles de transport. En suite, Nous nous sommes intéressés aux caractéristiques de la diode Schottky. Un modèle des caractéristiques statique courant- tension I-V du MESFET GaAs a été obtenu pour diverses températures de fonctionnement. Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytiques que nous avons établies précédemment. Les résultats originaux obtenus sont interprétés.
Le transistor a effet de champ à base de nanotube de carbone
(Université Oum El Bouaghi, 2018) Dib, Nousseiba; Laouar, Sara; Azizi, Cherifa
Nous avons étudié le transistor à effet de champ à nanotube de carbone conventionnel dit C-CNTFET. Tout d'abord nous avons présenté un état de l'art sur les dispositifs électriques et photoélectriques à base de nanotube de carbone. En suite les différents transistors à effet de champ à nanotube sont présentées avec leurs structures et leur principes de fonctionnement C-CNTFET, SB-CNTFET, OG-CNTFET , DGCNTFET. Nous avons somme intéressés au développement analytique du compotent C-CNTFET. A partir de le détermination des charges des porteur dons le nanotube en fonction du diamètre et du nombre de sous -bondes, nous avons déterminé l'expression du courant de drain en fonction des tensions de polarisation de la grille et de drain. Un programme de simulation numérique du langage MATLAB a été mis au point et nous a permis d'obtenir : " Les caractéristique IDS en fonction de VGS et VDS et fonction du nombre de sous-bandes " Les caractéristique de transfert IDS(VGS ) pour de sous-bandes " Les caractéristique IDS(VGS) en fonction du diamètre du nanotube pour plusieurs sous-bandes.
Modélisation des nanotransistors à effet de champ CNTFET
(Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2014) Marki, Rebiha; Azizi, Cherifa
La réduction progressive des dimensions des transistors selon la loi de Moore constitue le principal stimulant à l'intégration de circuits de plus en plus complexes; en effet, les dimensions étant réduites, la vitesse de fonctionnement d'un circuit augmente ainsi que la densité d'intégration. Durant cette dernière décennie, Le marché des télécommunications, du multimédia, de l'automobile, de l'avionique et d'autres applications sécurisées continue à croître à un rythme soutenu avec l'apparition d'applications diverses et complexes qui réclament une puissance de calcul de plus en plus importante tout en ayant un niveau de fiabilité et de sécurité de plus en plus élevé. L'augmentation de la densité d'intégration et l'amélioration des performances sont rendues possibles par la diminution de la taille des transistors à effet de champ qui constituent un élément de choix pour la génération des fonctions de base. C'est dans ce cadre que se situent les travaux de doctorat par une description physique et fonctionnelle des nano transistors à effet de champ. Ensuite les différents phénomènes physiques qui régissent son fonctionnement seront détaillés ainsi que les effets dispersifs qui limitent ses performances. In this paper, one of the most promising electron devices - carbon nanotube field effect transistor (CNT FET) is investigated. At the beginning, the carbon nanotube properties are presented. The main contribution of this paper is the new analytical model of CNT FET current - voltage characteristics. Developed model describes behavior of CNTFET in very good manner and, at the same time, the model is relatively simple. Using the developed model, simulations were performed. The results obtained by using two models are in very good agreement with already known and published ones.
Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs
(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa
Au cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisation
Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs
(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa
Au cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisation
Simulation des propriétés du transitor à effet de champ à grille schottky à l'arséniure de gallim MESFET GAAS
(Université Oum El Bouaghi, 2017) Azizi, Mounir; Azizi, Cherifa
Dans ce travail nous présentons une nouvelle approche non linéaire des caractéristiques statiques du MESFET GaAs qui tient compte des états de surface de la jonction Schottky La comparaison des résultats de la simulation numérique du modèle proposé avec un modèle récent, ainsi avec les résultats expérimentaux sur un composant d’étude, montre bien que les résultats trouvés concordent bien avec la réalité. Nous avons fait une synthèse des différentes lois non linéaires de la mobilité électronique des porteurs de charge utilisées dans l’étude des MESFET GaAs. Une simulation de ces paramètres est effectuée en fonction du champ électrique. De là, on a sélectionné la loi la mieux adaptée au composant d’étude. Nous avons, au cours de notre travail, établi un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues. Les résultats ont été présentés, discutés et comparés avec ceux de l’expérience relevé de la littérature.
Simulation numérique des propriétés statistiques du transistor à base de nanotube de carbone CNTFET
(Université Oum El Bouaghi, 2013) Bendehane, Amel; Azizi, Cherifa
Notre travail représente une contribution à l'étude du transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNTFET). Tout d'abord un état de l'art est effectué sur les nanotubes de carbones. Ensuite les expressions analytiques du composant actif ont été obtenues en supposant le transport balistique dans le canal et le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel appliqué sur la grille. Nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur le langage MATLAB en utilisant les expressions analytiques qui nous a permis d'obtenir les caractéristiques statiques du composant et l'effet du diamètre sur celles-ci.
The Study Of The Miniaturisation Effect On The Characteristics Of Patch Antenna Using The Wcip Method
(Oum-El-Bouaghi University, 2014) Ziar, Toufik; Mellal, Saida; Farh, Hichem; Zaabat, Mourad; Azizi, Cherifa
The demand of miniature electronic systems has been increasing for several decades. The physical size of systems is reduced due to advancements in integrated circuits. With reduction in size of electronic systems, there is also an increasing demand of small and low cost antennas. Patch antennas are one of the most attractive antennas for integrated RF systems due to their compatibility with microwave integrated circuits. In this paper, the effects of substrate dielectric constant and particularly the miniaturization of the antenna size on the return loss characteristics of patch micro strip antenna (MSPA) have been investigated using the wave concept iterative procedure (WCIP) method. Accuracy of the present results is compared with previous work which has been done theoretically and experimentally.
Traitement de certains problèmes de la mécanique quantique dans le cadre des algèbres déformées
(Université Oum El Bouaghi, 2019) Hadj Moussa, M’hamed; Azizi, Cherifa
Notre thèse est composée essentiellement de deux parties : 1-Dans la première partie, plusieurs notions, concepts et techniques sur les algèbres déformées ont été exposés 2-Pour la deuxième partie, certaines applications ont été présentées : Traitement de l'équation de Klein-Gordon et Dirac dans l'espace des moments en interaction avec des potentiels vectoriels et scalaires linéaires dans le contexte du modèle de Snyder-de Sitter déformé. Le système déformé s'est transformé au cas de l'interaction avec le potentiel de Rosen-Morse trigonométrique dans un espace régulier. Résolution de l'oscillateur de Klein-Gordon et celui de Dirac sous l'influence de l'effet Stark dans le contexte du modèle de Snyder-de Sitter déformé. L'étude de l'oscillateur du Duffin-Kemmer-Petiau en présence d'un champ électrique dans le même contexte de la déformation des algèbres de Sitter et anti-de Sitter. Dans tous les cas, les spectres énergétiques et les fonctions d'ondes correspondantes sont exactement et analytiquement déterminés et concordent avec ceux de la littérature. Aussi, les cas limites et quelques propriétés thermodynamiques du système sont déduits. Our thesis is essentially composed of two parts: 1-In the first part, several notions, concepts and techniques on deformed algebras were exposed 2-For the second part, some applications were presented: oThe Klein-Gordon and Dirac equation in the space of moments interacting with linear vectoral and scalar potentials in the context of the deformed Snyder-de Sitter model were treated. The deformed system has transformed to the case of the interaction with the Rosen-Morse trigonometric potential in a regular space. oKlein-Gordon and Dirac oscillators under the influence of Stark effect in the context of deformed Snyder-de Sitter model were solved. oThe study of the Duffin-Kemmer-Petiau oscillator in the presence of an electric field in the same context of the de-Sitter and anti-de-Sitter algebras' deformation. In all cases, the energy spectra and the corresponding wave functions are exactly and analytically determined and are consistent with those in the literature. Also, the limiting cases and some thermodynamic properties of the system are deduced.

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