قسم الفيزياء

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Browsing قسم الفيزياء by Author "Azizi, Cherifa"

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    Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Marki, Rebiha; Azizi, Cherifa
    L'amélioration des composants électroniques nécessite beaucoup d'efforts au niveau de la conception, de la fabrication que de la caractérisation. Dans ce cadre, la modélisation prouve son utilité en permettant de prévoir les caractéristiques des composants avant la réalisation et par la suite réduire le coût de fabrication. Dans le premier chapitre, nous avons détaillé la structure du MESFET GaAs ainsi que son principe de fonctionnement. Dans le second chapitre, On a étudié un modèle analytiquement dans le but déterminer les caractéristiques statiques du composant en tenant compte des paramètres physiques et géométriques, ainsi que l'effet de la mobilité et des éléments parasites. Dans le dernier chapitre, on a vérifié la validité des différents résultats obtenus. Les paramètres importants qui définissent le MESFET GaAs sont établis et simulés
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    Etude des propriétés des transistors à effet de champ Mesfet GaAs
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Cheriet, Abderrahmane; Azizi, Cherifa
    Le travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à barrière schottky à l’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode schottky et du matériau semi-conducteur l’arsenuire de gallium GaAs nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composant a effet de champ à base de GaAs (MESFET, HFET, HEMT, PHEMT et PPHEMT). Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations énérales régissant le comportement de la zone active, ainsi que l’effet des éléments parasites et des paramètres physique spécifiques à ce composant. Enfin,nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytique obtenues précédemment, Les résultats obtenus sont présentes, discutés et compares avec ceux l'expérience existante dans la littérature. Mots cIés : - Diode Schottky - Transistor à effet de champ - MESFET GaAs
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    Etude du transist à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium dit MESFET GaAs en régime statique
    (Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Benyoucef, Sawsen; Bechoua, Khadidja; Azizi, Cherifa
    Le transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs est un composant essentiel dans les dispositifs électroniques pour fabriquer les circuits intégrés. Sur cette base notre étude porte sur la simulation de ce composant en régime statique. Nous présentons, tout d’abord, les différents transistors à effet de champ avec leurs structures et principes de fonctionnement JFET, MOSFET, MESFET et HEMT. Nous présentons brièvement les propriétés du matériau semi-conducteur arséniure de gallium GaAs puis un modèle mathématique des propriétés statiques du transistor MESFET GaAs à barrière Schottky. Nous avons mis au point un logiciel en langage MATLAB version 7 basé sur les expressions analytiques. Les résultats concernant les caractéristiques courant-tensions du composant et l’influence des paramètres géométriques physiques et la température ont été obtenus et discutés. Ces résultats seront utilisés dans l’étude des circuits microonde et logique à base de MESFET GaAs.
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    Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs
    (Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Mellal, Saida; Azizi, Cherifa
    Au cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisation