قسم الفيزياء
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Browsing قسم الفيزياء by Author "Azizi, Cherifa"
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Item Analyse des transistors à effet de champ(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Kaddour, Chahrazed; Azizi, CherifaLe transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique actif utilisé dans les dispositifs électroniques et a une grande importance dans les sciences de l'information. A cause de l'importance de ce composant dans la technologie, nous nous sommes intéressés dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ en cas général et à la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dit" MESFET GaAs " en cas particulier. La première partie de ce travail présente l'état l'art des transistors à effet de champ (JFET, MESFET, MOSFET, HEMT) et les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. Dans la deuxième partie de ce travail, nous présentons des modèles analytiques du transistor MESFET GaAs .Ces modèles sont basés sur l'analyse physique du MESFET en tenant compte la tension de pincement faible Vp 3 V et élevée Vp 3V , l'influence de la mobilité en fonction du champ électrique et en fonction de la température et l'effet des résistances parasites sur les caractéristiques I-V, l'effet de la température sur la conductance de drain et la transconductance . Enfin, nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment. Les résultats obtenus ont été présentés, discutés et comparés avec ceux de l'expérience existante dans la littératureItem Etude des propriétés des nanotransistors à effet de champs(Université Larbi Ben M'hidi Oum El Bouaghi, 2018) Khial, Aicha; Azizi, CherifaDepuis la découverte des composants nanométriques, ne cessent de révéler des propriétés physiques remarquables, à cet égard, Les nanotubes de carbone (CNT) ont des candidats prometteurs pour application dans les dispositifs futurs de la nanoélectronique, En particulier le transistor à effet de champ à base de nanotube de carbone. Dans ce contexte de cette thèse, nous avons étudié l'effet de l'abaissement de la barrière de tension du drain (DIBL) sur les transistors FETT à base des nanotubes de carbone (CNTFET) et la tension de seuil (VTH). Cette étude est basé sur un model numérique en utilisant l'approche de la fonction de Green non-équilibre (NEGF) pour résoudre l'équation de Schr?dinger et poisson dans les CNTFET. Les résultats obtenus dans cette étude montrent l'influence des paramètres physique et géométrique (longueur de grille, l'épaisseur de l'oxyde, diamètre du nanotube ; permittivité du diélectrique et le dopage du canal) sur les performances électriques du CNFETT pour différentes températures. Ces résultats sont en bonne concordance avec les résultats présentés dans la littérature. Since the discovery of nanoscale components; they present a. significant physical properties. In this regard; carbon nanotubes (CNT) have shown to be a promising candidate as a material for the future nanoelectronic devices in particular the carbon nanotube field effect transistor (CNTEFET) In this context that this thesis, we studied the effect of Drain Induced Barrier Lowering (DIBL), on FETT transistor based carbon nanotubes (CNTFET), And thereshod voltage (VTH) ;self consistent solution of the Schrodinger and Poisson equations has been performed within the non equilibrium Green’s function a mode space approach. The obtained results show the influence of physical and geometrical parameters (gate length ;oxide thikness,nano-tube;diameter;dielectric ,permittivity)and chanal doping)on the electrical performances of CNTFET for different temperatures This results show good agreement with literature results.Item Modélisation des nanotransistors à effet de champ CNTFET(Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2014) Marki, Rebiha; Azizi, CherifaLa réduction progressive des dimensions des transistors selon la loi de Moore constitue le principal stimulant à l'intégration de circuits de plus en plus complexes; en effet, les dimensions étant réduites, la vitesse de fonctionnement d'un circuit augmente ainsi que la densité d'intégration. Durant cette dernière décennie, Le marché des télécommunications, du multimédia, de l'automobile, de l'avionique et d'autres applications sécurisées continue à croître à un rythme soutenu avec l'apparition d'applications diverses et complexes qui réclament une puissance de calcul de plus en plus importante tout en ayant un niveau de fiabilité et de sécurité de plus en plus élevé. L'augmentation de la densité d'intégration et l'amélioration des performances sont rendues possibles par la diminution de la taille des transistors à effet de champ qui constituent un élément de choix pour la génération des fonctions de base. C'est dans ce cadre que se situent les travaux de doctorat par une description physique et fonctionnelle des nano transistors à effet de champ. Ensuite les différents phénomènes physiques qui régissent son fonctionnement seront détaillés ainsi que les effets dispersifs qui limitent ses performances. In this paper, one of the most promising electron devices - carbon nanotube field effect transistor (CNT FET) is investigated. At the beginning, the carbon nanotube properties are presented. The main contribution of this paper is the new analytical model of CNT FET current - voltage characteristics. Developed model describes behavior of CNTFET in very good manner and, at the same time, the model is relatively simple. Using the developed model, simulations were performed. The results obtained by using two models are in very good agreement with already known and published ones.Item Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2015) Mellal, Saida; Azizi, CherifaAu cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisationItem Traitement de certains problèmes de la mécanique quantique dans le cadre des algèbres déformées(Université Oum El Bouaghi, 2019) Hadj Moussa, M’hamed; Azizi, CherifaNotre thèse est composée essentiellement de deux parties : 1-Dans la première partie, plusieurs notions, concepts et techniques sur les algèbres déformées ont été exposés 2-Pour la deuxième partie, certaines applications ont été présentées : Traitement de l'équation de Klein-Gordon et Dirac dans l'espace des moments en interaction avec des potentiels vectoriels et scalaires linéaires dans le contexte du modèle de Snyder-de Sitter déformé. Le système déformé s'est transformé au cas de l'interaction avec le potentiel de Rosen-Morse trigonométrique dans un espace régulier. Résolution de l'oscillateur de Klein-Gordon et celui de Dirac sous l'influence de l'effet Stark dans le contexte du modèle de Snyder-de Sitter déformé. L'étude de l'oscillateur du Duffin-Kemmer-Petiau en présence d'un champ électrique dans le même contexte de la déformation des algèbres de Sitter et anti-de Sitter. Dans tous les cas, les spectres énergétiques et les fonctions d'ondes correspondantes sont exactement et analytiquement déterminés et concordent avec ceux de la littérature. Aussi, les cas limites et quelques propriétés thermodynamiques du système sont déduits. Our thesis is essentially composed of two parts: 1-In the first part, several notions, concepts and techniques on deformed algebras were exposed 2-For the second part, some applications were presented: oThe Klein-Gordon and Dirac equation in the space of moments interacting with linear vectoral and scalar potentials in the context of the deformed Snyder-de Sitter model were treated. The deformed system has transformed to the case of the interaction with the Rosen-Morse trigonometric potential in a regular space. oKlein-Gordon and Dirac oscillators under the influence of Stark effect in the context of deformed Snyder-de Sitter model were solved. oThe study of the Duffin-Kemmer-Petiau oscillator in the presence of an electric field in the same context of the de-Sitter and anti-de-Sitter algebras' deformation. In all cases, the energy spectra and the corresponding wave functions are exactly and analytically determined and are consistent with those in the literature. Also, the limiting cases and some thermodynamic properties of the system are deduced.Item Traitement de certains problèmes de la mécanique quantique dans le cadre des algèbres déformées(2019) Hadj Moussa, M’hamed; Azizi, CherifaNotre thèse est composée essentiellement de deux parties : 1-Dans la première partie, plusieurs notions, concepts et techniques sur les algèbres déformées ont été exposés 2-Pour la deuxième partie, certaines applications ont été présentées : Traitement de l'équation de Klein-Gordon et Dirac dans l'espace des moments en interaction avec des potentiels vectoriels et scalaires linéaires dans le contexte du modèle de Snyder-de Sitter déformé. Le système déformé s'est transformé au cas de l'interaction avec le potentiel de Rosen-Morse trigonométrique dans un espace régulier. Résolution de l'oscillateur de Klein-Gordon et celui de Dirac sous l'influence de l'effet Stark dans le contexte du modèle de Snyder-de Sitter déformé. L'étude de l'oscillateur du Duffin-Kemmer-Petiau en présence d'un champ électrique dans le même contexte de la déformation des algèbres de Sitter et anti-de Sitter. Dans tous les cas, les spectres énergétiques et les fonctions d'ondes correspondantes sont exactement et analytiquement déterminés et concordent avec ceux de la littérature. Aussi, les cas limites et quelques propriétés thermodynamiques du système sont déduits.