Browsing by Author "Aissaoui Elkhamssa"

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    Etude des proprietes statiques du transistor a effet de champ mesfet Ga As
    (Université de Larbi Ben M’hidi- Oum El Bouaghi, 2021) Aissaoui Elkhamssa
    Le transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs est un composant essentiel dans les dispositifs électroniques pour fabriquer les circuits intégrés. Aussi, une étude approfondie des propriétés statiques est nécessaire. Nous présentons les propriétés du transistor MESFET GaAs à barrière Schottky et son principe de fonctionnement. Nous avons mis au point un logiciel en langage Fortran F95 qui nous permet de faire un analyse numérique pour déterminer les équations de courant de drain en fonction des tensions de grille et de drain. Nous avons mis en évidence l'influence des paramètres physiques et géométriques sur les caractéristiques de courant, à partir du logiciel de simulation. En conclusion, cette étude nous a permis de connaître les paramètres physiques et géométriques optimaux du composant pour l'application d'amplification en puissance micro-onde.